“程勇鹏”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果15个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[发明专利]一种基于网络配置变更自动维护时钟同步网的方法与装置-CN202210004515.3有效
发明人：吴昊;程勇鹏 -专利权人：武汉烽火技术服务有限公司;烽火通信科技股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2023-09-26 - 主分类号： H04L41/0816 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于网络配置变更自动维护时钟同步网的方法与装置，方法包括：接收影响时钟同步输入配置的网络拓扑变更消息并识别出受影响的设备，根据网络拓扑变更消息对受影响设备间的连纤进行处理，仅保留唯一优选连纤；以缺失时钟同步输入配置的设备为起点，计算出其在网络中的最小环或最短链，以最小环或最短链为整体选出该整体的主、备用时钟同步输入配置；按环网优先原则重新规划出最小环或最短链内部设备的时钟同步输入配置；计算所有设备的增量时钟同步输入配置并下载，完成时钟同步输入配置的动态增量规划。本发明实现的动态规划方法能更好适用于存量网维护。
一种基于网络配置变更自动维护时钟同步方法装置

[发明专利]一种波长标签传输方法及装置-CN202111116956.4有效
发明人：戴竞;程勇鹏;戴军 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司
申请日： 2021-09-23 - 公布日： 2023-09-15 - 主分类号： H04J14/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种波长标签传输方法：对波长标签映射方式引入偏振维度，所述偏振维度为X偏振态或Y偏振态；在发射端，对光信号的不同偏振态分别加载波长标签信息，且不同偏振态上的标识信息不同；在接收端，获得光信号的不同偏振态的波长标签信息，得到不同偏振态上的标识信息。本发明可以结合光信号偏振维度，支持进行偏振维度波长标签加载，增强了系统的可扩展性，可以降低系统中频点数目的需求；本发明在不改变现有系统结构，不增加现有系统接口数量，不增加额外光器件情况下，在波分复用系统中加入了波长标签管理功能，实现波长标签加载和解调。本发明还提供了相应的波长标签传输装置。
一种波长标签传输方法装置

[发明专利]一种优化大马士革铜工艺的制造方法-CN202310407214.X在审
发明人：郑隆跃;程勇鹏;金谦 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-04-17 - 公布日： 2023-08-22 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供一种优化大马士革铜工艺的制造方法，提供一沉积有抑制层的金属间介质层；对该金属间介质层进行刻蚀，形成具有通孔和互连线沟槽的凹槽结构；在凹槽结构内沉积扩散阻挡层；在扩散阻挡层上沉积铜籽晶层；通过化学机械研磨技术，去除掉未开槽区域扩散阻挡层、铜籽晶层，露出抑制层；在凹槽结构内生长铜。本发明通过在刻蚀凹槽之前采用合适的抑制层材料，既可防止铜渗入，又可阻止铜在该层表面沉积。本发明通过工艺顺序的改变，只需进行化学机械研磨掉未开槽区域铜籽晶层，使得铜只能在没有抑制层覆盖的凹槽内生长，而不会在介质层表面沉积，有效减少介质层外多余的铜附着，缩短化学机械研磨时间，有效保护金属间介质层质量。
一种优化大马士革工艺制造方法

[发明专利]一种利用光刻胶选择性沉积保护介质层的大马士革铜工艺-CN202310441121.9在审
发明人：金谦;程勇鹏;郑隆跃 -专利权人：浙江大学
申请日： 2023-04-23 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种利用光刻胶选择性沉积保护介质层的大马士革铜工艺，对金属间介质层进行刻蚀，形成具有通孔和互连线沟槽的凹槽结构，并沉积一层扩散阻挡层；沉积光刻胶；曝光显影，去除未开槽区域的光刻胶，露出扩散阻挡层；再沉积一层抑制层；去除凹槽内的光刻胶；生长铜；通过CMP，去除未开槽区域的抑制层和扩散阻挡层，研磨至露出介质层。本发明针对大马士革铜工艺进行改进，通过加入一个光刻显影步骤，避免了使用按压方式便可实现凹槽上表面的抑制层涂抹，后续在进行铜的电镀生长时，因其无法附着于抑制层上，便不会在表面沉积，只能在槽内生长，如此有效减少介质层外多余的铜附着，从而缩短CMP所需时间，有效保护了金属间介质层质量。
一种利用光刻选择性沉积保护介质大马士革工艺

