专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]层叠型电子部件-CN202010689062.3有效
  • 笹林武久;五味健二郎;木村健二;大岛航 - 株式会社村田制作所
  • 2020-07-16 - 2022-12-09 - H01G4/12
  • 本发明提供一种层叠型电子部件。电介质层具有存在作为稀土类元素的Re固溶了的第1区域R1和Re未固溶的第2区域R2的多个晶粒。多个晶粒的中值直径相对于电介质层的平均厚度的比t为0.5~0.7。在电介质层的剖面中,第1区域的剖面面积之和相对于多个晶粒的剖面面积之和的比s为0.7~0.9。在电介质层中,在将Ti、Zr以及Hf的合计量设为100摩尔份时,Zr的量和Hf的量之和a为0~1.0。Si的量b为0.1~1.0。Re的量c为0.5~10.0。Ba和Re的合计量相对于Ti、Zr以及Hf的合计量的比m为0.990~1.050。
  • 层叠电子部件
  • [发明专利]层叠陶瓷电容器-CN202110273478.1有效
  • 笹林武久;岛田泰之;村西直人;幸川进一 - 株式会社村田制作所
  • 2021-03-12 - 2022-07-01 - H01G4/12
  • 本发明提供一种层叠陶瓷电容器。端面外层部的电介质陶瓷层中的基于激光ICP的Mn/Ti峰值强度比处于有效部的中央部的Mn/Ti峰值强度比的2倍以上且15倍以下的范围,端面外层部的电介质陶瓷层中的基于激光ICP的稀土类/Ti峰值强度比处于有效部的中央部的稀土类/Ti峰值强度比的2倍以上且7倍以下的范围,侧面外层部的电介质陶瓷层中的基于TEM‑EDX的Si/Ti峰值强度比处于有效部的中央部的Si/Ti峰值强度比的2倍以上且5倍以下的范围,侧面外层部的电介质陶瓷层中的基于激光ICP的稀土类/Ti峰值强度比处于有效部的中央部的稀土类/Ti峰值强度比的2倍以上且7倍以下的范围。
  • 层叠陶瓷电容器
  • [发明专利]层叠陶瓷电容器-CN202110993386.0在审
  • 矶田信弥;笹林武久;内田和久;桥本英之;大岛优汰 - 株式会社村田制作所
  • 2021-08-26 - 2022-04-12 - H01G4/30
  • 一种层叠陶瓷电容器,具备:素体部,具有两个主面、两个侧面及两个端面,包括在厚度方向上层叠的多个电介质层及多个内部电极层;和一对外部电极,分别设置于两个端面,与多个内部电极层电连接,在将素体部区分为内层、两个外层和两个侧边缘部时,内层及两个外层各自中的电介质层具有包含钡及钛的主晶粒,并且相对于钛100mol份包含0.2mol份以上且3.0mol份以下的镍及0.6mol份以上且2.0mol份以下的从由钇、镨、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱及镏构成的组中选择的至少一种稀土类元素,在将由从两个外层、两个侧边缘部分别与内层相接的界面向内部方向分离了50μm的距离的面包围的区域设为内部区域时,内部区域中的电介质层的镁的量相对于钛100mol份为0.05mol份以下。
  • 层叠陶瓷电容器
  • [发明专利]电子部件的制造方法-CN201710332288.6有效
  • 土井章孝;笹林武久;绪方直明 - 株式会社村田制作所
  • 2017-05-11 - 2019-12-20 - H01B1/22
  • 提供能够抑制多余的浸润爬升及片侵蚀的产生的导电性膏、及使用了该导电性膏的可靠性高的电子部件的制造方法。包含导电性粒子及溶剂的导电性膏,其中溶剂的汉森溶解度参数的氢键项δh为15以上、且极化项δp为7以上,溶剂的汉森溶解度参数的SP值为24以上且39以下。电子部件的制造方法具备:准备包含汉森溶解度参数的氢键项δh为9以上11以下的粘合剂的陶瓷生片和内部电极用的电极材料层被层叠而成的未烧成的层叠体的工序;以及将本发明的导电性膏涂敷于未烧成的层叠体的工序。
  • 导电性电子部件制造方法
  • [发明专利]层叠型陶瓷电子元件-CN201410125949.4有效
  • 笹林武久;元木章博;小川诚 - 株式会社村田制作所
  • 2014-03-31 - 2017-04-12 - H01G4/12
  • 在通过在元件主体的规定的面上直接实施镀敷来形成层叠陶瓷电容器的外部电极时,存在成为外部电极的镀敷膜对元件主体的粘着力低的情况。为此本发明提供一种层叠型陶瓷电子元件,其中外部电极(16)包括按照覆盖由多个内部电极(4)的露出部形成的露出部分布区域(18)的方式,通过无电解镀敷直接形成在元件主体(2)上的第1镀敷层(20);和通过电解镀敷,按照覆盖第1镀敷层(20)的方式而形成的第2镀敷层(21)。在从露出部分布区域(18)的边缘到第1镀敷层(20)的边缘的距离、即第1镀敷伸展量E1,与从第1镀敷层(20)的边缘到第2镀敷层(21)的边缘的距离、即第2镀敷伸展量E2之间,E1/(E1+E2)≤20%的关系成立。
