一种半导体装置制造方法，用于形成自旋转移力矩式磁穿隧接面随机存取存储器(Spin Torque Transfer Magnetic Tunneling Junction Magnetic Random Access Memory，STT MTJ MRAM)单元，包括：提供图案化的基板。形成晶种层于基板上。形成RKKY耦合人工反铁磁的被钉扎层结构的AP2层于晶种层上。形成RKKY耦合层于AP2层上。形成AP1层的第一部分于RKKY耦合层上。冷却基板、晶种层、AP2层、RKKY耦合层及AP1层的第一部分。形成AP1层的第二部分于冷却的AP1层的第一部分上，从而完成被钉扎层。形成自旋转移力矩式磁穿隧接面随机存取存储器单元的多个其余的元件于被钉扎层上，多个其余的元件按顺序依次包括穿隧能障层、铁磁性自由层及盖层。