[发明专利]一种对波分传输系统进行优化的方法和装置-CN202210457219.9有效
发明人：于文海;程勇鹏;周可籍;戴竞;曾翔昊;黄伟;吴岩 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司
申请日： 2022-04-28 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： H04L41/0823 文献下载
摘要：本发明涉及一种对波分传输系统进行优化的方法和装置。其方法部分主要包括：设置光子神经网络调节单元来调节各波长光载波的相互作用；其中，所述光子神经网络调节单元包括至少三个衍射玻片；固定第一个衍射玻片以及最后一个衍射玻片的位置，在第一个衍射玻片以及最后一个衍射玻片之间移动其它中间衍射玻片；设置参数扫描控制系统来接收衍射玻片调节过程中的反馈信号，并根据反馈信号确定所有衍射玻片的最终位置。本发明可以实现在光域内应用光子神经网络对波分光传输系统的线性及非线性损伤进行补偿优化，避免了传统方法需要光电转换后才能在电域内进行人工智能神经网络计算的方式，同时也避免了电学器件给系统带去的非线性损伤和二次伤害。
一种传输系统进行优化方法装置

[发明专利]波分复用网络分步并行调测优化方法及装置-CN202211026979.0在审
发明人：于文海;吴学锋;吴岩;程勇鹏 -专利权人：武汉烽火技术服务有限公司;烽火通信科技股份有限公司
申请日： 2022-08-25 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H04J14/02 文献下载
摘要：本申请公开了一种波分复用网络分步并行调测优化方法及装置，涉及光通信技术领域，该方法包括：基于网络拓扑关系表，生成各光复用段OMS之间的依赖关系表；依赖关系表包括每个OMS的编号、OLA站数量和依赖表项，依赖表项包括该OMS所依赖的OMS编号；每一轮次选择出其中没有依赖的OMS加入一个待调目标集合，并在依赖关系表中删除对应行，直至依赖关系表为空，输出各轮次的待调目标集合。本申请的波分复用网络分步并行调测优化方法及装置，可实现网络拓扑中各OMS的分步并行调测，提升波分复用网络在MESH组网下的调平速度。
波分复用网络分步并行优化方法装置

[发明专利]支持宽波段工作的光模块及其频偏补偿方法-CN202211051882.5在审
发明人：曾翔昊;戴竞;吴岩;程勇鹏 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司
申请日： 2022-08-30 - 公布日： 2022-12-02 - 主分类号： H04B10/40 文献下载
摘要：本发明公开了一种支持宽波段工作的光模块：第一激光器与第二激光器两个可调谐激光器组成光源，2x2光开关用于控制光源输出方向，电光调制器用于对光源输出信号进行调制；相干接收机用于接收外部光信号；数字信号处理器用于完成频偏补偿并输出对于激光器的微调值。本发明可以通过双激光器固定的预设频率偏差，在进行数字频偏估计前将大部分的频率偏差进行预补偿。频偏预补偿后的残余频偏与内差探测情况一致，在此基础上还可以通过激光器频率微调进一步缩小残余频偏，最终残余频偏的补偿难度可以低于单光源的内差探测。本发明还提供了相应的支持宽波段工作的光模块的频偏补偿方法。
支持波段工作模块及其补偿方法

[发明专利]一种通信网中的分域资源调整方法和装置-CN202210002763.4有效
发明人：梁焰松;程勇鹏 -专利权人：武汉烽火技术服务有限公司;烽火通信科技股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-11-22 - 主分类号： H04L45/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种通信网中的分域资源调整方法和装置，方法包括：预设资源区域，对所述预设资源区域内的各个网元进行权重评分；根据所述预设资源区域内各个网元的权重评分给各个网元分配对应的时隙带宽值；在所述预设资源区域内网元发生并发操作时，按照各个网元对应的时隙带宽值分配重路由资源。本发明提供了一种通信网中的分域资源调整方法和装置，针对智能业务的并发使用场景，进行动态时隙大小建模和局部建模，并针对拓扑情况进行动态调整，在尽可能提高并发效率的前提下，提高智能业务管理效率。
一种通信网中的资源调整方法装置

