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[发明专利]包括以轴向配置的三维半导体结构的光电子设备-CN201880055485.0有效
发明人：埃里克·普尔基耶 -专利权人： 艾利迪公司
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电子设备(10)，其包括附接到第二电子电路(14)的第一光电子电路(12)。第二电子电路(14)包括导电垫(62)。针对每个像素，第一光电子电路包括：至少第一和第二三维半导体元件(20，22)，其在第一导电层上延伸并且具有相同的高度(H)；第一有源区，其位于第一半导体元件上并适合于发射或接收第一电磁辐射；第二有源区，其位于第二半导体元件上并适合于发射或接收第二电磁辐射；以及第二、第三和第四导电层(42，44，48)，其被电连接到导电垫(62)，第二、第三和第四导电层被分别连接到第一有源区、第二有源区和第一导电层。
包括轴向配置三维半导体结构光电子设备

[发明专利]光电设备-CN201880061200.4有效
发明人：泽维尔·于贡;菲力浦·吉莱;伊万-克里斯多夫·罗宾;扎因·布哈姆里;弗雷德里克·梅西埃;马蒂厄·法博尼耶 -专利权人： 艾利迪公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2023-10-13 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电设备(10)，包括：支撑件(12)；至少一个覆盖支撑件的第一导电层(18)；显示像素电路(Pix)，包括结合到第一导电层的相对的第一表面和第二表面(22，23)，每个显示像素电路包括电子电路(20)，电子电路包括第一表面和与第一表面相对的第三表面(24)，第一表面结合到第一导电层，以及至少一个光电电路(26；42)结合到第三表面并且包括至少一个发光二极管(LED)，至少一个发光二极管的电极通过第三表面连接到电子电路；至少一个第二导电层(34)，覆盖显示像素电路，并在第二表面侧电耦合到显示像素电路的电子电路。
光电设备

[发明专利]具有轴向型三维二极管的光电子器件-CN202180085768.1在审
发明人：奥尔加·克里利乌克;迈赫迪·达努内;杰罗姆·纳皮尔拉 -专利权人： 艾利迪公司
申请日： 2021-12-02 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L33/20 文献下载
摘要：本公开涉及一种包括轴向发光二极管(LED)的阵列(15)的光电子器件(10)，发光二极管各自包括被配置为发射电磁辐射的有源区(20)，该有源区的发射光谱包括在第一波长处的最大值，阵列形成被配置为形成谐振峰的光子晶体，该谐振峰在与第一波长不同的至少一个第二波长处放大所述电磁辐射的强度。
具有轴向三维二极管光电子器件

[发明专利]具有三维二极管的光电器件-CN201780040945.8有效
发明人：弗洛里安·杜邦;伯努瓦·阿姆施塔特;文森特·贝;托马斯·拉卡韦;菲利普·吉莱;埃文·赫纳夫;贝朗杰·霍伊特;休伯特·博诺 -专利权人： 艾利迪公司;原子能和替代能源委员会
申请日： 2017-06-26 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电器件(1)，该光电器件包括：‑包括彼此相对的称为后表面(3a)和前表面(3b)的支承件；‑形成第一极化电极的多个成核导电带(6i)；‑覆盖所述成核导电带(6i)的中间绝缘层(7)；‑多个二极管(2)，其每个包括三维的第一掺杂部分(9)和第二掺杂部分(11)；‑形成第二极化电极的多个上部导电带(14j)，其支承在所述中间绝缘层(7)上，每个所述上部导电带(14j)设置为与其第一掺杂部分(9)与不同成核导电带(6i)接触的二极管(2)集合的第二掺杂部分(11)接触。
具有三维二极管光电器件

[发明专利]用于制造具有发光二极管的光电子器件的方法-CN202010517459.4有效
发明人：克里斯多夫·布维尔;埃米莉·普茹瓦斯;泽维尔·于翁;卡洛·卡利;蒂费纳·杜邦;菲力浦·吉贝尔;纳赛尔·艾特曼 -专利权人：原子能与替代能源委员会;艾利迪公司
申请日： 2014-09-30 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H01L25/075 文献下载
摘要：本发明涉及一种生产光电子器件的方法，包括以下的连续步骤：提供具有第一面的衬底(10)；在所述第一面上形成包括线形、圆锥形或截锥形的半导体元件的发光二极管的集合；用包封发光二极管的层(40)覆盖第一面的全部；形成与衬底绝缘并且从第二面到至少第一面延伸通过衬底的导电元件(56)；减小衬底的厚度；并且将产生的结构切割以分开发光二极管的每个集合。
用于制造具有发光二极管光电子器件方法

