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[发明专利]基板处理装置、电极以及半导体装置的制造方法-CN202310189188.8在审
发明人： 竹田刚;原大介;中条博史;土仓伊一郎 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2023-02-22 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供能够进行更均匀的基板处理的技术。提供一种电极的技术，该电极是用于产生等离子体的电极，具有第一电极组和第二电极组，第一电极组由被施加任意电位的至少一个第一电极、被施加任意电位且长度与上述第一电极的长度不同的至少一个第二电极、以及被分配基准电位的至少一个第三电极构成，第二电极组由被施加任意电位的至少一个第四电极、被施加任意电位且长度与上述第四电极的长度不同的至少一个第五电极、以及被分配基准电位的至少一个第六电极构成。
处理装置电极以及半导体制造方法

[发明专利]半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质-CN201810386517.7有效
发明人： 竹田刚;大桥直史;菊池俊之 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-04-26 - 公布日： 2023-09-22 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及半导体器件的制造方法、衬底处理装置及记录介质。要解决的课题为提供能够实现良好特性的器件的技术。半导体器件的制造方法具有下述工序：将形成布线层的衬底搬入处理室的工序；和形成层叠蚀刻阻挡膜的工序，其中，向衬底供给含第一元素的气体和含第二元素的气体，形成包含第一元素和第二元素的第一蚀刻阻挡膜，在第一蚀刻阻挡膜之上，供给含第一元素的气体、含第二元素的气体和含第三元素的气体从而形成包含第一元素、第二元素和第三元素的第二蚀刻阻挡膜，由此形成层叠蚀刻阻挡膜。
半导体器件制造方法衬底处理装置记录介质

[发明专利]基板处理方法、半导体装置的制造方法、基板处理装置以及程序-CN202180085133.1在审
发明人：平祐树;竹田刚;门岛胜 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2023-08-15 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：具有通过进行预定次数的循环，在基板上形成膜的工序，所述循环包括：对处理容器内的基板供给原料气体的工序a；将含氮和氢气体激发为等离子体状态而供给至所述处理容器内的所述基板的工序b；以及将惰性气体激发为等离子体状态而供给至所述处理容器内的所述基板的工序c，使工序c中的所述处理容器内的压力比工序b中的所述处理容器内的压力低。
处理方法半导体装置制造以及程序

[发明专利]衬底处理装置、等离子体生成装置、半导体器件的制造方法及记录介质-CN202211420257.3在审
发明人：原大介;西野达弥;竹田刚 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2022-11-14 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及衬底处理装置、等离子体生成装置、半导体器件的制造方法及记录介质。提供能提高衬底处理的均匀性的技术。本发明提供下述技术，其具备：处理衬底的处理室；多个第1电极；多个第2电极；供给高频电力的高频电源；高频施加用板，其将多个第1电极连接于高频电源；和接地用板，其使多个第2电极接地。
衬底处理装置等离子体生成半导体器件制造方法记录介质

[发明专利]基板处理装置、等离子体发光装置、半导体装置的制造方法以及程序-CN202080104569.6在审
发明人： 竹田刚;原大介 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-09-18 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供一种技术，该技术具有：处理室，其对基板进行处理；以及等离子体生成部，其具有供给第一气体的第一气体供给管、被施加高频电力的施加电极、通过接地而被赋予基准电位的基准电极以及使所述第一气体光激发的发光管。
处理装置等离子体发光半导体制造方法以及程序

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及记录介质-CN201680083882.X有效
发明人： 竹田刚 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2016-03-22 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： H01L21/205 文献下载
摘要：本发明提供如下技术，其具有：保持基板的基板保持具；对所述基板进行处理的处理室；设置于所述处理室内且供给对所述基板进行处理的处理气体的气体供给部；放射对所述处理室内进行加热的热能的加热装置；以及设置于所述处理室内且吸收从所述加热装置放射出的热能而放射与所述热能不同的波长的热能的辐射部件。
处理装置半导体制造方法以及记录介质

[发明专利]电动阀以及冷冻循环系统-CN202211181489.8在审
发明人： 竹田刚;村田雅弘 -专利权人：株式会社鹭宫制作所
申请日： 2022-09-27 - 公布日： 2023-04-14 - 主分类号： F16K1/36 文献下载
摘要：本发明的目的在于一种电动阀，通过抑制强化纤维对金属部件的损伤，抑制磨损碎屑的产生，能实现工作性、耐久性的提高。电动阀(10)具备阀主体(1A)、驱动丝杠轴(33)使之旋转的驱动部(3)、伴随丝杠轴的旋转使丝杠轴沿轴线(L)方向进退的螺纹进给机构(4)、伴随丝杠轴的进退而能相对于阀座部(1G)接近或远离的阀芯(2)以及将丝杠轴与阀芯连接的连接体(5)。螺纹进给机构具有支撑于阀主体(1A)的内螺纹部件(42)，丝杠轴(33)的外螺纹部(33B)与内螺纹部件(42)的内螺纹部(42A)螺纹结合，内螺纹部件(42)由包含强化纤维(F)的树脂制成。与相对于其它部件滑动的金属制的滑动部件相比较，丝杠轴由具有最高硬度的金属部件构成。
电动以及冷冻循环系统

