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[发明专利]镀锡铜端子材及其制造方法-CN201980017237.1有效
发明人：马渡芙弓;牧一诚;船木真一;井上雄基;中矢清隆 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2019-03-29 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： C25D5/50 文献下载
摘要：一种镀锡铜端子材，在由铜或铜合金构成的基材上依次层叠镍或镍合金层、铜锡合金层及锡层而成，锡层的平均厚度为0.2μm以上且1.2μm以下，铜锡合金层是以Cu6Sn5为主成分且所述Cu6Sn5的一部分铜取代为镍的化合物合金层，并且平均结晶粒径为0.2μm以上且1.5μm以下，在锡层表面露出有铜锡合金层的一部分，并且锡凝固部以岛状存在，所述锡凝固部的沿锡层表面的方向的平均直径为10μm以上且1000μm以下，所述锡凝固部相对于锡层表面的面积率为1％以上且90％以下。
镀锡端子及其制造方法

[发明专利]铜合金板、带镀膜的铜合金板及它们的制造方法-CN202080054912.0有效
发明人：森川健二;宫岛直辉;牧一诚;船木真一 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-08-05 - 公布日： 2023-08-25 - 主分类号： C22C9/04 文献下载
摘要：一种铜合金板，其在板厚方向的中心部含有超过2.0％(质量％、以下相同)且32.5％以下的Zn、0.1％以上且0.9％以下的Sn、0.05％以上且小于1.0％的Ni、0.001％以上且小于0.1％的Fe、0.005％以上且0.1％以下的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，所述铜合金板的表面处的表面Zn浓度为中心部的中心Zn浓度的60％以下，所述铜合金板具有从表面到Zn浓度成为中心Zn浓度的90％为止的深度的表层部，关于表层部，从表面朝向板厚方向的中心部，以10质量％/μm以上且1000质量％/μm以下的浓度梯度增加Zn浓度。
铜合金镀膜它们制造方法

[发明专利]铜合金、铜合金塑性加工材、电子电气设备用组件、端子及散热基板-CN202180045210.0在审
发明人：松永裕隆;福冈航世;牧一诚;森川健二;船木真一;森广行 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：该铜合金包含超过10质量ppm且100质量ppm以下的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，半软化温度为200℃以上，与轧制方向平行的方向上的180℃、30小时的条件下的残余应力率RSG为20％以上，残余应力率RSG和与轧制方向正交的方向上的180℃、30小时的条件下的残余应力率RSB之比RSG/RSB超过1.0。
铜合金塑性加工电子电气备用组件端子散热

[发明专利]铜合金、铜合金塑性加工材、电子电气设备用组件、端子、汇流条、引线框架及散热基板-CN202180045199.8在审
发明人：松永裕隆;福冈航世;牧一诚;森川健二;船木真一;森广行 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：该铜合金包含超过10质量ppm且小于100质量ppm的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，半软化温度比TLD/TTD超过0.95且小于1.08，半软化温度TLD为210℃以上。
铜合金塑性加工电子电气备用组件端子汇流引线框架散热

[发明专利]铜合金、铜合金塑性加工材、电子电气设备用组件、端子、汇流条、引线框架及散热基板-CN202180045132.4在审
发明人：松永裕隆;福冈航世;牧一诚;森川健二;船木真一;森广行 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C22F1/00 文献下载
摘要：该铜合金的一方式包含超过10质量ppm且小于100质量ppm的Mg，剩余部分为Cu及不可避免的杂质，在不可避免的杂质中，S量为10质量ppm以下，P量为10质量ppm以下，Se量为5质量ppm以下，Te量为5质量ppm以下，Sb量为5质量ppm以下，Bi量为5质量ppm以下，As量为5质量ppm以下，S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕为0.6～50，导电率为97％IACS以上，残余应力率在150℃、1000小时的条件下为20％以上。
铜合金塑性加工电子电气备用组件端子汇流引线框架散热

[发明专利]铜合金塑性加工材、铜合金线材、电子电气设备用组件及端子-CN202180045904.4在审
发明人：松永裕隆;伊藤优树;福冈航世;牧一诚;森川健二;船木真一;森广行 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：该铜合金塑性加工材具有Mg的含量超过10质量ppm且100质量ppm以下、剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，在所述不可避免的杂质中，S的含量为10质量ppm以下，P的含量为10质量ppm以下，Se的含量为5质量ppm以下，Te的含量为5质量ppm以下，Sb的含量为5质量ppm以下，Bi的含量为5masppm以下，As的含量为5masppm以下，并且S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计含量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕在0.6以上且50以下的范围内，导电率为97％IACS以上，抗拉强度为200MPa以上，耐热温度为150℃以上。
铜合金塑性加工线材电子电气备用组件端子

