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[发明专利]基于深度学习的个性化装修方案推荐方法、系统及介质-CN202310862362.0在审
发明人： 罗伟科;杨帅;罗飞达;王乐生;罗飞明 -专利权人：深圳建安建筑装饰集团有限公司
申请日： 2023-07-14 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G06F16/9535 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于深度学习的个性化装修方案推荐方法、系统及介质，包括：获取用户与装修项目的交互行为数据，提取若干兴趣向量，结合用户特征生成兴趣向量序列；构建以用户及装修项目为节点的异构图，通过图卷积神经网络根据用户的兴趣特征在异构图中进行学习表示，获取用户及装修项目的特征向量表示；构建装修方案推荐模型，基于所述兴趣向量序列获取兴趣变化特征导入装修方案推荐模型，预测装修项目的相关性；根据装修项目的相关性排序为用户进行推荐，并获取用户反馈信息优化装修方案推荐模型。本发明通过结合用户的动态偏好特征及房屋属性特征为用户推荐个性化装修方案，节省了用户的大量的时间及精力并且提升用户的体验。
基于深度学习个性化装修方案推荐方法系统介质

[发明专利]一种便于通堵的建筑屋顶排水结构-CN202310676565.0在审
发明人：王乐生;罗飞达;罗伟科;罗锦活;李鹏程 -专利权人：深圳建安建筑装饰集团有限公司
申请日： 2023-06-08 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： E04D13/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种便于通堵的建筑屋顶排水结构，涉及屋顶排水领域，包括排水管主体，所述排水管主体的端头处活动连接有辅助副管，所述辅助副管的内部固定安装有疏通装置，所述疏通装置包括第一折叠管、第二折叠管和操控组件，所述第一折叠管和第二折叠管均固定安装在辅助副管的内壁上。本发明，突出状态的折叠管处的口径略微小于排水管主体的口径，因此堵塞部位将会主要集中在辅助副管当中，通过操控组件来改变第一折叠管与第二折叠管的状态，让第一折叠管和第二折叠管交替成为突出状态，利用折叠管的形变来推动内部的堵塞物进行移动，此种方式可以让堵塞物与管道的连接部位在不稳定的状态，从而方便进行通堵。
一种便于建筑屋顶排水结构

[发明专利]一种容积可调的共享智能快递箱-CN201910216822.6有效
发明人：林益宏;卢淑华;罗伟科;陈非非;赖亦环 -专利权人：林益宏
申请日： 2019-03-21 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： B65D21/08 文献下载
摘要：本发明涉及物流运输技术领域，且公开了一种容积可调的共享智能快递箱，包括快递箱主体，所述快递箱主体的正面固定安装有合页，所述合页的外部固定安装有箱门，所述快递箱主体的内顶壁和内底壁均固定安装有限位板，所述快递箱主体的内部活动安装有活动箱，所述活动箱的顶部和底部均开设有限位滑槽，两个所述限位板相对的一侧均固定安装有延伸至限位滑槽内部的限位滑块。该容积可调的智能快递箱，通过对活动箱开设了凹槽，以及对凹槽安装了挤压弹簧，达到了卡头可伸缩的效果，通过对限位板开设了与卡头相对应的卡槽，达到了扩大内部空间后固定活动箱的效果，通过对开口安装了挤压杆，达到了方便调节快递箱内部容量的目的。
一种容积可调共享智能快递

[发明专利]一种高迁移率AlN/GaN异质结材料外延方法-CN202211225936.5在审
发明人： 罗伟科;李忠辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2022-10-09 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明公开一种高迁移率AlN/GaN异质结材料外延方法。该方法包含下列步骤：（1）衬底烘烤；（2）成核层生长；（3）高阻缓冲层生长；（4）沟道层生长；（5）势垒层生长。在势垒层外延生长过程中，控制源气体流量的大小，脉冲式通入源气体，实现势垒层原子脉冲沉积。本发明方法通过脉冲式的调控源气流大小，实现势垒层原子脉冲沉积，提高结晶质量，改善异质结界面陡峭度，提升异质结材料电子迁移率，方法经济节约，简单易行，外延材料性能好，是实现高AlN/GaN异质结材料迁移率、低成本生长的有效解决方案。
一种迁移率 aln gan 异质结材料外延方法

[发明专利]一种提升AlGaN深紫外探测器材料晶体质量的外延方法-CN202110778108.3有效
发明人： 罗伟科;李忠辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2021-07-09 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： C30B25/18 文献下载
摘要：本发明涉及一种提升AlGaN深紫外探测器材料晶体质量的外延方法，本发明通过制备图形化蓝宝石衬底来提升AlGaN深紫外探测材料晶体质量，包括如下步骤：选择一蓝宝石衬底；将衬底放入高温炉中，通过高温热分解制备图形化衬底；在MOCVD反应腔中，同时通入三甲基铝、氨气，进行低温AlN成核层生长；提高生长温度，进行高温AlN缓冲层生长；同时通入三甲基铝、三甲基铝和氨气，生长AlGaN深紫外探测材料各有源层结构；降温，在氮气气氛下进行原位退火，激活p型层。本发明的优点：通过蓝宝石的高温热分解特性制备图形化蓝宝石衬底，无需光刻图形、沉积掩膜、刻蚀生长窗口，方法简单，生长周期短，材料性能好，是实现AlGaN深紫外探测器材料高质量、低成本生长的有效方案。
一种提升 algan 深紫探测器材料晶体质量外延方法