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及程序-CN202180048086.3在审
发明人：原大介;八幡橘;竹田刚 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-09-09 - 公布日： 2023-04-11 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种技术，其具有：处理室，其对基板进行处理；基板保持部，其将多个基板装载为多层；等离子体生成部，其在处理室内生成等离子体；以及磁性体，其在处理室内产生磁场。
处理装置半导体制造方法以及程序

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法、程序、辅助板以及基板保持件-CN202180046272.3在审
发明人： 竹田刚;原大介 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-08-19 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：提供一种能够提高基板处理的均匀性的技术。提供具有处理多个基板的处理室、装载多个基板的基板保持件以及在处理室内形成等离子体的电极并在多个基板之间设置辅助由电极进行的等离子体的形成的辅助板的技术。
处理装置半导体制造方法程序辅助以及保持

[发明专利]基板处理装置、半导体装置的制造方法以及等离子体生成装置-CN202080102790.8在审
发明人： 竹田刚;原大介 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2020-09-11 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01L21/31 文献下载
摘要：本发明提供一种结构，其具备：处理室，其对基板进行处理；气体供给系统，其对处理室内供给处理气体；等离子体生成部，其设置为向处理室的内部突出，构成为具有线圈和绝缘部件，且在处理室内生成处理气体的等离子体；以及调整机构，其能够调整线圈与绝缘部件的间隙距离。
处理装置半导体制造方法以及等离子体生成

[发明专利]基板处理装置、基板处理装置的电极以及半导体装置的制造方法-CN201910827618.8有效
发明人： 竹田刚;原大介 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2019-09-03 - 公布日： 2022-12-23 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明提供基板处理装置、基板处理装置的电极以及半导体装置的制造方法，能够在维持基于等离子体电极的活性种生成能力的状态下进行均匀的基板处理。基板处理装置具有形成对基板进行处理的处理室的反应管、设置于反应管的外侧且对在上述处理室内形成等离子体的电极进行固定的电极固定夹具、以及设于上述电极固定夹具的外侧且加热上述反应管的加热装置，上述电极具有施加任意的电位的电极和赋予基准电位的电极，施加上述任意的电位的电极的表面积是赋予上述基准电位的电极的表面积的两倍以上。
处理装置电极以及半导体制造方法

[发明专利]基板处理装置、等离子体生成装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法及记录介质-CN202111599732.3在审
发明人：今村友纪;奥田和幸;竹田刚;原大介 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： H01J37/32 文献下载
摘要：本发明涉及基板处理装置、等离子体生成装置、半导体装置的制造方法、基板处理方法及记录介质，提供一种能够降低针对多个基板的基板处理性能的偏差的技术。提供一种技术，具备：第一等离子体电极单元(377)，其包含被赋予基准电位的作为第一基准电极的棒状电极(370)、以及被施加高频电力的作为第一施加电极和第二施加电极的棒状电极(369、371)中的至少一方，对气体进行等离子体激发；以及第二等离子体电极单元(277)，其包含被赋予基准电位的作为第二基准电极的棒状电极(270)、以及被施加高频电力且长度与第一施加电极和第二施加电极均不同的作为第三施加电极的棒状电极(269、271)，对气体进行等离子体激发。
处理装置等离子体生成半导体制造方法记录介质

[其他]基板处理装置及基板保持部-CN201890001687.2有效
发明人：原大介;八幡橘;竹田刚;大野健治;山崎一彦 -专利权人：株式会社国际电气
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2022-08-23 - 主分类号： H01L21/318 文献下载
摘要：本实用新型提供一种基板处理装置及基板保持部，能够高效地除去反应管内的异物。该基板处理装置具有：处理基板的反应管；以及具有保持上述基板的多个支柱的基板保持部，至少一个上述支柱具有供给惰性气体的中空部和对上述反应管的内壁供给上述惰性气体的气体供给口。
处理装置保持

[外观设计]电动阀-CN202230053554.3有效
发明人： 竹田刚;佐藤祐一 -专利权人：株式会社鹭宫制作所
申请日： 2022-01-26 - 公布日： 2022-05-17 - 主分类号： 23-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：电动阀。2.本外观设计产品的用途：本产品为一种电动阀，其主要使用在冷冻冷藏空调领域的冷媒循环回路中，用于控制冷媒等的流量。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图1。
电动

[外观设计]电动阀-CN202230050342.X有效
发明人： 竹田刚;佐藤祐一 -专利权人：株式会社鹭宫制作所
申请日： 2022-01-25 - 公布日： 2022-05-03 - 主分类号： 23-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：电动阀。2.本外观设计产品的用途：本产品为一种电动阀，其主要使用在冷冻冷藏空调领域的冷媒循环回路中，用于控制冷媒等的流量。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：立体图。
电动

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