专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种3D打印芹菜健康食品及其制备方法-CN202310509162.7在审
  • 常艳娇;那舒棋;张艳;郭鑫;蒋依含;于子茹;纪宇婷 - 吉林大学
  • 2023-05-08 - 2023-09-29 - A23L19/00
  • 本发明公开了一种3D打印芹菜健康食品及其制备方法,属于健康休闲食品技术领域,所述的制备方法包括芹菜粉的制备、芹菜“墨水”配制及流变学特性调控、芹菜健康食品结构设计、芹菜健康食品3D打印成型等步骤。本发明运用高效的芹菜粉粒制备工艺获取适合3D打印粒径要求的芹菜提取物。基于马铃薯淀粉、果胶等作为可食用增稠剂,在保留芹菜提取物营养成分的同时实现其多样化结构的3D打印,兼顾食品的营养、外观、口感,满足健康食品食用要求。本发明具有高效、便捷、个性化、营养化的特点,所制备的3D打印芹菜健康食品可适用于不同年龄段人群需求。
  • 一种打印芹菜健康食品及其制备方法
  • [实用新型]一种农村作坊生产与生活废水的处理设备-CN202223431724.0有效
  • 于颖;孙俊峰;渠胜皓;纪宇婷 - 哈尔滨理工大学威海研究院
  • 2022-12-21 - 2023-05-12 - C02F9/00
  • 本实用新型提供了一种农村作坊生产与生活废水的处理设备,包括生活收集池以及作坊收集池;所述生活收集池通过管线依次连接有过滤池、混合沉淀池、除磷池以及清水池;所述作坊收集池通过管线依次连接有处理池、固液分离器、一级沉淀池、二级沉淀池、无氧池以及中和池。本实用新型采用固液分离器首先将作坊污水中的粪便残渣等物质进行回收,作为肥料可再利用,有效提高作坊污水的回收利用率。其次两级沉淀具有很好的沉淀效果,可有效降低污水浑浊度。并且后续经过换向阀与生活污水合并时,显著减少换向阀中沉积物,可有效保护换向阀。
  • 一种农村作坊生产生活废水处理设备
  • [发明专利]一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法-CN202010762526.9有效
  • 胡彦飞;纪宇婷;郭辉;梁佳博;何艳静;袁昊;王雨田 - 西安电子科技大学
  • 2020-07-31 - 2022-03-01 - H01L29/45
  • 本发明公开了一种以石墨烯为扩散阻挡层的SiC基欧姆接触制备方法,包括:选取SiC衬底;对SiC衬底的背面进行预设深度的N离子注入;在SiC衬底的正面形成石墨烯/SiC结构;在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜;在SiC衬底的背面形成背面电极;通过光刻,在Au膜上形成第一转移电极图形;刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜;刻蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯;通过光刻,在SiC衬底上形成第二转移电极图形;在第二转移电极图形外的Au膜上淀积Au材料;剥离第二转移电极图形形成正面电极。本发明方法为一种切实可行的制备方案,且改善了接触电阻扩散和电迁移问题,提升了功率器件的稳定性和寿命,新结构的提出给欧姆接触技术的研究带来了启发。
  • 一种石墨扩散阻挡sic欧姆接触制备方法
  • [发明专利]一种ZrO2-CN202110403000.6在审
  • 霍朝飞;陈赛平;李琦;纪宇婷;喻经华;刘欢;张荣莉;李兴扬;唐定兴;张焕壮;过学军;黄中桂 - 安徽工程大学
  • 2021-04-15 - 2021-07-13 - C10L5/46
  • 本发明提供了一种ZrO2修饰芬顿铁泥基载氧体及其制备方法和应用,本发明以芬顿铁泥为主要原料,加入Zr(NO3)4·5H2O或Zr(NO3)4·5H2O和造孔剂,采用机械混合法制备高活性和循环稳定性的载氧体。与现有技术相比,本发明以芬顿铁泥为原材料制作化学链燃烧载氧体,即可有效解决芬顿铁泥的处置问题,使铁资源得到了有效的利用,还可以降低CO2捕集成本。单纯的Fe2O3作为化学链燃烧载氧体存在活性不高,易结焦的缺点,本发明通过添加活性化合物锆源可以提高载氧体反应性和稳定性。
  • 一种zrobasesub
  • [发明专利]一种超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法-CN202010760136.8有效
  • 胡彦飞;纪宇婷;郭辉;梁佳博;何艳静;袁昊;王雨田 - 西安电子科技大学
  • 2020-07-31 - 2021-07-02 - H01L29/45
  • 本发明公开了一种超低接触电阻SiC基欧姆接触制备方法,包括:选取SiC衬底;在SiC衬底转移石墨烯或是外延生长石墨烯形成石墨烯/SiC结构;在石墨烯/SiC结构的石墨烯上淀积Au膜;通过第一次光刻胶光刻方法在Au膜上形成第一转移电极图形;采用湿法刻蚀法刻蚀掉未被第一转移电极图形覆盖的Au膜;采用等离子体刻蚀法刻蚀掉未被Au膜覆盖的石墨烯;通过第二次光刻胶光刻方法在SiC衬底上形成第二转移电极图形;在第二转移电极图形外的Au膜上淀积Au材料;剥离第二转移电极图形形成Au电极并进行退火处理。本发明方法为一种切实可行的制备方案,石墨烯降低了与SiC界面的势垒,欧姆接触的比接触电阻率达到10‑7~10‑8量级,该制备方法可重复性高。
  • 一种接触电阻sic欧姆制备方法

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