[发明专利]具有轴向三维发光二极管的光电子器件-CN202180085770.9在审
发明人：迈赫迪·达努内;奥尔加·克里利乌克 -专利权人： 艾利迪公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本公开涉及包括轴向发光二极管(LED)矩阵的光电子器件(5)。每个发光二极管(LED)包括发射电磁辐射的有源层(36)。矩阵形成光子晶体，该光子晶体在包含有源层的平面中具有至少第一和第二谐振峰，每个第一和第二峰分别放大在第一和第二波长下的辐射强度。每个发光二极管(LED)包括沿着轴线(Δ)延伸的细长半导体元件(26)，其具有第一平均直径(Dnw)的第一部分(28)，延长第一部分并且具有随着其远离所述第一部分减小的横截面积的第二部分，并且有源层(36)延长第二部分并具有严格小于所述第一平均直径的第二平均直径(Dtop)，有源层位于第一谐振峰的位置处，而在第二谐振峰的位置处不存在。
具有轴向三维发光二极管光电子器件

[发明专利]具有轴向三维发光二极管的光电设备-CN202180084186.1在审
发明人：迈赫迪·达努内;杰罗姆·纳皮尔拉;维什努瓦尔坦·库马雷桑;菲力浦·吉莱;玛乔丽·马拉 -专利权人： 艾利迪公司
申请日： 2021-12-15 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L33/44 文献下载
摘要：本描述涉及一种光电设备(10)，包括轴向发光二极管(LED)的阵列(15)，每个LED包括有源区域(20)，该有源区域被配置为发射电磁辐射，所述电磁辐射的发射光谱在第一波长处包括最大值。该设备还包括用于每个发光二极管包层(23)，所述包层对所述辐射透明，并由第一材料制成，在发光二极管的至少一部分上方包围发光二极管的侧壁，每个包层具有大于10nm的厚度。该设备还包括在包层之间的层(24)，该层对所述辐射透明并由不同于第一材料的第二材料制成，该第二材料是电绝缘的，该阵列形成光子晶体。
具有轴向三维发光二极管光电设备

[发明专利]光电设备-CN201880061195.7有效
发明人：泽维尔·于贡;菲力浦·吉莱;伊万-克里斯多夫·罗宾;扎因·布哈姆里;弗雷德里克·梅西埃;马蒂厄·法博尼耶 -专利权人： 艾利迪公司
申请日： 2018-07-19 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种控制光电设备的方法，所述光电设备包括以行和列排列的显示像素，所述光电设备还包括第一电极，其每个连接到至少一行的显示像素；第二电极，其每个连接到至少一列的显示像素；以及用于控制第一电极和第二电极的电路。所述方法包括，在第一阶段，通过同时执行的以下步骤激活连接到第一电极之一和第二电极之一的显示像素：将所述第一电极之一置于第一电势处，将其他第一电极保持在小于第一电势的第二电势处；以及将所述第二电极之一置于小于所述第二电势的第三电势处，将其他所述第二电极保持在大于所述第三电势且小于所述第二电势的第四电势处。
光电设备

[发明专利]具有发光二极管的显示屏-CN201880084383.1有效
发明人：马蒂厄·法博尼耶;弗雷德里克·梅西埃 -专利权人： 艾利迪公司
申请日： 2018-12-06 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： G09G3/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种显示屏(10)，该显示屏包括：显示电路(12i，j)，每个显示电路包括发光二极管(LEDi，j)、为发光二极管供电的可控电流源(CSi.j)；以及控制电路，能够提供用于控制来自周期信号(ST)的电流源的脉冲宽度调制信号(PWMi，j)。显示屏还包括：第一电极(18i)，耦合到控制电路；用于连续地在每个第一电极上提供选择信号(Vselecti)的电路，以及个或多个振荡电路(OSC)，能够提供周期信号(ST)，该周期信号与显示电路选择信号不同步。
具有发光二极管显示屏

[发明专利]包括发光二极管的彩色显示光电设备-CN202180066524.9在审
发明人：迈赫迪·达努内;沃尔夫·奇哈维 -专利权人： 艾利迪公司
申请日： 2021-09-28 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本说明书涉及一种光电设备(10)，其包括具有轴向配置的第一三维发光二极管、第二三维发光二极管和第三三维发光二极管。每个发光二极管包括半导体元件(20、22、24)和位于半导体元件上的有源区。每个半导体元件对应于微米线、纳米线、纳米或微米范围的圆锥形或截头圆锥形元件。第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管被配置为分别以第一波长、第二波长和第三波长发射第一辐射、第二辐射和第三辐射。第一发光二极管、第二发光二极管和第三发光二极管的半导体元件分别具有第一直径、第二直径和第三直径(D1，D2，D3)。第一直径(D1)小于第二直径(D2)，并且第二直径(D2)小于第三直径(D3)，第一波长大于第三波长，并且第二波长大于第一波长。
包括发光二极管彩色显示光电设备

