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[发明专利]研磨时间的修正方法、系统及隔离结构的制作方法-CN202211512915.1有效
发明人：金文祥;胡亚东;彭萍;蔡富吉;程建秀 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2022-11-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明提供一种研磨时间的修正方法、系统及隔离结构的制作方法。该研磨时间的修正方法及系统中，首先获取前道研磨平台研磨第一晶圆的第一研磨时间设定值、前道研磨平台研磨第二晶圆的第二研磨时间设定值以及第n个研磨平台研磨第二晶圆的研磨时间，然后计算第二研磨时间设定值与第一研磨时间设定值之差获得第一时间差，计算第n个研磨平台研磨第二晶圆的研磨时间与第二研磨时间设定值之差获得第二时间差，且根据前道研磨平台的预定去除厚度和当下研磨速率、以及第一和第二时间差，计算出前道研磨平台研磨第三晶圆的研磨时间设定值。如此可以实现研磨时间的自动修正且提高研磨设备的产能。隔离结构的制作方法包括研磨时间的修正方法。
研磨时间修正方法系统隔离结构制作方法

[发明专利]一种化学机械平坦化设备及其应用-CN202011607411.9有效
发明人：朱冬祥;吴涵涵;李武祥;程建秀 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2022-04-19 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学机械平坦化设备及其应用，所述一种化学机械平坦化设备包括晶圆载体，设置在所述晶圆载体上的研磨垫，安装在所述研磨垫上的晶圆承载座，安装在所述晶圆载体外侧的第一底座，以及释放臂，所述释放臂的一端与所述第一底座连接，另一端延伸至所述研磨垫中心位置，所述释放臂内包括第一输送管和第二输送管，通过所述第一输送管提供第一类液体清洗所述研磨垫表面，同时通过所述释放臂按压所述研磨垫去除所述第一类液体，通过所述第二输送管提供第二类液体流动到所述研磨垫表面，形成一层研磨液对所述晶圆进行研磨。通过本发明提供的一种化学机械平坦化设备及其应用，可降低研磨液的浪费，同时减少晶圆损伤，防止不同液体混合。
一种化学机械平坦设备及其应用

[外观设计]杯子-CN202130422429.0有效
发明人： 程建秀 -专利权人：北京易点创想文化传媒有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2021-10-15 - 主分类号： 07-01 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：杯子。2.本外观设计产品的用途：用于饮水的杯子或者是盛装器物。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状。4.最能表明设计要点的图片或照片：组合状态3立体图1。5.组件1为杯盖1；组件2为杯盖2；组件3为杯身；组合状态1为组件1+组件2；组合状态2为组件2+组件3；组合状态3为组件1+组件2+组件3。A‑A剖视图是组合状态3俯视图A‑A位置的剖视图。
杯子

[实用新型]一种用于化学机械研磨的清洗装置-CN202021794843.0有效
发明人：李武祥;程建秀 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2020-08-25 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： B08B3/10 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种用于化学机械研磨的清洗装置，包括：清洗液管道；第一电极，位于所述清洗液管道上；第二电极，位于所述清洗液管道上；负电压源，与所述第一电极和所述第二电极连接；固定结构，用于将所述第一电极和所述第二电极固定在所述清洗液管道上；其中，所述第一电极和所述第二电极分别位于所述清洗液管道的两侧，所述负电压源存储有负电荷，所述负电压源使所述清洗管道内部的清洗液呈负电势。本实用新型大幅度提高了晶圆表面颗粒和清洗液本身的去除效果。
一种用于化学机械研磨清洗装置

