“纪兴启”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果8个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于突触晶体管的智能日盲探测器的应用-CN202211183798.9在审
发明人：辛倩;纪兴启;宋爱民 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L31/0352 文献下载
摘要：本发明涉及一种基于突触晶体管的智能日盲探测器的应用，智能日盲探测器包括由下自上依次生长的栅电极、介质层、IGZO前沟道层、源电极和漏电极、Ga2O3背沟道层，IGZO前沟道层与Ga2O3背沟道层形成IGZO/Ga2O3异质结沟道，包括：在IGZO/Ga2O3异质结晶体管上施加光脉冲作为调制端突触刺激引起IGZO/Ga2O3异质结沟道层上电流的变化。本发明所制备的突触晶体管表现出明显的突触特性，包括双脉冲易化、短时记忆、长时记忆以及“经验式学习”行为。本发明基于突触晶体管的智能日盲探测器，成功实现了对图像信息的实时探测和记忆，为图像传感器和未来的先进机器人系统奠定了基础。
一种基于突触晶体管智能探测器应用

[发明专利]一种非晶InGaZnO异质结薄膜晶体管及其制备方法-CN202211183799.3在审
发明人：辛倩;纪兴启;宋爱民 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-17 - 主分类号： H01L29/24 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶InGaZnO异质结薄膜晶体管及其制备方法，包括由下自上依次生长的栅电极、介质层、InGaZnO前沟道层、源电极、漏电极、Ga2O3背沟道层。本发明通过引入非晶IGZO/Ga2O3异质结，既显著提升了器件的迁移率和偏压稳定性，又保证了较低的关态电流。该非晶InGaZnO异质结薄膜晶体管制备工艺简单、成本低、大面积均匀性好且制备温度较低(170℃)，因而在柔性显示与薄膜电子领域具备很好的应用价值。
一种 ingazno 异质结薄膜晶体管及其制备方法

[发明专利]一种磁控溅射非晶氧化镓光电薄膜晶体管及其制备方法与应用-CN202211183592.6在审
发明人：辛倩;纪兴启;宋爱民 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L31/0224 文献下载
摘要：本发明涉及一种磁控溅射非晶氧化镓光电薄膜晶体管及其制备方法与应用，包括由下自上依次生长的栅电极、介质层、氧化镓沟道层、源电极和漏电极；源电极和漏电极形成叉指结构。本发明在254nm的光照下，表现出优越的光电探测特性，包括响应度为2.0×105A W‑1、探测率为4.9×1018Jones及亮暗电流比大于2.9×108。在此基础上，本发明进一步基于非晶氧化镓薄膜光电晶体管制备了具有高探测灵敏度、高对比度的成像探测阵列与光控逻辑门电路。
一种磁控溅射氧化光电薄膜晶体管及其制备方法应用

[发明专利]一种非晶氧化镓肖特基日盲紫外探测器及其制备方法与应用-CN202211183558.9在审
发明人：辛倩;纪兴启;宋爱民 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶氧化镓肖特基日盲紫外探测器及其制备方法与应用，包括由下自上依次生长的a‑Ga2O3薄膜、阴极电极、阳极电极。本发明基于磁控溅射制备a‑Ga2O3薄膜，通过引入不对称肖特基结，既通过肖特基耗尽降低了关态电流(6.6×10‑12A)，提升了亮暗电流比(2.3×106)与响应速度(144/208ms)，同时保证了高响应度(1021.8A W‑1)，并基于该技术实现了大面积阵列式成像。
一种氧化镓肖特基日盲紫外探测器及其制备方法应用

[发明专利]一种非晶氧化镓异质结薄膜晶体管日盲紫外探测器及其制备方法-CN202211183577.1在审
发明人：辛倩;纪兴启;宋爱民 -专利权人：山东大学
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶氧化镓异质结薄膜晶体管日盲紫外探测器及其制备方法，包括由下自上依次生长的栅电极、介质层、IGZO前沟道层、源电极和漏电极、Ga2O3背沟道层，IGZO前沟道层与Ga2O3背沟道层形成IGZO/Ga2O3异质结沟道。本发明结合异质结与薄膜晶体管二者的优点，研制出一种非晶氧化镓异质结薄膜晶体管日盲紫外探测器，该日盲紫外探测器具有高的探测率、响应度以及亮暗电流比等优点，同时可实现对弱光的探测。本发明利用射频磁控溅射的方法制备，方法简单、均匀性好、易重复，适用工业大面积生产。
一种氧化镓异质结薄膜晶体管紫外探测器及其制备方法

