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- [发明专利]一种集成电路铜互连结构及其制备方法-CN201310235819.1无效
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卢红亮;张远;朱尚斌;耿阳;孙清清;张卫
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复旦大学
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2013-06-16
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2013-09-25
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H01L23/532
- 本发明属于微电子技术领域,具体涉及一种集成电路铜互连结构与制备方法。本发明提出一种新的Ru-N-Ta结构代替传统的TaN/Ta结构作为扩散阻挡层/粘附层/籽晶层。使用原子层沉积镀膜(ALD)方法制备出Rux(TaN)y薄膜,x,y的取值范围是0.05-0.95,x与y之和为1。通过调节Ru与TaN两者的比例,可以得到较好的Cu扩散阻挡能力和粘附能力。本发明的优点可在高深宽比结构上生长均匀非晶薄膜的特点,制备出Ru-N-Ta结构同时充当Cu扩散阻挡层/粘附层/籽晶层,大大减小薄膜厚度;可以改善Cu阻挡与粘附性能,减少工艺步骤,还可以提高铜互连的导电性能,为铜互连工艺提供了一种简单实用的可行性方案。
- 一种集成电路互连结构及其制备方法
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