[实用新型]研磨后清洗装置和化学机械研磨设备-CN202021645116.8有效
发明人：李武祥;金文祥;朱冬祥;程建秀 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2020-08-10 - 公布日： 2021-06-04 - 主分类号： B08B1/04 文献下载
摘要：本实用新型提供一种研磨后清洗装置和一种化学机械研磨设备。所述研磨后清洗装置中，第一滚刷和第二滚刷分别设置于进行研磨后清洗处理的半导体基片的两侧，第一滚刷清洁模块包括酸液供给槽和进液口连接酸液供给槽的第一喷淋管路，第二滚刷清洁模块包括碱液供给槽和进液口连接碱液供给槽的第二喷淋管路，第一喷淋管路和第二喷淋管路的喷液方向都设置为朝向第一和第二滚刷。所述研磨后清洗装置可以利用第一和第二滚刷清洁模块分别对滚刷进行酸洗和碱洗，可以有效去除滚刷表面附着的杂质，提高滚刷对半导体基片的清洗效果，延长滚刷的寿命，降低生产成本。本实用新型提供的化学机械研磨设备包括所述研磨后清洗装置。
研磨清洗装置化学机械设备

[发明专利]化学机械研磨方法-CN202110051576.0有效
发明人：陈笋弘;白向阳;程建秀;曾盟善;王松 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2021-01-15 - 公布日： 2021-05-25 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：本发明提供一种化学机械研磨方法，首先根据测试层的第一外围区域的厚度与第一中心区域的厚度预设产品层工艺条件，然后根据预设的产品层工艺条件在产品晶圆上形成产品层，所述测试层的第一外围区域的厚度等于第一中心区域的厚度时则所述产品层的第二外围区域的厚度等于第二中心区域的厚度，所述测试层的第一外围区域的厚度小于第一中心区域的厚度时则所述产品层的第二外围区域的厚度大于第二中心区域的厚度，所述测试层的第一外围区域的厚度大于第一中心区域的厚度时则所述产品层的第二外围区域的厚度小于第二中心区域的厚度，如此，在对所述产品层执行化学机械研磨工艺时，能够抵消化学机械研磨的速率偏差，从而能够提高产品层的表面均匀性。
化学机械研磨方法

[发明专利]半导体器件及其制作方法-CN202110133353.9在审
发明人：李武祥;王诗飞;操梦雅;程建秀 -专利权人：晶芯成（北京）科技有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件及其制作方法。所述制作方法中，在第一绝缘层中的第一开口内形成第一导电结构后，在上方形成导电覆盖层，导电覆盖层贴附着第一导电结构的暴露面，并且延伸到所述第一绝缘层的上表面，然后再在上方形成第二绝缘层以及位于第二绝缘层中的第二导电结构，第一导电结构中的第一金属互联线和第二导电结构中的第二金属互联线电性连接。所述导电覆盖层可起到填补第一金属互联线和第一开口之间的缝隙的作用，在形成第二导电结构后，第一开口顶部不容易产生空洞，从而有助于提升半导体器件的性能和延长半导体器件的寿命。所述半导体器件包括在半导体结构中的第一开口上设置的上述导电覆盖层。
半导体器件及其制作方法

[发明专利]研磨垫处理方法及化学机械研磨设备-CN202011057154.6在审
发明人：李武祥;程建秀;许玉媛 -专利权人：合肥晶合集成电路股份有限公司
申请日： 2020-09-29 - 公布日： 2021-01-05 - 主分类号： B24B53/017 文献下载
摘要：本发明提供一种研磨垫处理方法以及一种化学机械研磨设备。所述研磨垫处理方法向需要处理的研磨垫表面提供氧化剂以及酸性清洗液，利用氧化剂来使铜以及铜的化合物生成易溶于水的铜离子而易于去除，利用酸性清洗液提供的负离子使包埋在沟槽内的研磨粒子被包裹并与研磨垫表面相斥从而易于被去除，然后再通过去离子水冲洗经过氧化剂以及酸性清洗液处理的研磨垫。该方法对研磨垫的清洁效果好，有助于延长研磨垫的寿命，避免研磨垫清洁不力导致后续研磨均一性差以及可能划伤晶圆的问题。所述化学机械研磨设备用于执行铜金属CMP工艺以及上述研磨垫处理方法，由于研磨垫的清洁效果好，有助于提高铜金属CMP工艺的质量以及产出。
研磨处理方法化学机械设备

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