专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法-CN202010148690.0有效
  • 杨冠南;罗绍根;崔成强;张昱 - 广东工业大学
  • 2020-03-05 - 2022-02-22 - H01L21/56
  • 本发明涉及电子加工的技术领域,更具体地,涉及一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法:在第一刚性载板制作第一凹槽并在第一凹槽底部制作图案化突起,先将注塑材料平铺于第一凹槽中并升温融化,再将待封装芯片以倒装形式插入熔融态的注塑材料中,进行可控温度场式升温固化,得到塑封好的封装芯片;当需要实现特殊的封装结构、固化顺序,或者面对较厚的待封装芯片或粘度过高的注塑材料等情况或要求,可采用多次倒装方法,实现多材料、多次序的注塑固化。本发明结合可控温度场式升温及刚性载板的结构设计,可实现多层封装结构的可控固化成型,并调控注塑材料固化时的收缩力及固化后封装体的残余应力,减少芯片漂移和翘曲。
  • 一种抑制芯片漂移封装方法
  • [发明专利]芯片封装方法及芯片封装结构-CN202011460680.7有效
  • 杨斌;罗绍根;崔成强 - 广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司
  • 2020-12-11 - 2021-11-02 - H01L21/48
  • 本发明公开芯片封装方法,包括制备芯片封装用基底和芯片封装,包括以下步骤:提供第二衬底,在其一表面成型若干导电柱;提供第三衬底,在其一表面成型第二种子层以及在第二种子层上成型重布线层,并在重布线层和第二种子层上开设贯穿重布线层和第二种子层的过孔;将导电柱对准过孔嵌入,并使第二衬底与第三衬底贴合连接,制得芯片封装用基底;去除第二衬底和第三衬底中的其中一个,使导电柱的一端外露;提供若干芯片组,将芯片组倒装于芯片封装用基底的导电柱外露的一侧并进行塑封;去除第二衬底和第三衬底中的另一个,使导电柱的另一端外露,于导电柱外露的一端将芯片组电性引出。本发明在封装过程中可以有效降低翘曲现象,提高了芯片封装效果。
  • 芯片封装方法结构
  • [实用新型]一种板级三维芯片封装结构-CN202120275478.0有效
  • 崔成强;杨斌;罗绍根;匡自亮 - 广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司
  • 2021-01-29 - 2021-11-02 - H01L21/60
  • 本实用新型公开一种板级三维芯片封装结构的制备方法,包括:制备芯片封装用基底,并使其具有外露的第一重布线层;提供若干第一芯片组,倒装于第一重布线层上并进行塑封,形成第一塑封层;对第一塑封层开孔,形成位于每相邻两个第一芯片组之间的锥形槽以及位于其中一个第一芯片组远离另一个第一芯片组一侧的若干过孔,并使锥形槽和过孔分别延伸至第一重布线层;在第一塑封层表面、锥形槽的槽壁以及过孔的孔壁制作第二重布线层;提供若干第二芯片组,倒装于第二重布线层上并进行塑封,形成第二塑封层;制作电连接结构,将第一芯片组和第二芯片组电性引出。本实用新型有利于板级三维芯片封装结构的四周拓展及三维结构的导通,并能有效降低翘曲。
  • 一种三维芯片封装结构
  • [实用新型]具有屏蔽功能的芯片封装结构-CN202023229494.0有效
  • 崔成强;杨斌;罗绍根 - 广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司
  • 2020-12-28 - 2021-11-02 - H01L21/48
  • 本实用新型公开具有屏蔽功能的芯片封装结构,包括:芯片封装用基底,包括第三衬底、位于第三衬底一侧的金属屏蔽层以及若干嵌入至第三衬底和金属屏蔽层内的导电柱,导电柱一端与第三衬底一面平齐,另一端凸出于金属屏蔽层形成凸台;还包括位于金属屏蔽层上的介电层和嵌入至介电层内的具有若干凹槽的第一重布线层以及位于第一重布线层上的铜材质的第一种子层,凸台与凹槽对应连接,介电层开有供第一重布线层的焊盘区外露的孔位;若干芯片组,倒装于第三衬底上并与导电柱电连接;塑封层,位于第三衬底上并覆盖芯片组:若干金属凸块,植入焊盘区与第一重布线层电连接。本实用新型可有效降低芯片封装产生的翘曲,增强芯片电磁屏蔽功能,提高产品良率。
