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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]CMP研磨液及其应用、研磨方法-CN201510505083.4有效
发明人：金丸真美子;岛田友和;筱田隆 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2010-08-16 - 公布日： 2018-03-30 - 主分类号： H01L21/321 文献下载
摘要：本发明涉及一种CMP研磨液，所述研磨液含有介质和分散在所述介质中作为磨粒的二氧化硅粒子，其中，(A1)所述二氧化硅粒子的硅烷醇基密度为5.0个/nm2以下，(B1)从利用扫描型电子显微镜观察所述二氧化硅粒子的图像中选择任意的20个粒子时的二轴平均一次粒径为25～55nm，(C1)所述二氧化硅粒子的缔合度为1.1以上。由此，可提供阻挡膜的研磨速度高、并且磨粒的分散稳定性良好、能够高速研磨层问绝缘膜的CMP研磨液，以及提供微细化、薄膜化、尺寸精度、电特性优异、可靠性高且低成本的半导体基板等的制造中的研磨方法。
cmp 研磨及其应用方法

[发明专利]CMP用研磨液和研磨方法-CN201580036639.8在审
发明人： 筱田隆;太田宗宏;山村奈央;木野爱子 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2015-07-03 - 公布日： 2017-03-01 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：一种用于对绝缘材料进行研磨的CMP用研磨液，其含有满足下述条件(A)和(B)的氧化铈粒子、4‑吡喃酮系化合物、以及水。条件(A)前述氧化铈粒子的平均粒径R为大于或等于50nm且小于或等于300nm。条件(B)由使前述氧化铈粒子为具有前述平均粒径R的圆球状粒子时该圆球状粒子的比表面积S1和通过BET法测定的前述氧化铈粒子的比表面积S2给出的圆球度S2/S1为小于或等于3.15。
cmp 研磨方法

[发明专利]研磨液及使用该研磨液的基板的研磨方法-CN201610843068.5在审
发明人：太田宗宏;田中孝明;泷泽寿夫;吉川茂;松本贵彬;吉川贵浩;筱田隆 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2017-02-22 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：一种研磨液，其包含氧化铈粒子、有机酸A、具有羧酸基或羧酸盐基的高分子化合物B以及水，其中，有机酸A为丙酸，有机酸A的含量相对于研磨液总质量为0.001～1质量％，高分子化合物B的含量相对于研磨液总质量为0.01～0.50质量％，所述研磨液的pH为4.0以上7.0以下。
研磨使用方法

[发明专利]研磨液及使用该研磨液的基板的研磨方法-CN201180048658.4有效
发明人：太田宗宏;田中孝明;泷泽寿夫;吉川茂;松本贵彬;吉川贵浩;筱田隆 -专利权人：日立化成株式会社
申请日： 2011-12-22 - 公布日： 2016-10-12 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：一种研磨液，其包含氧化铈粒子、有机酸A、具有羧酸基或羧酸盐基的高分子化合物B以及水，其中，有机酸A具有从‑COOM基、‑Ph‑OM基、‑SO₃M基以及‑PO₃M₂基所组成的组中选择的至少一种基团，有机酸A的pKa小于9，有机酸A的含量相对于研磨液总质量为0.001～1质量%，高分子化合物B的含量相对于研磨液总质量为0.01～0.50质量%，所述研磨液的pH为4.0以上7.0以下。
研磨使用方法

[发明专利]CMP研磨液、基板研磨方法和电子部件-CN201210361951.2有效
发明人： 筱田隆;榎本和宏;阿久津利明 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2013-01-16 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种CMP研磨液、基板研磨方法和电子部件。所述CMP研磨液为将第1液和第2液混合使用的CMP研磨液，第1液含有包含氧化铈粒子的铈系研磨粒、分散剂和水，第2液含有聚丙烯酸化合物、表面活性剂、磷酸化合物和水，第1液的pH为7.0以上，第2液的pH为6.5以上，以磷酸化合物的含量达到规定范围的方式混合第1液和第2液。
cmp 研磨方法电子部件