[发明专利]光电器件-CN202180067052.9在审
发明人：伊万-克里斯多夫·罗宾;埃里克·普尔基耶;布鲁诺·莫雷 -专利权人： 艾利迪公司
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本描述涉及一种光电器件(11)，其包括第一电路(13)，第一电路(13)包括从第一电路的第一表面(13i)发射的至少一个发光二极管(LED)并且包括第一和第二电极(23、24)；用于控制发光二极管的第二电路(15)，其被定位在第一电路的与第一表面相对的第二表面(13s)上，包括第一和第二导电垫(31)；以及位于第一和第二电路之间的交界处的导电层(17)，导电层(17)被划分成与第一和第二电路的堆叠正交的第一和第二部分，第一电极经由导电层的第一部分电连接到第一导电垫，并且第二电极经由导电层的第二部分电连接到第二导电垫。
光电器件

[发明专利]包括发光二极管和控制电路的光电子装置-CN201910509392.7有效
发明人：弗雷德里克·梅西埃;菲力浦·吉莱;泽维尔·于翁 -专利权人： 艾利迪公司
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2023-06-06 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：本发明涉及一种光电子装置(5)，包括第一集成电路(6)，其包括：‑基板，具有第一和第二相对表面；以及‑位于第一表面上的发光二极管的集合的群组(G1、G2、G3)。所述集成电路(6)还包括；‑在所述基板中，用于围绕着每个集合将基板的各部分电绝缘的第一侧面元件(52)；以及‑针对第二表面上的每个群组，被连接到群组的第一端子的至少一个导电接点(461、462、463)以及被连接到群组的第二端子的至少一个第二导电接点(481、482、483)。所述装置包括第二集成电路(7)，其包括：‑第三和第四相对表面；以及‑第三导电接点(70)，位于第三表面上并被电连接到第一和第二导电接点。第一集成电路被附着到第二集成电路的第三表面上。
包括发光二极管控制电路光电子装置

[发明专利]用于制造光电器件的方法-CN202180052739.5在审
发明人：格扎维埃·于贡;埃里克·普尔基耶;弗雷德里克·马耶尔;托马斯·拉卡夫;菲利普·吉贝尔;迈克尔·勒博;伊曼纽尔·佩蒂普雷兹 -专利权人： 艾利迪公司
申请日： 2021-08-10 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造光电器件(1)的方法，该方法包括：‑提供支撑件(3)，所述支撑件(3)支撑多个三维半导体结构(2)；‑在多个三维半导体结构(2)的第一组(21)的3D结构(2a)下方形成牺牲部(30)；‑围绕牺牲部(30)形成阻挡部(50)，该阻挡部(50)具有在牺牲部(30)下方延伸的基壁(51)和在牺牲部(30)的边缘处延伸的横向壁(52)；‑形成沟槽(132)，该沟槽(132)用于尽可能接入牺牲部(30)，接入沟槽(132)沿阻挡部(50)的横向壁(52)连续延伸；‑从接入沟槽(132)蚀刻牺牲部(30)；‑将第一组(21)的3D结构(2a)去除。
用于制造光电器件方法

[发明专利]用于捕捉或发射物理量的电子器件及制造方法-CN202180057350.X在审
发明人：弗雷德里克·马耶尔;弗雷德里克·梅西埃;埃尔文·多内尔;伊万-克里斯多夫·罗宾 -专利权人： 艾利迪公司
申请日： 2021-05-31 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：公开一种用于捕捉或发射物理量的电子器件(10)，包括下支撑件(11)；下导电元件(12)；包括有源部分的有源元件(13)，并且每个有源元件(13)包括电连接到至少一个下导电元件(12)的下部(13a)和上部(13b)；上导电元件(14)；其中，每个有源元件(13)的上部(13b)电连接到上导电元件(14)之一；其中，至少一个第一电绝缘元件(16)被布置在并排设置在下支撑件(11)的支撑表面上的至少两个相邻的有源元件(13)的侧壁(13c)之间；其中，第一电绝缘元件(16)被布置在上导电元件(14)之一和下导电元件(12)之一之间。
用于捕捉发射物理量电子器件制造方法

[发明专利]用于制造包含光刻胶的光致发光垫的光电器件的方法-CN201780087300.X有效
发明人：埃里克·普尔基耶;菲利普·吉莱;张樱蓝 -专利权人： 艾利迪公司
申请日： 2017-12-22 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种用于制造光电器件(1)的方法，该光电器件包括发光二极管(4)的矩阵和多个光致发光垫(61、62、63......)，每个光致发光垫面向所述发光二极管(4)的至少一部分，所述方法包括以下步骤：‑通过光刻法由包含光致发光颗粒的至少一个光刻胶(51、52、53......)形成所述多个光致发光垫(61、62、63......)，所述光刻胶预先沉积在支撑表面(3；3')上；‑通过在侧面(81、82、83......)上沉积至少一个薄层部分(91、92、93......)来形成覆盖所述光致发光垫(61、62、63......)的侧面(81、82、83......)的反射壁(101、102、103......)。
用于制造包含光刻光致发光光电器件方法

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