[发明专利]一种OSNR检测方法及装置-CN202110998334.2有效
发明人：于文海;程勇鹏 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司
申请日： 2021-08-27 - 公布日： 2022-10-21 - 主分类号： H04B10/079 文献下载
摘要：本发明涉及WDM光层技术领域，提供了一种OSNR检测方法及装置。方法包括使用N种OSNR计算子模型分别得到各自在各OMS段；从而得到N种OSNR计算子模型的各个模型在相应光信道中的OSNR1，OSNR2，…，OSNRN；通过机器学习的权重分配模型，计算出应用与当前光信道组合的所述N种OSNR计算子模型的各个权重Wj，其中j为[1,N]区间内的自然数；将所述各个权重Wj分别与相应乘积并求和得到当前光信道的OSNR值。本发明利用多种OSNR计算子模型，利用各自的计算得到的OSNR值，提升不同波道组合最差场景下的OSNR计算精度。
一种 osnr 检测方法装置

[发明专利]一种通用的配置差异比较方法和装置-CN202210004512.X在审
发明人：洪腾;程勇鹏 -专利权人：武汉烽火技术服务有限公司;烽火通信科技股份有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-05-13 - 主分类号： G06F8/65 文献下载
摘要：本发明涉及一种通用的配置差异比较方法和装置。其方法部分主要包括：初始化线程池线程容量以及比对任务队列，将每一对待比对的原始配置作为一个比对任务；轮询线程池的空闲线程数量，并用空闲线程执行比对任务；检测到比对任务队列中的比对任务全部执行完成后，输出差异汇总表。本发明通过将原始配置报文抽象成配置树结构，然后通过各项比对规则进行差异比较，可以快速、准确、高效的核对树结构配置。
一种通用配置差异比较方法装置

[发明专利]对合成单边带信号光强度信息的色散补偿方法与系统-CN202110716896.3有效
发明人：周可籍;程勇鹏;李记昌 -专利权人：烽火通信科技股份有限公司;武汉烽火技术服务有限公司
申请日： 2021-06-28 - 公布日： 2022-04-26 - 主分类号： H04B10/61 文献下载
摘要：本发明公开了一种对合成单边带信号光强度信息的色散补偿方法，包括：确定色散补偿传递函数，并对色散补偿传递函数进行赋值；将赋值后的色散补偿传递函数进行逆傅里叶变换，得到含有2n个抽头系数的具有色散补偿功能的数字滤波器tr(2n)；根据预设的数字滤波器抽头数量k，对得到的具有色散补偿功能的数字滤波器tr(2n)进行有效抽头系数的提取和组合，生成新的数字滤波器te(k)；将新的数字滤波器te(k)与输入的光强度信息的数据流进行实时卷积运算，输出实时运算的结果即可得到色散补偿后的合成单边带信号。本发明极大的降低了对合成单边带信号进行色散补偿的复杂度。本发明还提供了相应的对合成单边带信号光强度信息的色散补偿系统。
合成边带信号强度信息色散补偿方法系统

[发明专利]用户感知度管理方法、装置、设备及可读存储介质-CN202111049883.1在审
发明人：余军;黄伟;余晗;刘伟;程勇鹏;周可籍;雷勋 -专利权人：武汉烽火技术服务有限公司
申请日： 2021-09-08 - 公布日： 2021-12-28 - 主分类号： G06Q30/02 文献下载
摘要：本发明提供一种用户感知度管理方法、装置、设备及可读存储介质，该方法包括：获取用户的用户等级以及预设时段内的反馈信息；根据预设时段内的反馈信息确定技术问题总数量、处理技术问题的总超期时长、故障问题总数量、处理故障问题的总超期时长以及投诉总数量后计算得到用户感知度；判断用户感知度是否低于用户等级相应的阈值，若低于，则进行用户感知度提升处理。通过本发明，从全局整体上及时准确的得到用户的用户感知度，快速发现用户感知度的下降趋势，在根据用户感知度对商品、服务进行预警后，实现不同层次人员对不同关注点的有效管控，针对性的对产品、服务进行改进，节省人力市场调研的成本，提高分析的效率，避免潜在的经济损失。
用户感知管理方法装置设备可读存储介质