  • 层叠陶瓷电子元件
  • [发明专利]层叠陶瓷电容器-CN201510408035.3在审
  • 笹林武久;中村友幸;石原雅之;矢尾刚之 - 株式会社村田制作所
  • 2008-07-29 - 2015-12-09 - C04B35/468
  • 本发明实现一种介电陶瓷及层叠陶瓷电容器,所述介电陶瓷具有良好的交流(AC)电压特性,此外可维持所需的介电特性和良好的温度特性,且耐电压性也良好,从而能确保可靠性。本发明的介电陶瓷以BaTiO3系化合物作为主要成分,并由下述通式表示:100AmBO3+aNiO+bROn+cMOv+dMgO+eXOw(其中,R为Dy等的稀土类元素,M为Mn等的金属元素,X为含有Si的烧结助剂成分)。Ni均匀固溶于晶粒内,且稀土类元素在晶粒中的固溶区域以截面面积比计为平均10%以下,并满足0.96≤m≤1.030、0.05≤a≤3、0.1≤b≤1.5、0.1≤c≤1.0、0.1≤d≤1.5、0.05≤e≤3.5。本发明的层叠陶瓷电容器由上述介电陶瓷形成电介质层(1a~1g)。
  • 层叠陶瓷电容器
  • [发明专利]电子部件-CN201110113132.1有效
  • 笹林武久;谷口拓巳 - 株式会社村田制作所
  • 2011-04-28 - 2011-12-21 - H01G4/30
  • 本发明提供一种不仅减小ESR而且能够抑制分层的发生的电子部件。层叠体12是通过多个绝缘体层16层叠而构成。电容导体18a内装于层叠体12内,且在层叠体12的表面具有从绝缘体层16间露出的露出部26a。电容导体18b内装于层叠体12内,且在层叠体12的表面具有从绝缘体层16间露出的露出部26b。电容导体18a、18b构成电容器C。外部电极分别以覆盖露出部26a、26b的方式直接在层叠体12的表面通过镀敷来形成。从y轴方向俯视时,露出部26a、26b的长度分别为绝缘体层16的外缘的长度的35%以上45%以下。
  • 电子部件
  • [发明专利]介电陶瓷以及层叠陶瓷电容器-CN200880108059.5无效
  • 笹林武久;中村友幸;石原雅之;矢尾刚之 - 株式会社村田制作所
  • 2008-07-29 - 2010-08-11 - C04B35/46
  • 本发明实现一种介电陶瓷及层叠陶瓷电容器,所述介电陶瓷具有良好的交流(AC)电压特性,此外可维持所需的介电特性和良好的温度特性,且耐电压性也良好,从而能确保可靠性。本发明的介电陶瓷以BaTiO3系化合物作为主要成分,并由下述通式表示:100AmBO3+aNiO+bROn+cMOv+dMgO+eXOw(其中,R为Dy等的稀土类元素,M为Mn等的金属元素,X为含有Si的烧结助剂成分)。Ni均匀固溶于晶粒内,且稀土类元素在晶粒中的固溶区域以截面面积比计为平均10%以下,并满足0.96≤m≤1.030、0.05≤a≤3、0.1≤b≤1.5、0.1≤c≤1.0、0.1≤d≤1.5、0.05≤e≤3.5。本发明的层叠陶瓷电容器由上述介电陶瓷形成电介质层(1a~1g)。
  • 陶瓷以及层叠电容器
  • [发明专利]电介质陶瓷及叠层陶瓷电容器-CN200880005940.2有效
  • 笹林武久;中村友幸;矢尾刚之;石原雅之 - 株式会社村田制作所
  • 2008-02-14 - 2010-03-17 - C04B35/46
  • 本发明提供一种电介质陶瓷以及使用该电介质陶瓷的叠层陶瓷电容器,该电介质陶瓷的AC电压特性良好,能维持所需的较大电介常数及良好的温度特性,电介损失亦较小,且能确保可靠性。本发明的电介质陶瓷由通式:100BamTiO3+aROn+bMOv+cXOw(R为Dy、La等规定的稀土类元素,M为Mn、Mg等规定的金属元素,n、v及w为根据元素R、M以及烧结助剂成分X的价数所唯一决定的正数)表示,主相粒子中所述副成分的固溶区域的剖面积比平均为10%以下(包含0%),烧结助剂成分X至少含有Si。m、a、b、c为0.995≤m≤1.030、0.1≤a≤2.0、0.1≤b≤3.0、0.1≤c≤5.0。叠层陶瓷电容器的电介质层1a~1g是藉由所述电介质陶瓷所形成。
  • 电介质陶瓷电容器

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