  • 具有屏蔽功能芯片封装结构
  • [发明专利]一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法-CN202010148694.9有效
  • 杨冠南;罗绍根;崔成强;张昱 - 广东工业大学
  • 2020-03-05 - 2021-10-29 - H01L21/56
  • 本发明涉及电子加工的技术领域,更具体地,涉及一种抑制芯片漂移与翘曲的封装方法,包括:S10.在第一刚性载板制作凹槽,将待封装芯片安装于第二刚性载板上;S20.将第一颗粒物堆叠于待封装芯片和第二刚性载板上,将第一刚性载板倒扣盖合于第二刚性载板上方并压紧,使第一颗粒物无法发生移动;S30.在第一刚性载板侧部或上部注入内混合有第二颗粒物的熔融态塑封料,第一颗粒物的颗粒直径大于第二颗粒物的颗粒直径;S40.保持压力进行可控温度场式升温,使塑封料逐层固化;S50.拆除第一刚性载板、第二刚性载板及临时键合层。本发明采用两种颗粒大小的颗粒物,利用大颗粒材料相互挤压产生压力抑制塑封料及芯片的相对位移与热变形,可以防止芯片发生漂移并减少翘曲,同时利用先部分融化、后逐次固化的方法进一步减少翘曲。
  • 一种抑制芯片漂移封装方法
  • [发明专利]一种嵌入式精细线路的制作方法-CN202110486360.7在审
  • 崔成强;罗绍根;杨冠南;张昱 - 广东工业大学
  • 2021-04-30 - 2021-09-17 - H05K3/00
  • 本发明涉及电子封装技术领域,更具体地,涉及一种嵌入式精细线路的制作方法。包括以下步骤:a、利用掩模版制作出包含第一凹槽的线路母版,在硬质基板上布置介电材料形成线路载板;b、将所述线路母版和所述线路载板进行热压,使所述线路载板上的介电材料固化后形成目标线路形状的第二凹槽;c、在所述线路载板的第二凹槽内沉积金属种子层,再通过电镀在所述金属种子层上填充金属以形成嵌入式金属层;d、对所述线路载板的金属层进行减薄,去除多余的非线路金属层,完成嵌入式线路的制作。本发明的目的在于克服现有技术的不足,提供一种嵌入式精细线路的制作方法,使线路与载板的结合强度更高且线路精细程度更高。
  • 一种嵌入式精细线路制作方法
  • [实用新型]一种板级倒装芯片封装结构-CN202120285979.7有效
  • 崔成强;杨斌;罗绍根;匡自亮 - 广东佛智芯微电子技术研究有限公司;广东芯华微电子技术有限公司
  • 2021-01-29 - 2021-09-03 - H01L23/31
  • 本实用新型公开一种板级倒装芯片封装结构,包括:芯片封装用基底,其一侧具有外露的第一重布线层;若干芯片组,倒装于芯片封装用基底上并与第一重布线层电连接;塑封层,位于芯片封装用基底的一侧并包裹芯片组,塑封层上且位于每相邻两个芯片组之间开设有一道延伸至第一重布线层的锥形槽,且塑封层上邻近相邻两个芯片组的外周间隔开设有若干延伸至第一重布线层的过孔;第二重布线层,位于塑封层上并延伸至锥形槽的槽壁和过孔的孔壁与第一重布线层电连接;若干金属凸块,与第二重布线层的焊盘区电连接。本实用新型便于倒装芯片封装结构的四周拓展及后续根据实际需要对其进行三维结构的导通;同时,锥形槽的开设有利于释放应力、降低翘曲。
  • 一种倒装芯片封装结构
  • [发明专利]一种玻璃通孔加工方法-CN202110230850.0在审
  • 崔成强;杨斌;罗绍根 - 广东芯华微电子技术有限公司;广东佛智芯微电子技术研究有限公司
  • 2021-03-02 - 2021-06-29 - C03C15/00
  • 本发明公开一种玻璃通孔加工方法,包括:将待加工的平板玻璃置于碱性溶液超声清洗,用去离子水进行冲洗并干燥;采用激光对平板玻璃的目标区域进行照射;通过蚀刻液对平板玻璃进行刻蚀以形成通孔;对蚀刻后的平板玻璃进行超声清洗;按重量份计,蚀刻液按以下组份配制而成:氢氟酸40wt.%10~40份;纯水50~200份;辅酸1~40份;盐0.1~10份;表面活性复配剂0.05~5份;表面活性复配剂由表面活性剂与醋酸或含有1~3个碳原子的醇按照1:1~10比例复配而成;表面活性剂为辛基苯基聚氧乙烯醚、十六烷基三甲基氯化铵、α‑烯基磺酸钠、聚乙二醇辛基苯基醚中的一种或多种。该加工方法打孔良率高,且孔壁光滑规整。
  • 一种玻璃加工方法

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