[发明专利]铜合金塑性加工材、铜合金棒材、电子电气设备用组件及端子-CN202180046181.X在审
发明人：松永裕隆;伊藤优树;福冈航世;牧一诚;森川健二;船木真一;森广行 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2021-06-30 - 公布日： 2023-03-03 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：该铜合金塑性加工材具有Mg超过10质量ppm且100质量ppm以下、剩余部分为Cu及不可避免的杂质的组成，在所述不可避免的杂质中，S为10质量ppm以下，P为10质量ppm以下，Se为5质量ppm以下，Te为5质量ppm以下，Sb为5质量ppm以下，Bi为5masppm以下，As为5masppm以下，并且S、P、Se、Te、Sb、Bi及As的合计量为30质量ppm以下，质量比〔Mg〕/〔S+P+Se+Te+Sb+Bi+As〕在0.6以上且50以下的范围内，导电率为97％IACS以上，抗拉强度为275MPa以下，进行减面率为25％的拉拔加工后的耐热温度为150℃以上。
铜合金塑性加工电子电气备用组件端子

[发明专利]铜合金板、带镀膜的铜合金板及它们的制造方法-CN201980086408.6有效
发明人：宫嶋直辉;牧一诚;船木真一;久保田贤治 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2019-12-18 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：一种铜合金板，在板厚方向的厚度中心部包含0.3质量％以上且1.2质量％以下的Mg及0.001质量％以上且0.2质量％以下的P，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，其中，板表面的Mg浓度为所述厚度中心部的块体Mg浓度的30％以下，具备具有从所述板表面起至Mg浓度为所述块体Mg浓度的90％为止的深度的表层部，在所述表层部中，Mg浓度从所述板表面朝向所述厚度中心部以1.8质量％/μm以上且50质量％/μm以下的浓度梯度增加。
铜合金镀膜它们制造方法

[发明专利]Cu-Ni-Si系铜合金板、带镀膜的Cu-Ni-Si系铜合金板及它们的制造方法-CN202180021981.6在审
发明人：坂井和章;宫岛直辉;牧一诚;船木真一 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2021-03-12 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： C22C9/06 文献下载
摘要：一种Cu‑Ni‑Si系铜合金板，含有Ni和Si，其中，在板厚方向的中心部，含有0.4质量％以上且5.0质量％以下的Ni和0.05质量％以上且1.5质量％以下的Si，其余部分由Cu和不可避免的杂质构成，板表面的Ni浓度为所述厚度中心部的中心Ni浓度的70％以下，具有从板表面起到中心Ni浓度的90％为止的深度的表层部，在表层部中，Ni浓度从板表面向厚度中心部以5.0质量％/μm以上且100质量％/μm以下浓度梯度增加，提高高温环境下的电连接可靠性，即使在设有Sn等镀膜的情况下，也会提高高温环境下的电连接可靠性、焊料润湿性及镀膜的密接性。
cu ni si 铜合金镀膜它们制造方法

[发明专利]铜合金板、带镀膜的铜合金板及它们的制造方法-CN202080019903.8有效
发明人：宫岛直辉;小林敬成;牧一诚;船木真一;森广行;伊藤优树 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-03-25 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提高了降低接触电阻的镀膜与含有Mg的铜合金板的密接性。一种铜合金板，在板厚方向的中心部包含超过1.2质量％且2质量％以下的Mg，剩余部分由Cu及不可避免的杂质构成，表面处的表面Mg浓度为所述板厚方向的所述中心部的中心Mg浓度的0％以上且30％以下，具有从所述表面起至Mg浓度为所述中心Mg浓度的90％为止的深度的表层部，在所述表层部，Mg浓度从所述表面向所述板厚方向的所述中心部，以0.2质量％/μm以上且50质量％/μm以下的浓度梯度增加。
铜合金镀膜它们制造方法

[发明专利]铜合金板、带镀膜的铜合金板及它们的制造方法-CN202080075886.X在审
发明人：秋坂佳辉;宫岛直辉;牧一诚;船木真一 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-12-08 - 公布日： 2022-06-17 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：本发明提供一种铜合金板，板厚方向的中心部的中心Mg浓度为0.1质量％以上且小于0.3质量％、中心P浓度为0.001质量％以上且0.2质量％以下，剩余部分由Cu及不可避免的杂质形成，所述铜合金板的表面的表面Mg浓度为所述中心Mg浓度的70％以下，从所述表面起以规定的厚度设定的表层部具有Mg浓度随着从所述表面朝向所述板厚方向的所述中心部增加的0.05质量％/μm以上且5质量％/μm以下的浓度梯度，并且所述表层部中的最大Mg浓度为所述中心Mg浓度的90％，由此抑制表面的变色及接触电阻的上升且镀膜的密接性优异。
铜合金镀膜它们制造方法

