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[发明专利]蒸发源装置、蒸镀装置及蒸发源装置的控制方法-CN202110549052.4有效
发明人： 竹见崇;市原正浩;山田尚人 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2021-05-20 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及蒸发源装置、蒸镀装置及蒸发源装置的控制方法，提供一种能够使蒸镀速率在蒸镀时长期稳定的技术。一种蒸发源装置，具备：容器，所述容器收容有蒸镀材料；加热部件，所述加热部件具有第一加热部和第二加热部，所述第一加热部对容器的包含有蒸镀材料的放出口的上部区域进行加热，所述第二加热部对容器的包含有底部的下部区域进行加热；以及控制部件，所述控制部件控制加热部件的加热输出，其特征在于，相对于蒸镀期间中的第一时间点的第一加热部的加热输出，控制部件使蒸镀期间中的比第一时间点靠后的第二时间点的第一加热部的加热输出增大。
蒸发装置控制方法

[发明专利]成膜装置及成膜方法-CN202310017437.5在审
发明人：菅原由季;竹见崇 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2023-01-06 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C23C14/24 文献下载
摘要：本发明涉及成膜装置及成膜方法，当在成膜装置中进行多层成膜时，抑制成膜质量的降低。成膜装置具备一边移动一边在基板上进行成膜的蒸发源单元。蒸发源单元包含分别放出蒸镀物质的第一蒸发源、第二蒸发源及第三蒸发源。在蒸发源单元的成膜时的移动方向上依次排列有第一蒸发源、第二蒸发源、第三蒸发源。移动方向上的第一蒸发源及第二蒸发源之间的距离比移动方向上的第二蒸发源及第三蒸发源之间的距离长。
装置方法

[发明专利]基板处理装置以及成膜装置-CN201811273183.9有效
发明人：阿部可子;渡部新;阿部大和;竹见崇 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置以及成膜装置，在使用了反溅射原理的基板表面处理中，能够对被处理面整个区域进行均匀的处理。该基板处理装置(14)具备：配置有基板(2)并且被导入放电气体的腔室(41)；在腔室内保持基板的基板保持架(42)；在腔室内支承基板保持架的基板保持架支承部(43)；以及将基板保持架作为阴极，且至少将腔室以及基板保持架支承部作为阳极，对基板施加电压的电压施加部件(44)，通过向基板的表面照射离子或电子，进行基板的表面处理，所述离子或电子通过由电压施加部件的电压施加产生的放电而在腔室内产生，其中，基板保持架和基板保持架支承部经由相对于基板保持架以及基板保持架支承部电绝缘的浮动部(50)连结。
处理装置以及

[发明专利]溅射成膜装置和溅射成膜方法-CN201811070855.6有效
发明人： 竹见崇;青沼大介;阿部大和;渡部新 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供溅射成膜装置和溅射成膜方法，能够不用分开不同腔室地成膜2层结构的层叠膜，且能够提高生产效率。为了防止来自各靶的靶粒子的飞散区域重叠，一对靶单元在与上述被处理基板的相对移动方向上隔着规定间隔并列地配置，一对靶单元成为一体而同时移动，在利用位于相对移动方向的先头侧的靶单元形成在上述被处理基板上的第1层的膜上，利用位于后方的靶单元层叠第2层的膜。
溅射装置方法

[发明专利]基板处理装置及其控制方法、成膜装置、电子零件的制造方法-CN201811529181.1有效
发明人：阿部可子;渡部新;阿部大和;竹见崇 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2018-12-14 - 公布日： 2022-10-28 - 主分类号： C23C14/02 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置及其控制方法、成膜装置、电子零件的制造方法，能够高效地进行相对于基板的面的表面处理。基板处理装置具有：支承部件，支承基板；第1离子源和第2离子源，以两者之间夹着所述基板的位置关系配置；以及控制部件，进行以下的控制：一边使由所述支承部件支承的一张基板或由所述支承部件以各自的处理面的相反面彼此相向的方式支承的两张基板与所述第1离子源以及第2离子源在沿着基板的面的第1方向上相对地移动，一边相对于所述一张基板的两侧的处理面或所述两张基板的各自的所述处理面，从所述第1离子源以及第2离子源照射离子束。
处理装置及其控制方法电子零件制造

