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[发明专利]光学邻近修正方法-CN201510418859.9有效
发明人：杜杳隽;程仁强 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2015-07-16 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近修正方法，包括：提供因掩膜规则检验限制而具有坏点接触孔图形的设计版图，所述坏点接触孔图形进行光刻投影模拟形成的模拟接触孔中，所述模拟接触孔在第一轴向上的实际尺寸小于预设尺寸；在所述坏点接触孔图形所在区域中，去掉设计规则中的所述掩膜规则检验限制；在去掉所述设计规则中的所述掩膜规则检验限制后，对所述坏点接触孔图形进行重新设计，直至得到第一接触孔图形，根据所述第一接触孔图形进行光刻投影模拟形成的第一模拟接触孔中，所述第一模拟接触孔在所述第一轴向上的实际尺寸大于等于所述预设尺寸。所述光学邻近修正方法能够提高形成接触孔的工艺窗口，提高良率。
光学邻近修正方法

[发明专利]光学邻近校正方法及双重图形曝光方法-CN201410114596.8有效
发明人： 程仁强;王辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2014-03-25 - 公布日： 2020-02-07 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近校正方法及双重图形曝光方法，其中光学邻近校正方法包括：提供目标图形，所述目标图形包括多个子目标图形，且子目标图形分为若干片段；对子目标图形进行模拟曝光，获取子目标图形各片段的光强参数；基于获取的子目标图形各片段的光强参数，获取子目标图形各片段中的标记片段；移除目标图形中具有标记片段的子目标图形，将目标图形分解为第一子图形和第二子图形，其中，第一子图形为具有标记片段的子目标图形的组合。本发明依据曝光能力，获取子目标图形各片段中的标记片段，减小目标图形与最终形成图形之间的区别，提高最终形成图形的精确性。
目标图形子目标标记片段子图形光学邻近校正光强双重图形曝光曝光减小移除分解

[发明专利]光学邻近校正方法以及优化光学邻近校正模型的方法-CN201410131227.X有效
发明人： 程仁强;王辉 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2014-04-02 - 公布日： 2019-04-26 - 主分类号： G03F1/36 文献下载
摘要：一种光学邻近校正方法以及优化光学邻近校正模型的方法，其中光学邻近校正方法包括：提供包括第一区域、第二区域和第三区域的衬底，第一区域和第二区域的衬底为第一材料层以及第二材料层的叠层结构，第三区域的衬底为第一材料层，且第二材料层的材料的透光率大于第一材料层的材料的透光率；提供目标图形；获取衬底第一区域、第二区域和第三区域的空间像光强函数；基于获取的空间像光强函数建立光学邻近校正模型，依据光学邻近校正模型对所述目标图形进行光学邻近校正。本发明考虑到衬底内隔离结构对曝光显影的影响，建立光学邻近校正模型，使得在衬底表面形成的最终图形与目标图形之间的差异性小，提高了形成的最终图形的质量。
光学邻近校正模型衬底光学邻近校正第二区域第一材料第一区域目标图形第二材料层最终图形空间像透光率光强内隔离结构衬底表面叠层结构函数建立曝光显影差异性优化

[发明专利]采用CDSEM测试图形的方法-CN201310745676.9在审
发明人：王辉;程仁强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2013-12-30 - 公布日： 2015-07-01 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供了一种采用CDSEM测试图形的方法，其特征在于，包括提供多个测试图形；找出所述多个测试图形中图案相似的测试图形；对多个图案相似的测试图形中的第一测试图形建立量测方案，作为参考量测方案；依次将所述参考量测方案应用于其他图案相似的测试图形。根据本发明方案，可以不必对每一个图案相似的测试图形逐一建立量测方案，这样可以节省CDSEM机台进行量测的时间，提高生产效率。
采用 cdsem 测试图形方法

[发明专利]光学临近修正、光掩模版制作及图形化方法-CN200710094461.X有效
发明人： 程仁强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-12-13 - 公布日： 2009-06-17 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：一种光学临近修正方法，包括：确定布局接触孔图形位于器件密集区、器件稀疏区还是器件孤立区；增大器件稀疏区及器件孤立区的布局接触孔图形的临界尺寸。本发明还提供一种光掩模版制作方法及图形化方法。本发明防止由于器件密集及临界尺寸的增大造成接触孔间的桥接，进而有效解决器件间的短路现象。
光学临近修正模版制作图形方法

[发明专利]半导体器件阱的制造方法-CN200710043875.X有效
发明人： 程仁强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-07-17 - 公布日： 2009-01-21 - 主分类号： H01L21/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件阱的制造方法，涉及半导体前道的制造工艺。该制造方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上镀光刻胶，进行曝光步骤，进行显影步骤，形成第一离子注入窗口，且在半导体衬底上形成对准标记；以上述对准标记为基准，进行套刻精度测试，合格后进行离子注入，形成第一阱区；重新镀光刻胶，进行曝光步骤，进行显影步骤，形成第二离子注入窗口，且上述对准标记被光刻胶覆盖；以该对准标记为基准，进行套刻精度测试，合格后进行离子注入，形成第二阱区。与现有技术相比，本发明的制造方法避免了对准标记色调发生变化，套刻机台只需要设置一套测试程式就可以完成整个阱区套刻精度的测试，提高了生产效率。
半导体器件制造方法

[发明专利]光罩的检测方法-CN200710040257.X有效
发明人： 程仁强 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-04-24 - 公布日： 2008-10-29 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种光罩的检测方法，包括，设置至少一种栅距的稀疏型图形和至少两种栅距的密集型图形来构成一组线型检测图形；设置至少一种栅距的稀疏型图形和至少两种栅距的密集型图形来构成一组孔型检测图形；至少在光罩的边缘和中心各设置一组线型检测图形或一组孔型检测图形或由一组线型检测图形和一组孔型检测图形共同构成的检测图形；制作光罩；测量光罩上的检测图形的特征尺寸；如果被测量图形的特征尺寸处于检测图形的特征尺寸的偏差范围内，则光罩合格；如果被测量图形的特征尺寸超出检测图形的特征尺寸的偏差范围，则光罩不合格。本发明光罩检测方法较全面。
检测方法