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[发明专利]一种具有高衰减系数的机械可控裂结装置-CN201710545142.X在审
发明人：杨扬;魏珺颖;罗仲梓;郭维;郑珏婷;皮九婵;张蕊 -专利权人：厦门大学
申请日： 2017-07-06 - 公布日： 2017-11-03 - 主分类号： G01N27/00 文献下载
摘要：一种具有高衰减系数的机械可控裂结装置，涉及机械可控裂结装置。设有骨架底座、步进电机、微芯片和探针装置；所述骨架底座为不锈钢圆柱底座，所述步进电机上开孔，将微芯片、探针装置和步进电机组装固定在开孔上，用于单分子测试；所述步进电机与骨架底座连接；所述微芯片设有聚酰亚胺层和金电极；所述探针装置将微芯片中微小电极引出成平面外界电极，探针装置设有支撑结构和接触结构，所述支撑结构可采用铝合金材料的桥型结构，在支撑结构中心钻有直径1cm的孔洞，用于微芯片的架设；所述接触结构以支撑结构中心孔洞作为分界，两边对称组装上聚酯包膜柔性覆铜板、聚四氟乙烯板、环氧玻纤布基板、银针。
一种具有衰减系数机械可控装置

[发明专利]一种芯片质子泵及其制造和使用方法-CN201310503969.6有效
发明人：周勇亮;张大霄;胡冬洁;罗仲梓;毛秉伟 -专利权人：厦门大学
申请日： 2013-10-23 - 公布日： 2014-01-29 - 主分类号： B01L3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种芯片质子泵及其制造和使用方法，该芯片质子泵，包括微通道，其还包括至少一储液池、所述的储液池和微通道之间设有连接通道，该连接通道上设有将储液池和微通道隔开的质子膜，且该质子膜在通电时能驱动质子进入或泵出微通道；以及一微电极，微电极的一极设于储液池，另一极设于微通道上。本发明的质子泵，可以用于改变流经微通道的溶液pH值或形成pH梯度，便于进一步的反应或分离。可应用于微流控芯片通道中溶液的pH控制、改变以及pH梯度建立，并进行分离或分析等。
一种芯片质子及其制造使用方法

[发明专利]硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法-CN200910112478.2无效
发明人：张玉龙;张保平;罗仲梓;蒋书森;张艳;谷丹丹;张春权;李燕飞 -专利权人：厦门大学
申请日： 2009-09-04 - 公布日： 2010-03-10 - 主分类号： H01L23/427 文献下载
摘要：硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法，涉及一种电子元器件的散热芯片。提供一种能够克服以上硅基散热器的缺点，提高硅基散热器散热效能的硅基汽液相分离式散热芯片及其制备方法。散热芯片为上下两层结构，分别为上硅片和下硅片，在上硅片上设有冷却液体加载口、液体汽化室和气体微通道，在下硅片上设有冷却液体储槽和液体微通道。1)加工上硅片正面结构，2)加工上硅片背面结构，3)加工下硅片，4)再将上硅片和下硅片对准键合。
硅基汽液相分离散热芯片及其制备方法

[发明专利]集成电路反剥离光刻方法-CN200510048367.1无效
发明人：钟灿;林凡;李静;吴孙桃;罗仲梓 -专利权人：厦门大学
申请日： 2005-12-31 - 公布日： 2006-07-12 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：集成电路反剥离光刻方法，涉及一种集成电路光刻方法，尤其是涉及一种采用改进的反剥离工艺的集成电路光刻方法。提供一种改进的集成电路反剥离光刻方法。其步骤为在硅片表面先后涂增粘剂层和反转光刻胶层后烘胶，烘胶后在硅片表面再次涂反转光刻胶层，前烘后掩膜曝光，用掩膜板遮挡；反转烘后泛曝光，再显影，淀积金层，金厚度为2μm；将溅射好金的硅片用丙酮浸泡至少4h；将浸泡过丙酮的硅片放入超声仪中进行超声剥离。解决了业内一直没有解决的在金膜较厚情况下反剥离工艺技术问题，通过工艺流程与工艺条件的改进，尤其是在涂胶工艺中，采用先涂一层胶，然后烘干后再涂第二层的工艺，显著地加厚了光刻胶的厚度，使反剥离工艺得到改进。
集成电路剥离光刻方法