[发明专利]连接器用端子材-CN202080068848.1在审
发明人：宫岛直辉;牧一诚;船木真一;石川诚一 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： C22C9/00 文献下载
摘要：一种端子材，具有至少表面由Cu或Cu合金构成的基材、所述基材上的厚度0.1μm以上且1.0μm以下的Ni层、所述Ni层上的厚度0.2μm以上且2.5μm以下的Cu‑Sn金属间化合物层及所述Cu‑Sn金属间化合物层上的厚度0.5μm以上且3.0μm以下的Sn层，通过EBSD法以0.1μm的测量步长来分析所述Cu‑Sn金属间化合物层及所述Sn层的截面，将相邻的像素间的取向差为2°以上的边界视为晶界，所述Cu‑Sn金属间化合物层的平均结晶粒径Dc为0.5μm以上，所述Sn层的平均结晶粒径Ds与所述平均结晶粒径Dc的粒径比Ds/Dc为5以下。
连接器用端子

[发明专利]连接器用端子材料及其制造方法-CN201880005730.7在审
发明人：井上雄基;牧一诚;船木真一;玉川隆士;中矢清隆 -专利权人：三菱伸铜株式会社;三菱综合材料株式会社
申请日： 2018-01-16 - 公布日： 2019-08-27 - 主分类号： C25D7/00 文献下载
摘要：本发明提供一种发挥优异的电连接特性并且将动摩擦系数降低至0.3以下，从而插拔性优异的连接器用端子材料。所述连接器用端子材料在由铜或铜合金构成的基材上依次层叠镍或镍合金层、铜锡合金层及锡层而成，锡层的平均厚度为0.2μm以上且1.2μm以下，铜锡合金层是以Cu₆Sn₅作为主成分，Cu₆Sn₅的铜的一部分被镍取代的化合物合金层，平均结晶粒径为0.2μm以上且1.5μm以下，一部分露出于锡层的表面，该露出面积率为1％以上且60％以下，镍或镍合金层的平均厚度为0.05μm以上且1.0μm以下，平均结晶粒径为0.01μm以上且0.5μm以下，结晶粒径的标准偏差/平均结晶粒径为1.0以下，与铜锡合金层接触的面的表面粗糙度Ra为0.005μm以上且0.5μm以下，表面的动摩擦系数为0.3以下。
平均结晶粒径铜锡合金层端子材料锡层动摩擦系数镍合金层表面粗糙度Ra 化合物合金结晶粒径依次层叠插拔性电连接面积率铜合金基材制造

[发明专利]导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法-CN201480004353.7有效
发明人：小见山昌三;船木真一;小池慎也;奥田圣 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2014-03-07 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种银合金溅射靶，具有如下成分组成包含合计为0.1～1.5质量％的In及Sn中的一种以上且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成，其中所述In及Sn是固溶于Ag的元素，晶粒的平均粒径为1μm以上且小于30μm，晶粒的粒径的偏差为平均粒径的30％以下，该银合金溅射靶通过对熔炼铸造铸锭，依次实施热轧工序、冷却工序、冷轧、热处理、机械加工工序而制造。
导电性形成合金溅射及其制造方法

[发明专利]导电性膜形成用银合金溅射靶及其制造方法-CN201280058004.4有效
发明人：小见山昌三;船木真一;小池慎也;奥田圣 -专利权人：三菱综合材料株式会社
申请日： 2012-05-09 - 公布日： 2014-07-30 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明的溅射靶的一种形式具有含0.1～1.5质量％的Sn且剩余部分由Ag及不可避免杂质构成的成分组成，合金晶粒的平均粒径在30μm以上且小于120μm，所述晶粒的粒径偏差在平均粒径的20％以下。本发明的溅射靶的制造方法的一种形式对具有所述成分组成的熔炼铸锭依次实施热轧工序、冷却工序及机械加工工序，在所述热轧工序中，以每一道次的轧制率为20～50％、应变速度为3～15/sec、及道次后的温度为400～650℃的条件进行1道次以上的精热轧，在所述冷却工序中，以200～1000℃/min的冷却速度进行淬冷。
导电性形成合金溅射及其制造方法

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