[发明专利]铜研磨用研磨液及使用了其的研磨方法-CN201180017611.1有效
发明人：小野裕;筱田隆;冈田悠平 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2011-06-06 - 公布日： 2012-12-19 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明的铜研磨用研磨液含有第1有机酸成分、无机酸成分、氨基酸、保护膜形成剂、磨粒、氧化剂和水，所述第1有机酸成分是选自具有羟基的有机酸、该有机酸的盐及该有机酸的酸酐中的至少一种，所述无机酸成分是选自2价以上的无机酸及该无机酸的盐中的至少一种，以铜研磨用研磨液整体为基准计，无机酸成分以无机酸换算的含量为0.15质量%以上，氨基酸的含量为0.30质量%以上，保护膜形成剂的含量为0.10质量%以上，第1有机酸成分以有机酸换算的含量相对于保护膜形成剂的含量的比率为1.5以上。
研磨使用方法

[发明专利]CMP用研磨液以及研磨方法-CN201210225793.8有效
发明人： 筱田隆;田中孝明;金丸真美子;天野仓仁 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2009-04-16 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： H01L21/3105 文献下载
摘要：本发明涉及CMP用研磨液以及研磨方法。本发明还涉及CMP用研磨液的应用，该CMP用研磨液包含介质和分散在介质中的胶态二氧化硅粒子，胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。（1）从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径（R1）为35～55nm；（2）与在（1）中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为S0，通过BET法测定的胶态二氧化硅粒子的比表面积为S1，用S0去除S1所得到的值为1.20以下；（3）在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的胶态二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）与在（1）中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。
cmp 研磨以及方法

[发明专利]CMP用研磨液以及研磨方法-CN201210226495.0有效
发明人： 筱田隆;田中孝明;金丸真美子;天野仓仁 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2009-04-16 - 公布日： 2012-11-07 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明涉及CMP用研磨液以及研磨方法，该CMP用研磨液包含介质、分散在前述介质中的胶态二氧化硅粒子、氧化金属溶解剂、金属防蚀剂和氧化剂，胶态二氧化硅粒子满足以下3个条件的全部。（1）从通过扫描电子显微镜观察任意20个粒子所得到的图像中得到的二轴平均一次粒径（R1）为35～55nm；（2）与在（1）中求得的R1相同粒径的正球体的比表面积计算值为S0，通过BET法测定的胶态二氧化硅粒子的比表面积为S1，用S0去除S1所得到的值为1.20以下；（3）在CMP用研磨液中，通过动态光散射方式粒度分布计测定的胶态二氧化硅粒子的二次粒径（Rs）与在（1）中求得的R1的比Rs/R1为1.30以下。
cmp 研磨以及方法

[发明专利]铜研磨用研磨剂的应用-CN201210135608.6无效
发明人：小野裕;筱田隆;冈田悠平 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2010-02-12 - 公布日： 2012-10-03 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：铜研磨用研磨剂，其含有(A)二元以上的无机酸、(B)氨基酸、(C)保护膜形成剂、(D)磨粒、(E)氧化剂和(F)水，(A)成分的含量为0.08摩尔/千克以上，(B)成分的含量为0.20摩尔/千克以上，(C)成分的含量为0.02摩尔/千克以上，满足下述(i)和(ii)的至少一者。(i)(A)成分的含量与(C)成分的含量的比率为2.00以上。(ii)还含有(G)选自有机酸及其酸酐中的至少一种。
研磨研磨剂应用

[发明专利]金属用研磨液及其应用-CN201210144194.3有效
发明人：天野仓仁;樱田刚史;安西创;筱田隆;野部茂 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2008-02-22 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种金属用研磨液及其应用。所述金属用研磨液含有研磨粒、氧化金属溶解剂、有机溶剂和水，所述研磨粒包括平均2次粒径为5～39nm的第一研磨粒和平均2次粒径为40～300nm的第二研磨粒，所述金属用研磨液的pH为2～5。
金属研磨及其应用