[发明专利]溅射装置-CN201811070874.9有效
发明人：三泽启太;阿部大和;渡部新;竹见崇;青沼大介 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：提供一种抑制冷却液附着于磁铁的溅射装置，在靶(100A)和形成由靶100A的构成原子形成的薄膜的基板(50)之间形成磁场的状态下进行溅射的磁控溅射方式的溅射装置(1)，其特征在于，具有：圆筒状的靶(100A)，设置于与基板(50)相对的位置，且在溅射时旋转；冷却液流路，流过冷却靶(100A)的冷却液；以及设置于靶(100A)内的密闭容器，形成所述磁场的磁铁(151)配置于密闭容器(100C)内，从而与所述冷却液流路隔离。
溅射装置

[发明专利]溅射装置及其控制方法-CN201811070888.0有效
发明人：三泽启太;中村谕;青沼大介;渡部新;阿部大和;竹见崇 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供能够将用于使靶旋转的驱动源的动力也利用于其它的用途的溅射装置及其控制方法。溅射装置是磁控管溅射方式的溅射装置，具备：马达(500)；通过马达(500)而旋转的旋转轴(510)；通过由第1驱动机构传递旋转轴(510)的旋转动力而旋转的靶(110)；以及设于靶(110)的内部的磁铁，该溅射装置在靶(110)与基于靶(110)的构成原子形成薄膜的基板之间形成由上述磁铁产生的磁场的状态下进行溅射，其特征在于，该溅射装置设有与第1驱动机构不同的、传递旋转轴(510)的旋转动力的第2驱动机构。
溅射装置及其控制方法

[发明专利]成膜方法及成膜装置-CN202011385928.8在审
发明人： 竹见崇;阿部可子 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2020-12-01 - 公布日： 2021-06-18 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：本发明提供在形成有凸部和凹部的基板表面形成薄膜时能够抑制空隙的产生的成膜方法及成膜装置。该成膜方法是对沿着与第一方向交叉的第二方向交替地形成有在所述第一方向上延伸的凸部和在所述第一方向上延伸的凹部的基板(10)进行成膜的成膜方法，包括：一边在所述第二方向上搬送基板(10)一边形成薄膜的工序；一边使形成有所述薄膜的基板(10)在所述第二方向上搬送，一边向基板(10)照射第一蚀刻用射束而进行蚀刻的第一蚀刻工序；以及一边使被所述第一蚀刻用射束照射了的基板(10)在所述第二方向上搬送，一边从与所述第一蚀刻用射束不同的照射方向向基板(10)照射第二蚀刻用射束而进行蚀刻的第二蚀刻工序。
方法装置

[发明专利]掩模吸附装置-CN201710518667.4有效
发明人： 竹见崇;青沼大介 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2017-06-30 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供一种通用性高的掩模吸附装置，其不需要按照掩模图案不同的各种掩模中的每一种掩模来变更磁铁排列而能够使各种掩模良好地吸附于基板。该掩模吸附装置设置在基板(1)的背面侧，并通过磁力使在基板(1)的表面侧设置的掩模(2)吸附于该基板(1)，其中，与所述掩模(2)相对的面成为N极的N极部(3)和与所述掩模(2)相对的面成为S极的S极部(4)周期性地配设而构成的磁铁列(5)将其长边方向对齐，并且空出间隔地在能与所述掩模(2)相对的整个区域并列设置，成为如下的状态：该磁铁列(5)的所述N极部(3)及所述S极部(4)的排列相位在相邻的所述磁铁列(5)彼此间进行错开。
吸附装置