[实用新型]串联式射频MEMS开关-CN200420111505.7无效
发明人：于映;罗仲梓 -专利权人：福州大学
申请日： 2004-11-16 - 公布日： 2006-01-18 - 主分类号： H01H13/702 文献下载
摘要：一种串联式射频MEMS开关，它解决了现有技术因触点变形弯曲而影响触点与信号线的接触效果的问题，提供一种能保证触点与波导能够稳定接触的串联式射频MEMS开关，本实用新型包括：驱动块、触点、固定端、共平面波导，触点由上下二层薄膜构成，其上层薄膜的下表面的中间设有向下凸起，下层薄膜的上表面的中间设有与上层薄膜的向下凸起相配对的向上凹槽。本实用新型的射频MEMS开关减少了因多层薄膜所造成的应力影响，T型结构由于其下端的窄条起了支撑的作用，使触点的下端成为平面，改变了原先触点的弯曲现象，从而使触点与波导的接触成为稳定的接触，对开关性能的提高起了很大的作用。
串联式射频 mems 开关

[发明专利]PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺-CN200510018649.7无效
发明人：于映;吴孙桃;罗仲梓;钟灿;吴清鑫 -专利权人：福州大学
申请日： 2005-04-27 - 公布日： 2005-10-26 - 主分类号： H01L21/32 文献下载
摘要：本发明涉及PECVD沉积SiN薄膜剥离工艺，其步骤为(1)采用正性光刻胶旋涂于基片上，干后，取出置于掩膜之下，在曝光台上曝光，放置到碱性溶液中显影，待显出所需图形后取出，冲洗，干后即可。(2)把带有光刻胶的基片放入PECVD沉积室中，进行沉积SiN薄膜。(3)将基片取出放置于酮类溶液中，待光刻胶脱离基片后，冲洗并烘干，即可。采用本发明工艺加工PECVD沉积SiN薄膜的图形，使SiN薄膜能够方便地成为所需要的图形和结构，避免了干法刻蚀对SiN薄膜和光刻胶的损伤、侵蚀和破坏。本发明的PECVD沉积SiN薄膜可作为MEMS器件绝缘层、隔离层，具有较好的绝缘强度，厚度约为0.1～0.4μm。
pecvd 沉积 sin 薄膜剥离工艺

[发明专利]PECVD沉积低应力SiN薄膜工艺-CN200410061150.X无效
发明人：于映;罗仲梓;吴清鑫 -专利权人：福州大学
申请日： 2004-11-16 - 公布日： 2005-04-27 - 主分类号： C23C16/505 文献下载
摘要：一种PECVD沉积低应力SiN薄膜工艺，是一种产品致密性好、生长厚度较厚、绝缘性好的PECVD沉积低应力SiN薄膜工艺。本发明经过清洗并烘干基片、在PECVD真空室内升温至150～300℃并保持稳定时，给真空室充入N₂稀释的8～12％的SiH₄和NH₃至1～5Pa，并加上射频功率使其放电，进行沉积分。将沉积完成SiN薄膜的基片放入烘箱内，冲入N₂气进行保护，升温，到达280℃后保温，再降温到室温。本发明可以制作出致密性好，绝缘强度高的SiN薄膜，SiN薄膜能够成为结构梁，且薄膜具有应力小和强度高等特点，并可生长到1μm厚。本具有沉积温度低，沉积效率高的优点。
pecvd 沉积应力 sin 薄膜工艺

[发明专利]聚二甲基硅氧烷芯片低真空键合方法-CN03130857.0无效
发明人：沈德新;周勇亮;罗仲梓 -专利权人：厦门大学
申请日： 2003-05-15 - 公布日： 2004-03-24 - 主分类号： G01N27/26 文献下载
摘要：涉及一种聚二甲基硅氧烷芯片低真空键合方法。其步骤为将聚合后的硅橡胶样品新鲜剥离得芯片组件，放入真空腔，抽真空，用氧气反复冲洗，排出残余气体：再抽真空，加高压使真空腔内的氧气起辉，对芯片组件表面进行氧等离子体轰击，并与大气压平衡，打开真空腔，将经氧等离子体处理好的芯片组件贴合。其键合强度很高，经拉力实验测定，可超过PDMS本体的强度，仪器设备简单，要求的真空度较低。抽真空时间、放气时间短，提高了效率。
聚二甲基硅氧烷芯片真空方法

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