[发明专利]提升AlGaN/AlN多量子阱界面质量的生长方法-CN201910982145.9有效
发明人： 罗伟科;李忠辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2021-10-22 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种提升AlGaN/AlN多量子阱界面质量的生长方法，本发明是在MOCVD设备中进行的，在AlGaN量子阱和AlN量子垒周期性切换时中断生长，抑制界面组分渐变层的形成；同时在AlN生长过程中周期性的交替提供Ⅲ、Ⅴ族源，减少反应源之间的预反应，增加金属原子的横向迁移能力，改善AlN表面形貌，增强界面陡峭度，提升AlGaN与AlN间的界面质量。本发明的优点：本发明可以降低AlN生长温度，并且保证AlN的表面平整性，实现AlGaN和AlN的同温度生长，同时能抑制界面组分渐变层的形成，增强界面陡峭度，提升界面质量，方法经济节约，简单易行，外延材料性能好，是实现AlGaN/AlN多量子阱结构高质量、低成本生长的有效解决方案。
提升 algan aln 多量界面质量生长方法

[发明专利]基于衬底剥离的透射式AlGaN紫外光电阴极制备方法-CN201811009797.6有效
发明人： 罗伟科;李忠辉;陈鑫龙 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2018-08-31 - 公布日： 2021-03-23 - 主分类号： H01J9/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于衬底剥离的透射式AlGaN紫外光电阴极制备方法，包括如下步骤：1）准备材料；2）依次进行高温烘烤、成核层生长、高质量GaN剥离层生长；3）生长p型Mg掺杂的高铝组分AlGaN光电发射层；4）在AlGaN表面键合石英窗口材料；5）利用激光分解技术将GaN层彻底分解，剥离衬底；6）AlGaN表面进行Cs或者Cs/O层激活。优点：1）采用GaN代替AlN作为紫外光电阴极缓冲层，降低了缓冲层生长难度，提高了p型AlGaN发射层的晶体质量，有利于制备更高灵敏度的光电阴极；2）采用缓冲层激光分解技术，充分分解GaN层，实现衬底剥离，可以避免衬底和缓冲层对紫外入射光线的吸收，保证了光电发射层对紫外光线的高效探测；3）激光剥离的衬底可以重复使用，经济节约。
基于衬底剥离透射 algan 紫外光电阴极制备方法

[发明专利]一种高阻GaN薄膜外延生长的方法-CN201710840381.8有效
发明人： 罗伟科;杨乾坤;李忠辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2017-09-18 - 公布日： 2020-10-02 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明是一种高阻GaN薄膜外延生长方法，是在MOCVD设备中进行的，包括衬底烘烤、成核、外延生长阶段，其特征在于：在外延生长阶段，采用金属有机物三甲基铟（TMIn）作为C杂质掺杂源。优点：实现了GaN薄膜的高阻性能。同时由于高温下TMIn难于在晶格中形成In‑N键，较高的生长温度避免了InGaN合金的形成，保证了GaN薄膜的晶格结构的完整性。可以通过改变掺杂剂TMIn流量的大小，对GaN外延层中的C杂质浓度进行有效控制，掺杂效率高，重复性稳定。无需对MOCVD系统增掺杂源管路，无需安装其他C掺杂源，充分利用设备现有的资源，简单易行，外延材料性能好，实现高阻GaN薄膜高质量、低成本生长。
一种 gan 薄膜外延生长方法

[实用新型]一种容积可调的共享智能快递箱-CN202020096984.9有效
发明人：林益宏;卢淑华;罗伟科;陈非非;赖亦环 -专利权人：林益宏
申请日： 2020-01-16 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： A47G29/14 文献下载
摘要：本实用新型涉及快递箱技术领域，且公开了一种容积可调的共享智能快递箱，包括快递箱本体，所述快递箱本体的左侧铰接有密封板，所述快递箱本体的右侧开设有活动口，所述快递箱本体的内部活动安装有活动箱，所述活动箱的底部开设有稳定滑槽，所述快递箱本体的内底壁固定安装有延伸至稳定滑槽内部的稳定滑块，所述快递箱本体的顶部固定安装有外板，所述快递箱本体的内顶壁开设有限位滑槽。该容积可调的共享智能快递箱，通过对快递箱本体开设了活动口，并且对快递箱本体安装了活动箱，以及对活动箱的底部开设了稳定滑槽，并且对快递箱本体的内底壁安装了延伸至稳定滑槽内部的稳定滑块，可对活动箱进行限位。
一种容积可调共享智能快递