[发明专利]一种大功率传导冷却封装结构巴条激光器烧结夹具及其烧结方法-CN201910149352.6有效
发明人：姚爽;王帅;纪兴启;开北超;夏伟;徐现刚 -专利权人：潍坊华光光电子有限公司
申请日： 2019-02-28 - 公布日： 2022-04-01 - 主分类号： H01S5/02315 文献下载
摘要：本发明涉及一种大功率传导冷却封装结构巴条激光器烧结夹具及其烧结方法，属于半导体激光器制造领域，包括定位底座、CS热沉、压块和巴条激光器，定位底座包括第一面和第二面，第一面和第二面相互垂直设置，第一面上设置有第一限位槽，第二面上设置有第二限位槽；压块的宽度与巴条激光器的宽度一致，压块下表面的一端设置有用于压紧巴条激光器的压紧部，压紧部的高度低于压块的高度，压紧部的尺寸与巴条激光器的尺寸相一致。本发明充分地利用了CS热沉的结构特点，简化夹具结构，不仅可以减少甚至避免“smile”现象的发生，而且通过使用扭力改锥，能够保证烧结的一致性和均匀性，提高巴条烧结的效率和合格率。
一种大功率传导冷却封装结构激光器烧结夹具及其方法

[实用新型]一种高功率半导体激光器封装烧结夹具-CN201920108825.3有效
发明人： 纪兴启;姚爽;王帅;开北超;夏伟 -专利权人：潍坊华光光电子有限公司
申请日： 2019-01-23 - 公布日： 2019-08-09 - 主分类号： H01S5/022 文献下载
摘要：一种高功率半导体激光器封装烧结夹具，将含有焊料层的热沉放置到底座中，由于底座前后两端设有凸台Ⅲ，热沉置于两个凸台Ⅲ之间的区域，从而使其在前后方向上实现定位。通过定位装置热沉推动至其左侧端插入两个卡槽Ⅱ中，实现了热沉左右方向的定位。由于U形槽的开口宽度大于巴条左侧端出光腔面的宽度且小于巴条整体宽度，因此巴条的出光腔面保持裸露，不会被挤压导致损坏，不会导致腔面破损或脱模现象，又保证了巴条与热沉相平齐。将压块放置于巴条及热沉上，通过压紧装置利用压块将巴条及热沉压紧固定在底座上。之后将装配好的夹具放置在回流炉中进行烧结。巴条及热沉精确定位，提高了烧结质量。
热沉巴条高功率半导体激光器烧结夹具烧结底座凸台压块封装夹具出光腔面定位装置前后方向压紧固定压紧装置焊料层回流炉光腔卡槽平齐腔面脱模破损挤压装配开口裸露保证

[发明专利]一种钙钛矿纳米结构等离子体激光器-CN201610636452.8有效
发明人：李国辉;崔艳霞;纪兴启 -专利权人：太原理工大学
申请日： 2016-08-05 - 公布日： 2019-01-29 - 主分类号： H01S5/20 文献下载
摘要：本发明属于微纳光子和激光技术领域，特别涉及一种钙钛矿纳米结构等离子体激光器。一种卤化铅钙钛矿等离子体激光器，包括卤化铅钙钛矿纳米片、绝缘介质层、金属基底，卤化铅钙钛矿纳米片为形状规则的正多边形结构，位于金属基底的上方，在卤化铅钙钛矿纳米片与金属基底之间有绝缘介质层，绝缘介质层与卤化铅钙钛矿纳米片的折射率之比小于0.75。本发明具有有效腔反馈、阈值低且波长可调的特性。
一种钙钛矿纳米结构等离子体激光器

1
共 8 条