[发明专利]脊型光波导和倒锥耦合器集成的制作方法-CN200910093176.5无效
发明人：陈少武;程勇鹏;任光辉 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-09-25 - 公布日： 2011-04-27 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：一种脊型光波导和倒锥耦合器集成的制作方法，包括如下步骤：步骤1：在衬底上旋涂一层光刻胶，利用光刻技术形成第一掩膜图形，该第一掩膜图形表面的一侧为矩形另一侧为锥形；步骤2：利用刻蚀技术将掩膜图形长方向两侧的衬底刻蚀掉，刻蚀深度小于衬底的厚度，在掩膜图形两侧形成平板区；步骤3：在衬底上再旋涂一层光刻胶，利用光刻技术在掩膜图形的矩形区及其两侧的平板区形成第二掩膜图形；步骤4：利用刻蚀技术将掩膜图形的锥形部分的两侧平板区刻蚀掉；步骤5：去掉第一及第二掩膜图形，完成器件的制作。
脊型光波导耦合器集成制作方法

[发明专利]提高MZI电光调制器速度和效率的电极结构-CN200910088462.2无效
发明人： 程勇鹏;陈少武 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-07-01 - 公布日： 2011-01-05 - 主分类号： G02F1/025 文献下载
摘要：一种提高MZI电光调制器速度和效率的电极结构，包括：一MZI调制器结构，包括第一调制臂和第二调制臂，该第一和第二调制臂为脊形光波导结构，该第一和第二调制臂分为第一平板区和第二平板区及第一内脊区和第二内脊区’，在第一和第二内脊区两旁的第一和第二平板区分别有第一、第二、第三和第四掺杂区域，该第一、第二、第三和第四掺杂区域在第一和第二平板区时为PIN电学调制结构；在第一和第二调制臂内侧相邻的第二和第三两个掺杂区域用金属导线连接在一起，形成高频驱动电路的第一极，在另外第一和第四两个掺杂区域用金属导线连接在一起，形成高频驱动电路的第二极；一高频驱动电路，该高频驱动电路的两端分别与高频驱动电路的第一、二极相连。
提高 mzi 电光调制器速度效率电极结构

[发明专利]SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法-CN200910242349.5无效
发明人：陈少武;程勇鹏;任光辉;樊中朝 -专利权人：中国科学院半导体研究所
申请日： 2009-12-09 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： G02B6/13 文献下载
摘要：一种SOI亚微米脊型光波导倒锥耦合器免刻蚀氧化制作方法，包括：在SOI的顶层硅上氧化一层二氧化硅层；通过光刻工艺，在二氧化硅层上面形成掩膜图形，该掩膜图形的一端为矩形，另一端为锥形通过刻蚀工艺，将没有掩膜图形保护的二氧化硅层刻蚀，刻蚀后形成被掩膜图形保护的二氧化硅的矩形区域和锥形区域；去掉SOI的顶层硅上遗留下的掩膜图形，形成样品；对上述的样品进行氧化，将被刻蚀过的二氧化硅层下面的SOI的顶层硅，氧化到预定高度，从而形成脊型波导的平板区；被二氧化硅层的矩形区域保护的SOI的顶层硅，形成脊型波导的内脊区；而被二氧化硅层的锥形区域保护的SOI的顶层硅，形成和内脊区自然过渡连接的条形波导倒锥结构，完成脊型波导和倒锥耦合器的自然集成。
soi 微米脊型光波导耦合器刻蚀氧化制作方法

1
共 15 条