“管毓崧”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果7个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种应力氮化硅层的制备方法-CN202310836724.9在审
发明人：李琳;王妍;管毓崧;高国磊;张磊;李宗旭;王晓日;梁金娥;赵正元;张守龙 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2023-07-07 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提供一种应力氮化硅层的制备方法，包括提供衬底，衬底上形成有栅极结构；将衬底放入反应腔室中，向反应腔室中通入反应气体SiH4和N2，形成覆盖栅极结构和衬底表面的氮化硅层；对氮化硅层进行后处理，以调整氮化硅层的应力。本发明制备应力氮化硅层的反应物仅为SiH4和N2，没有NH3，生成的氮化硅氢含量少，硅与氮含量较多，使得氮化硅膜层更致密，不仅可以有效的抑制水汽扩散到栅氧加剧NBTI，还可以减弱NBTI过程中Si/SiO2界面被打断的氢原子结合成氢气溢出的不可逆现象，从而提升NBTI。而且通过调整降低氮化硅层应力，可有效平衡顶层金属较大的张应力，降低晶片翘曲度，使得后续顶层金属光刻工艺时不会再有晶片拒收发生。
一种应力氮化制备方法

[发明专利]改善晶圆翘曲及负偏置温度不稳定性效应的方法-CN202211491930.2在审
发明人：李琳;王妍;管毓崧;李宗旭;梁金娥;张守龙 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-03-28 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种改善晶圆翘曲及负偏置温度不稳定性效应的方法，所述方法包括：利用化学气相沉积工艺于晶圆表面形成接触蚀刻停止层，且形成的所述接触蚀刻停止层中氢原子的含量大于8E21/cm2。通过本发明改善了现有器件负偏置温度不稳定性效应，及因接触蚀刻停止层的薄膜应力较大而导致的晶圆翘曲的问题。
改善晶圆翘曲偏置温度不稳定性效应方法

[发明专利]浅沟槽隔离结构平坦化的方法-CN202211483457.3在审
发明人：李琳;谈娟;王妍;管毓崧;唐阿鑫;李宗旭;梁金娥;张守龙 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离结构平坦化的方法，所述方法包括：提供一半导体衬底，并于所述半导体衬底内形成隔离沟槽；于所述隔离沟槽内形成填充层且所述填充层延伸至有源区；采用等离子体处理工艺将形成于所述有源区的所述填充层表面的尖角进行去除。通过本发明降低了浅沟槽隔离结构平坦化过程中有源区的尖角折断造成的晶圆表面划伤的风险。
沟槽隔离结构平坦方法

[发明专利]具有超高深宽比的深沟槽隔离结构的制作方法-CN202211397249.1在审
发明人：李琳;谈娟;王妍;管毓崧;唐阿鑫;李宗旭;梁金娥;张守龙 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-09 - 公布日： 2023-03-14 - 主分类号： H01L21/764 文献下载
摘要：本申请提供一种具有超高深宽比的深沟槽隔离结构的制作方法，包括：提供一衬底，衬底上依次形成有第一介质层、第一氮化硅层、第二介质层、第二氮化硅层和第三介质层，其中，第一氮化硅层、第一介质层和衬底中形成有浅沟槽隔离结构；刻蚀第三介质层、第二氮化硅层、第二介质层、浅沟槽隔离结构和衬底以形成深沟槽隔离结构的沟槽；在沟槽的内壁上形成衬氧化层；在沟槽中沉积第一高密度等离子体膜层；在沟槽中沉积高深宽比工艺膜层，以形成气隙；在沟槽中沉积第二高密度等离子体膜层。根据本申请，确保深沟槽隔离结构中形成的气隙的侧壁和深沟槽隔离结构的侧壁之间有足够大的距离的同时尽可能的压低气隙的高度，最大限度的提高器件的隔离电压。
具有高深深沟隔离结构制作方法

[发明专利]提高MIM电容结构击穿电压的方法-CN202211483442.7在审
发明人： 管毓崧;王妍;李琳;唐阿鑫;李宗旭;梁金娥;张守龙 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-03-07 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种提高MIM电容结构击穿电压的方法，所述方法包括：采用N‑H键含量小于2％，Si‑H键含量小于1％的氮化硅薄膜作为MIM电容结构的电介质层。通过本发明解决了现有的以减小MIM电容结构电介质层厚度来提高MIM电容的方法所导致的器件击穿电压大幅度减少的问题。
提高 mim 电容结构击穿电压方法

[发明专利]大尺寸金属结构的沟槽填充方法-CN202211491961.8在审
发明人：李琳;唐阿鑫;王妍;管毓崧;谈娟;李宗旭;梁金娥;张守龙 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-11-25 - 公布日： 2023-02-24 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：本发明公开了一种大尺寸金属结构的沟槽填充方法，包括如下步骤：S1，执行半导体器件制造的前序步骤，形成图形化的顶部金属层；S2，采用PETEOS工艺沉积第一氧化膜；S3，采用HDP工艺沉积第二氧化膜；S4，采用PETEOS工艺沉积第三氧化膜。与现有技术相比，本发明不但可以实现无孔填充，更重要是可以使填充后的器件形貌更平整有利于后续工艺SIN的沉积。
尺寸金属结构沟槽填充方法

[发明专利]改善覆盖MIM电容的层间介质层填充形态的方法-CN202211155852.9在审
发明人：王妍;唐阿鑫;管毓崧;李琳;李宗旭;梁金娥;张守龙 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2022-09-22 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：本申请提供一种改善覆盖MIM电容的层间介质层填充形态的方法，包括：提供一衬底，在衬底上形成有多个MIM电容；在衬底上形成缓冲层，覆盖MIM电容；在衬底上形成层间介质层。根据本申请，通过先沉积缓冲层再实施HDP工艺的方式形成覆盖MIM电容的层间介质层，可以有效防止层间介质层出现孔洞、裂隙等情况，显著改善层间介质层在MIM电容之间的间隙和MIM电容上下电极交界的拐角处的填充形态。
改善覆盖 mim 电容介质填充形态方法