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- [实用新型]一种心胸外科用引流装置-CN202320122540.1有效
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骆思琪;马洪杰;贺书;窦静
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中国人民解放军总医院第三医学中心
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2023-02-06
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2023-08-15
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A61M1/00
- 本实用新型涉及医疗器械技术领域，具体是一种心胸外科用引流装置，所述安装底座的上端右侧固定安装有主支撑柱，所述安装底座的上端左侧固定安装有辅助立柱，所述辅助立柱和塑胶软管的前侧固定安装有安装板，所述安装板的前侧竖直设置有一对收纳筒套，所述收纳筒套与安装板之间通过支撑架连接，所述收纳筒套的内侧设置有集液筒，所述集液筒的上端设置有密封盖，所述密封盖的上侧两边均设置有连接口，所述主支撑柱的前侧上端固定安装有固定件。本实用新型通过设置有固定件和弹簧管套的结构，弹簧管套可以对内部的导流管起到一定的支撑作用，同时方便调节导流管的角度，防止导流管没有支撑容易弯折，影响液体流入集液筒中。
- 一种心胸外科引流装置
- [发明专利]一种器件良率高的半导体-CN202210695731.7在审
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仇亮;窦静
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广东仁懋电子有限公司
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2022-06-20
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2023-07-18
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H01L23/367
- 本发明公开了一种器件良率高的半导体，包括半导体本体和第三触脚，所述半导体本体的底端安装有第三触脚，且第三触脚的顶端延伸至半导体本体的内部，所述第三触脚一侧的半导体本体底端安装有第二触脚，且第二触脚的顶端延伸至半导体本体的内部，所述第二触脚一侧的半导体本体底端安装有第一触脚，且第一触脚的顶端延伸至半导体本体的内部，所述半导体本体两侧的外壁上皆设有限位腔，所述半导体本体的外壁上安装有散热板。本发明不仅实现了器件良率高的半导体便捷的散热使用，增加了器件良率高的半导体的散热面积，而且延伸了器件良率高的半导体的寿命。
- 一种器件良率高半导体
- [发明专利]一种IGBT封装方法及IGBT封装结构-CN202310373111.6有效
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窦静;梁衍昆
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广东仁懋电子有限公司
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2023-04-10
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2023-07-07
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H01L23/367
- 本说明书实施例提供一种IGBT封装结构，包括基板与外壳之间形成安装空腔，安装空腔内设置有DBC板、第一焊层、第二焊层、二极管芯片及IGBT芯片，基板设置在底部散热基座；散热驱动集成电路用于获取IGBT芯片的温度信息及电流信息；散热驱动集成电路设置在顶部散热基座上；散热组件，包括发热侧及吸热侧，散热组件的发热侧设置在顶部散热基座上，散热组件的发热侧与顶部散热基座之间设置有第三导热层，散热组件的吸热侧与二极管芯片及IGBT芯片连接，散热组件的吸热侧与二极管芯片及IGBT芯片之间设置有第四导热层；散热驱动集成电路还用于基于IGBT芯片的温度信息及电流信息，驱动散热组件对IGBT芯片进行散热。
- 一种igbt封装方法结构
- [发明专利]一种水稳基层施工工艺及路面结构-CN202310378966.8在审
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张振华;金艳明;窦静
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章丘市金通路桥有限公司
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2023-04-06
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2023-06-30
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E01C21/00
- 本发明公开了一种水稳基层施工工艺及路面结构，其施工步骤包括：在土壤层的内部打入锚固桩，所述锚固桩沿基层宽度方向按照1‑2m间距均匀分布，所述锚固桩沿基层的长度方向按照2‑3m间距均匀分布，其中锚固桩上设有贯穿土壤层内的基根部和越过土壤层上表面的防分离部，在土壤层的上表面依次铺设砂砾层和环氧树脂层，砂砾层覆盖防分离部的外围，并以环氧树脂层封住锚固桩的顶部，在环氧树脂层处于热熔状态时，通过振捣，使环氧树脂层填充在砂砾层的内部；该施工工艺施工方便且养护周期少，由该施工工艺形成的路面结构的整体抗压能力好，且路面整体的抗拉强度高，另外稳定性好，不易发生分层。
- 一种基层施工工艺路面结构
- [发明专利]芯片封装缺陷检测方法和系统-CN202310339218.9有效
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唐怀军;窦静
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广东仁懋电子有限公司
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2023-04-02
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2023-06-16
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G06T7/00
- 本发明涉及芯片封装缺陷检测方法和系统，通过直接采集包含芯片封装的图像，并提取出图像中的芯片边缘、芯片主体区域、以及芯片主体区域与芯片管脚的交点；并基于芯片边缘生成第一中心，基于芯片主体区域与芯片管脚的交点生成第二中心，以及基于芯片主体区域生成质心，进而将复杂的封装图像特征转换为三个特征点，进而判断相关位置是否存在缺陷；如果第一中心的位置与标准位置接近或者一致，则可以判断芯片边缘无缺陷，如果第二中心的位置与标准位置接近或者一致，则可以判断芯片引脚处无缺陷，如果质心的位置与标准位置接近或者一致，则可以判断芯片主体封装无缺陷。从而可以实现对芯片封装的高效检测。
- 芯片封装缺陷检测方法系统
- [发明专利]一种碳化硅MOS管制备方法及装置-CN202211205143.7有效
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仇亮;窦静
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广东仁懋电子有限公司
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2022-09-30
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2023-01-06
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H01L21/336
- 本发明涉及MOS管制备技术领域，揭露了一种碳化硅MOS管制备方法，包括：选取碳化硅材料，对所述碳化硅外材料的上表面进行第一次氧化处理，得到第一氧化层，在所述第一氧化层的上表面沉积高介电常数介质层；将所述碳化硅材料和所述高介电常数介质层构成的层叠结构通过管式炉进行退火处理，得到碳化硅衬底；在所述碳化硅衬底上制备栅极，所述栅极包括若干间隙排列的栅极条，所述若干间隙排列的栅极条的同一侧的端部电连接；在所述栅极条两侧的所述碳化硅衬底内通过离子注入形成源极和漏极；并对所述栅极进行刻蚀。本发明能够降低碳化硅衬底的硬度，还能够细化晶粒，均匀碳化硅衬底内部的成分，还能够得到超薄的碳化硅氧化层。
- 一种碳化硅mos制备方法装置
- [实用新型]一种可穿戴式电动压力康复系统-CN202122456175.1有效
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窦静;高奉
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怡锦康泰（北京）生物科技有限公司
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2021-10-12
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2022-03-11
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A61H1/02
- 本实用新型涉及一种可穿戴式电动压力康复系统，包括主机以及与主机相连的气压机构，主机包括壳体、设于壳体中并相互连接的气泵、控制模块和开关、以及嵌设在壳体外壁上并与控制模块相连的显示屏；气压机构包括气囊以及固定在气囊前侧的限位器，气囊包括上下设置的第一气囊区和第二气囊区，限位器包括两个左右对称设置的连接器；本实用新型简化了结构、减小了体积，进而大幅简化了拆装步骤以省时省力，而且不仅可以在躺卧时使用，还可以坐着或在移动中使用，进而极大的方便了使用；此外，还可根据膝关节的弯曲程度调整使用时的角度并锁定，进而彻底避免膝关节发生屈曲挛缩，从而显著提升VET的预防效果。
- 一种穿戴电动压力康复系统
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