[发明专利]铜研磨用研磨剂和使用了其的研磨方法-CN201210135053.5无效
发明人：小野裕;筱田隆;冈田悠平 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2010-02-12 - 公布日： 2012-09-26 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：铜研磨用研磨剂，其含有(A)二元以上的无机酸、(B)氨基酸、(C)保护膜形成剂、(D)磨粒、(E)氧化剂和(F)水，(A)成分的含量为0.08摩尔/千克以上，(B)成分的含量为0.20摩尔/千克以上，(C)成分的含量为0.02摩尔/千克以上，满足下述(i)和(ii)的至少一者。(i)(A)成分的含量与(C)成分的含量的比率为2.00以上。(ii)还含有(G)选自有机酸及其酸酐中的至少一种。
研磨研磨剂使用方法

[发明专利]CMP研磨液、基板研磨方法和电子部件-CN201080028913.4有效
发明人： 筱田隆;榎本和宏;阿久津利明 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2010-12-10 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：本发明的CMP研磨液为将第1液和第2液混合使用的CMP研磨液，第1液含有铈系研磨粒、分散剂和水，第2液含有聚丙烯酸化合物、表面活性剂、pH调整剂、磷酸化合物和水，第2液的pH为6.5以上，以磷酸化合物的含量达到规定范围的方式混合第1液和第2液。此外，本发明的CMP研磨液含有铈系研磨粒、分散剂、聚丙烯酸化合物、表面活性剂、pH调整剂、磷酸化合物和水，磷酸化合物的含量在规定范围。
cmp 研磨方法电子部件

[发明专利]CMP研磨液和研磨方法-CN201080022988.1有效
发明人：金丸真美子;岛田友和;筱田隆 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2010-08-16 - 公布日： 2012-05-09 - 主分类号： H01L21/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种CMP研磨液，所述研磨液含有介质和分散在所述介质中作为磨粒的二氧化硅粒子，其中，(A1)所述二氧化硅粒子的硅烷醇基密度为5.0个/nm2以下，(B1)从利用扫描型电子显微镜观察所述二氧化硅粒子的图像中选择任意的20个粒子时的二轴平均一次粒径为25～55nm，(C1)所述二氧化硅粒子的缔合度为1.1以上。由此，可提供阻挡膜的研磨速度高、并且磨粒的分散稳定性良好、能够高速研磨层间绝缘膜的CMP研磨液，以及提供微细化、薄膜化、尺寸精度、电特性优异、可靠性高且低成本的半导体基板等的制造中的研磨方法。
cmp 研磨方法

[发明专利]金属膜用研磨液及研磨方法-CN201110208059.6有效
发明人：田中孝明;深泽正人;野部茂;樱田刚史;筱田隆 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2008-07-04 - 公布日： 2012-02-15 - 主分类号： C09G1/02 文献下载
摘要：本发明提供一种金属膜用研磨液及研磨方法。该金属膜用研磨液包含磨粒、由甲基丙烯酸系聚合物构成的水溶性聚合物和水，其能够维持对层间绝缘膜的良好的研磨速度，同时抑制侵蚀和裂缝的发生，使得被研磨面的平坦性高。
金属膜研磨方法

[发明专利]铜研磨用研磨剂和使用了其的研磨方法-CN201080007580.7无效
发明人：小野裕;筱田隆;冈田悠平 -专利权人：日立化成工业株式会社
申请日： 2010-02-12 - 公布日： 2012-01-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：铜研磨用研磨剂，其含有(A)二元以上的无机酸、(B)氨基酸、(C)保护膜形成剂、(D)磨粒、(E)氧化剂和(F)水，(A)成分的含量为0.08摩尔/千克以上，(B)成分的含量为0.20摩尔/千克以上，(C)成分的含量为0.02摩尔/千克以上，满足下述(i)和(ii)的至少一者。(i)(A)成分的含量与(C)成分的含量的比率为2.00以上。(ii)还含有(G)选自有机酸及其酸酐中的至少一种。
研磨研磨剂使用方法

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