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[发明专利]层叠陶瓷电子部件-CN202110293413.3有效
发明人： 桥本英之;上野健之 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-03-18 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01G4/008 文献下载
摘要：本发明提供一种抑制构成电介质层的晶粒内的氧空穴的移动并具有高可靠性的层叠陶瓷电子部件。层叠陶瓷电子部件具备包含层叠的电介质层和内部电极层的层叠体。电介质层具备包含Ba、Ti的多个电介质粒子。而且，层叠陶瓷电子部件在电介质粒子的界面存在由第1元素构成的第1浓缩区域，在从第1浓缩区域起50nm以内的界面存在由第1元素构成的第2浓缩区域。
层叠陶瓷电子部件

[发明专利]层叠型电子零件-CN202010583657.0有效
发明人： 桥本英之;上野健之 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：本发明提供一种层叠型电子零件，其具备包含经层叠的多个电介质层和多个内部电极层的层叠体，多个电介质层具有多个晶粒，多个晶粒的至少一部分在晶粒内具有俘获部，具有俘获部的晶粒包含选自Ni、Cu、Pt、Sn、Pd和Ag中的至少一种元素，该元素偏在于俘获部。
层叠电子零件

[发明专利]层叠型电子部件以及层叠型电子部件的制造方法-CN202010583658.5有效
发明人： 桥本英之 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-06-23 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：提供一种层叠型电子部件以及层叠型电子部件的制造方法。层叠型电子部件具备层叠体，层叠体包含层叠的多个电介质层和多个内部电极层，多个电介质层具有包含第1相的多个晶粒，内部电极层具有第1内部电极层以及第2内部电极层，层叠体具有多个内部电极层分别隔着电介质层而相对的电极相对部和包围电极相对部的外周部，外周部在多个晶粒的晶界的至少一部分还具有：第2相，其包含Sn、Cu、Fe、Ni、Cr、Mn、V、Al以及P中的至少一者，且与第1相不同。
层叠电子部件以及制造方法

[发明专利]层叠陶瓷电容器-CN202110993386.0在审
发明人：矶田信弥;笹林武久;内田和久;桥本英之;大岛优汰 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2021-08-26 - 公布日： 2022-04-12 - 主分类号： H01G4/30 文献下载
摘要：一种层叠陶瓷电容器，具备：素体部，具有两个主面、两个侧面及两个端面，包括在厚度方向上层叠的多个电介质层及多个内部电极层；和一对外部电极，分别设置于两个端面，与多个内部电极层电连接，在将素体部区分为内层、两个外层和两个侧边缘部时，内层及两个外层各自中的电介质层具有包含钡及钛的主晶粒，并且相对于钛100mol份包含0.2mol份以上且3.0mol份以下的镍及0.6mol份以上且2.0mol份以下的从由钇、镨、钕、钐、铕、钆、铽、镝、钬、铒、铥、镱及镏构成的组中选择的至少一种稀土类元素，在将由从两个外层、两个侧边缘部分别与内层相接的界面向内部方向分离了50μm的距离的面包围的区域设为内部区域时，内部区域中的电介质层的镁的量相对于钛100mol份为0.05mol份以下。
层叠陶瓷电容器

[发明专利]层叠陶瓷电容器-CN202010215489.X有效
发明人： 桥本英之 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-03-24 - 公布日： 2022-01-14 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：层叠陶瓷电容器具备：陶瓷坯体，包含被层叠的多个电介质层和多个内部电极，并具有在层叠方向上相对的主面、在宽度方向上相对的侧面、和在长度方向上相对的端面；和外部电极，与内部电极电连接，设置在陶瓷坯体的两端面。在电介质层包含Si以及Mg之中的至少一种元素。在陶瓷坯体的长度方向的中央部的位置的由宽度方向以及层叠方向规定的剖面中，关于在俯视下电介质层的10μm×10μm的矩形区域内包含的至少一种元素的量，与宽度方向中央部相比宽度方向外侧更高，距内部电极的宽度方向的端部为10μm的范围内的内部电极的连续性在95％以上。
层叠陶瓷电容器

[发明专利]层叠型电子部件以及层叠型电子部件的制造方法-CN202010594478.7有效
发明人： 桥本英之 -专利权人：株式会社村田制作所
申请日： 2020-06-24 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01G4/12 文献下载
摘要：提供一种层叠型电子部件以及层叠型电子部件的制造方法。层叠型电子部件具备包含层叠的多个电介质层和多个内部电极层的层叠体，多个电介质层具有包含钙钛矿型化合物的多个晶粒，该钙钛矿型化合物包含Ba、第1以及第2稀土类元素而构成，第1稀土类元素的正3价的离子半径和Ba的正2价的离子半径的差小于第2稀土类元素的正3价的离子半径和Ba的正2价的离子半径的差，多个晶粒的至少一部分具有沿着晶粒的晶界而设的第1区域、和位于晶粒的中央部的第2区域，第1区域中的第1稀土类元素的量和第2稀土类元素的量的和多于第2区域中的第1稀土类元素的量和第2稀土类元素的量的和。
层叠电子部件以及制造方法

[发明专利]输入坐标处理方法-CN200910008691.9有效
发明人： 桥本英之;北山茂寿 -专利权人：任天堂株式会社
申请日： 2005-12-29 - 公布日： 2010-02-24 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供一种输入坐标处理方法，由根据用户的操作而从定点设备输出的输入坐标，来在构成显示装置的第一显示部及第二显示部上逐个显示画面，包括：输入坐标存储步骤，根据从定点设备输出的输入坐标，来检测并存储基于显示装置所显示的图像的显示坐标系的坐标信息；基准坐标存储步骤，将在输入坐标存储步骤中存储的一系列坐标信息中的最初坐标信息，设定为基准坐标，并予以存储；处理步骤，基于一系列坐标信息中的至少一个坐标信息，来取得显示图像；显示控制步骤，在以基准坐标为基准，显示坐标系中的一系列坐标信息所示的操作方向，表示从第一显示部的位置朝向第二显示部的位置的基准方向时，在第二显示部上显示在处理步骤中取得的显示图像。
输入坐标处理方法

[发明专利]输入坐标处理方法-CN200510132954.9有效
发明人： 桥本英之;北山茂寿 -专利权人：任天堂株式会社
申请日： 2005-12-29 - 公布日： 2006-10-11 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：一种输入坐标处理方法，其根据从定点设备输出的输入坐标，来检测一系列的坐标信息，并设定基准坐标。在最后的坐标信息表示基准区域之外的区域内时，基于从基准坐标向该最后的坐标信息所示的区域的方向来决定处理。此外，在部分坐标信息表示了基准区域之外的区域内之后，在最后的坐标信息表示基准区域内时，基于在基准坐标及部分坐标信息所示的区域往复的方向的组合，来决定处理。
输入坐标处理方法