[发明专利]一种高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法-CN201910982012.1在审
发明人： 罗伟科;李忠辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2019-10-16 - 公布日： 2020-05-22 - 主分类号： C30B29/40 文献下载
摘要：本发明涉及一种高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法，基于氮化铝衬底的高质量氮化铝薄膜的同质外延生长方法，在MOCVD设备中进行的，包括如下步骤：选择一氮化铝衬底；将衬底放入MOCVD反应腔内，升温烘烤衬底；通入氨气（NH3）对衬底进行保护，进一步提升生长温度，同时通入三甲基铝（TMAl）、氨气（NH3），采用低生长速率生长第一层氮化铝（AlN）优化层；而后降低生长温度，提高生长速率生长第二层高质量AlN外延薄膜。本发明的优点：方法简单易行，生长周期短，材料性能好，是实现AlN外延薄膜高质量、低成本生长的有效解决方案。
一种质量氮化薄膜同质外延生长方法

[发明专利]一种氮化物薄膜的制备方法-CN201611114438.8有效
发明人： 罗伟科;李忠辉;杨乾坤;李亮 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2016-12-07 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C23C16/34 文献下载
摘要：本发明公开了一种氮化物薄膜的制备方法，包括以下步骤：在氮化物同质外延生长过程中，持续不间断地向反应室中通入Ⅴ族源气体，而周期性地调制通入反应室中Ⅲ族源气体流量的大小。本发明通过周期性的调制Ⅲ族源气流大小，增强Ⅲ族源原子的横向迁移能力，减少表面缺陷，提高结晶质量，改善表面的平整度。本发明方法经济节约，简单易行，获得的氮化物薄膜材料性能好，是实现氮化物外延薄膜高质量、低成本生长的有效解决方案。
一种氮化物薄膜制备方法

[发明专利]插拔测试机-CN201811188317.7在审
发明人： 罗伟科;韩伟;赵芳玲;王振胜 -专利权人：富士康（昆山）电脑接插件有限公司;鸿腾精密科技股份有限公司
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-01-08 - 主分类号： G01M13/00 文献下载
摘要：本发明揭示了一种插拔测试机，其包括支撑平台、夹具载台和驱动装置，其中所述夹具载台固定于支撑平台，所述夹具载台通过浮动弹簧浮动式地支撑耐插拔测试单元，所述驱动装置驱动耐插拔测试单元做细微的随机运动。夹具载台通过浮动弹簧可浮动式地固定于支撑平台上，从而具有拟人化的柔韧性。
夹具载台支撑平台测试单元插拔测试浮动弹簧驱动装置耐插拔柔韧性浮动式地可浮动式随机运动拟人化驱动支撑

[发明专利]一种多孔氮化铝复合衬底及其在外延生长高质量氮化镓薄膜中的应用-CN201510503005.0有效
发明人： 罗伟科;李亮 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2015-08-14 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种多孔氮化铝复合衬底，并进一步提出了基于该多孔氮化铝复合衬底外延生长高质量氮化镓薄膜的方法。本发明方法包括氮化铝复合衬底制备、多孔氮化铝复合衬底制备和氮化镓外延生长三个阶段，其中氮化铝外延生长和氮化镓外延生长在MOCVD系统中进行。本发明通过对氮化铝进行湿法腐蚀，在氮化铝表面形成大量凹陷的位错坑，位错坑起到微区掩膜的作用，氮化镓首先在没有位错坑的表面进行成核，成核逐渐变大，相互合并，最终形成平整的表面。本发明中利用氮化镓外延生长具有生长选择性的特点，在氮化铝表面实现选区生长，将大量的位错缺陷终止在氮化铝层与氮化镓层的界面处，有效的减少了氮化镓薄膜中的位错密度，提高了晶体质量。
一种多孔氮化复合衬底及其外延生长质量薄膜中的应用

[发明专利]一种利用温度调制提高氮化铝薄膜晶体质量的生长方法-CN201510004831.0有效
发明人：李亮;罗伟科;李忠辉 -专利权人：中国电子科技集团公司第五十五研究所
申请日： 2015-01-07 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： C30B25/02 文献下载
摘要：本发明公开一种利用温度调制提高氮化铝薄膜晶体质量的生长方法，是在MOCVD设备中进行的，包括烘烤、成核、温度调制外延生长、再外延生长四个阶段。本发明方法通过原位温度调制技术，在氮化铝成核层生长后的外延生长过程中通过调制生长温度，改变氮化铝生长速率和应力，从而使得部分位错在此时发生弯折，最终产生合并而湮灭，达到降低的氮化铝薄膜中位错密度，提升晶体质量的目的。本发明的优点在氮化铝材料外延生长过程中引入温度调制层的方法简单易行，外延材料性能好，是实现氮化铝薄膜高质量外延生长的有效解决方案。
一种利用温度调制提高氮化薄膜晶体质量生长方法

[外观设计]LED直流集中供电电源柜-CN201630216302.2有效
发明人：雷鸣;丘毅辉;张萍;马智平;陈仁;叶江波;陈泽军;罗伟科;陈昱林 -专利权人：南方电网综合能源有限公司
申请日： 2016-06-01 - 公布日： 2017-03-29 - 主分类号： 13-02 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称LED直流集中供电电源柜；2．本外观设计产品的用途本外观设计产品用于为LED灯具供电；3．本外观设计产品的设计要点在立体图；4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片主视图。
led 直流集中供电电源

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