[发明专利]成膜系统、磁性体部以及膜的制造方法-CN201611050493.5有效
发明人：河野贵志;佐藤享;竹见崇 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2016-11-23 - 公布日： 2020-03-27 - 主分类号： C23C14/04 文献下载
摘要：本发明提供成膜系统、磁性体部以及膜的制造方法。形成了这样的成膜装置：不会产生膜质量不均且能够使掩模长期紧密贴合于基板，另外，能够以1个腔室应对多种掩模图案，而且，即使在改变掩模的情况下也无需更换磁铁等，不会导致装置成本升高且能够实现装置运转率的提高。一种成膜系统，其在利用配置于基板的与具有开口的掩模相反的一侧的磁铁将所述掩模向基板侧吸引的状态下在所述基板上形成膜，其中，在所述磁铁与所述基板之间设置有磁性体部，所述磁性体部使得与所述掩模的开口部对应的区域中的所述磁铁的磁力小于与所述掩模的非开口部对应的区域中的所述磁铁的磁力。
系统磁性以及制造方法

[发明专利]基板加热装置及成膜装置-CN201811070886.1在审
发明人：渡部新;阿部大和;阿部可子;竹见崇;青沼大介 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-07-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及基板加热装置及成膜装置。基板加热装置(120)具备：加热室(12)，所述加热室(12)具有用于取出或放入基板的出入口(110、130)；可动底板(122)，所述可动底板(122)能够在加热室(12)的内部移动，并能够移动到能够从出入口(110、130)相对于加热室(12)取出或放入基板的第一位置和所载置的基板(2)的延伸方向从出入口(110、130)偏离的第二位置；加热器(121)，所述加热器(121)以与载置于可动底板(122)的基板(2)的面相向的方式设置于可动底板(122)；及反射器(123a、123b)，所述反射器(123a、123b)相向配置在加热室(12)的内部，并且在可动底板(122)位于第二位置时与载置于可动底板(122)的基板(2)的端部分别相向。
底板可动加热室基板基板加热装置出入口加热器成膜装置第二位置反射器放入取出第一位置方式设置相向配置移动相向载置偏离延伸

[发明专利]溅射成膜装置和溅射成膜方法-CN201811070882.3在审
发明人：渡部新;竹见崇 -专利权人：佳能特机株式会社
申请日： 2018-09-14 - 公布日： 2019-07-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本发明提供溅射成膜装置和溅射成膜方法，能够不用分开不同腔室地成膜2层结构的层叠膜，而且，以均匀的膜厚成膜。一对靶单元在与被处理基板相对移动的方向上隔着规定间隔并列地配置，电源是能够将极性彼此相反的电压波形向一对靶单元输出的双极电源，在被处理基板上成膜的期间，向一方的靶单元的电极构件至少施加负的波形部分而使其作为阴极发挥功能，向另一方的靶单元的电极构件施加正的波形部分且遮断负的波形部分而使其作为阳极发挥功能。
溅射成膜被处理基板电极构件成膜施加阴极阳极电压波形间隔并列双极电源相对移动层叠膜层结构膜厚腔室遮断电源输出配置

[发明专利]膜沉积装置和膜沉积方法-CN201610245080.6在审
发明人：村上泰夫;星野和弘;佐藤亨;竹见崇;中村谕;熊木智洋 -专利权人：佳能特机株式会社;佳能株式会社
申请日： 2016-04-19 - 公布日： 2016-11-02 - 主分类号： C23C14/35 文献下载
摘要：本公开内容涉及膜沉积装置和膜沉积方法。膜沉积装置包括：真空室；圆柱靶，该靶的圆周面与基板相对，并且该靶在真空室中被设置为与基板的传送方向相交；驱动单元，其被配置为旋转地驱动靶；磁场产生器，其设置在靶的内侧；反应性气体流出单元，其被配置为流出反应性气体，该反应性气体流出单元设置在靶的附近；光发射监视器，其被配置为监视在基板和靶之间的位置处且在靶附近的等离子体的光发射强度；以及控制单元，其被配置为控制由驱动单元驱动的靶的旋转速度，以使得由光发射监视器监视的光发射强度接近预设的目标光发射强度。
沉积装置方法

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