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[发明专利]使用位故障和虚拟检查产生一种晶片检查过程-CN201711205806.4有效
发明人：杨宝文;乔治·西蒙;岳宗·杜 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2013-01-17 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： G06V20/60 文献下载
摘要：本公开涉及使用位故障和虚拟检查产生一种晶片检查过程。本发明提供用于产生晶片检查过程的方法和系统。一种方法包含：在晶片的扫描期间存储检查系统的检测器的输出，无论所述输出是否对应于在所述晶片上检测到的缺陷；且将所述晶片上的对应于通过测试所述晶片所检测到的位故障的物理位置分离为所述物理位置的未检测到缺陷的第一部分和所述物理位置的检测到缺陷的第二部分。此外，所述方法包含：将缺陷检测方法应用于对应于所述物理位置的第一部分的所述存储输出以检测所述物理位置的所述第一部分处的缺陷；且基于通过所述缺陷检测方法在所述物理位置的所述第一部分处检测到的所述缺陷产生晶片检查过程。
使用故障虚拟检查产生一种晶片过程

[发明专利]利用基于目标的空中图像的变换的焦点计量和目标-CN201680045370.4有效
发明人： N·古特曼;Y·弗莱;V·莱温斯基;O·卡米斯开 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2016-08-04 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明提供焦点计量方法和模块，其使用基于空中图像的变换以共享自多个目标导出的测量信息和/或设计针对指定兼容目标的额外目标，此实现依据改变的生产条件简单调整焦点目标。方法包括：将两个或两个以上焦点目标定位在每一晶片场中；进行目标的焦点测量；将焦点测量变换为针对每一场的单组结果；使用基于目标的空中图像的目标之间的变换；及自单组结果导出焦点结果；及可能使用指定目标的空中图像参数自指定目标设计焦点目标。
利用基于目标空中图像变换焦点计量

[发明专利]用于以X射线为基础的计量学的晶片倾斜的测量及控制-CN202180015920.9在审
发明人： B·布拉森海姆;J·A·迪雷戈洛;张岩;R·普雷斯;H·阮 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2021-02-17 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01B15/04 文献下载
摘要：本文描述用于测量晶片在X射线散射测量位置处或X射线散射测量位置附近的定向的方法及系统。在一个方面中，一种以X射线散射测量为基础的计量系统包含在没有中介载台移动的情况下基于单个测量来测量晶片定向的晶片定向测量系统。在一些实施例中，定向测量点与X射线测量点重合。在一些实施例中，同时执行X射线散射测量及晶片定向测量。在另一方面中，由晶片定向测量系统检测的信号经时间、空间或时间及空间过滤以改进追踪。在另一方面中，晶片定向测量系统经校准以识别所述晶片相对于入射X射线束的定向。在另一方面中，受测量晶片依封闭回路或开放回路方式基于所述测量定向定位。
用于射线基础计量学晶片倾斜测量控制

[发明专利]用于转换背侧表面粗糙度为前侧覆盖的系统及方法-CN202080018094.9有效
发明人：沈剑;朱宁锜;J·麦科马克;孙妍斐 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2020-03-20 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01B15/08 文献下载
摘要：本发明公开一种用于基于形状数据估计样本上的前侧覆盖的系统。所述系统包含特性化子系统及控制器。所述控制器包含一或多个处理器，所述一或多个处理器经配置以：生成真空卡盘的真空孔图；基于所述真空卡盘的所述经生成真空孔图生成跨样本的真空力分布；基于所述真空力分布及背侧表面粗糙度与所述真空卡盘的真空力之间的经识别关系确定所述样本的形状数据；及将所述样本的所述形状数据转换为所述样本的前侧表面的覆盖值。
用于转换表面粗糙覆盖系统方法

[发明专利]基于辅助电磁场的引入的一阶散射测量叠对的新方法-CN201680051708.7有效
发明人： V·莱温斯基;Y·帕斯卡维尔;Y·卢巴舍夫斯基;A·玛纳森 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2016-08-18 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G01N21/47 文献下载
摘要：本发明提供计量测量方法及工具，其由固定的照明源照明固定的衍射目标；测量由零阶衍射信号及一阶衍射信号的总和组成的信号；维持所述衍射目标及所述照明源固定的同时，针对所述零与所述第一衍射信号之间的多个关系重复所述测量；及从所述测量总和导出所述一阶衍射信号。照明可为相干的且可在光瞳平面中测量，或照明可为不相干的且可在场平面中测量，在任一情况下，测量所述零与所述一衍射阶的部分重叠。照明可为环形且所述衍射目标可为带有具有不同节距以分离所述重叠区域的周期性结构的单个单元SCOL目标。
基于辅助电磁场引入一阶散射测量新方法

[发明专利]使用多射束工具的反向散射电子(BSE)成像-CN201680051709.1有效
发明人： M·麦科德;R·西蒙斯;D·马斯纳盖蒂;R·克尼彭迈耶 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2016-09-21 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明揭示多射束扫描电子显微镜检验系统。多射束扫描电子显微镜检验系统可包含电子源及小射束控制机构。所述小射束控制机构可经配置以利用由所述电子源提供的电子而产生多个小射束且在某个时刻朝向目标递送所述多个小射束中的一者。所述多射束扫描电子显微镜检验系统还可包含检测器，其经配置以至少部分基于反向散射出所述目标的电子而产生所述目标的图像。
使用多射束工具反向散射电子 bse 成像

[发明专利]用于训练基于机器学习的模型的系统和计算机实施方法-CN201680075625.1有效
发明人： K·巴哈斯卡尔;L·卡尔森迪;S·A·永;M·马哈德凡;张晶;B·达菲 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2016-12-30 - 公布日： 2022-10-04 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本发明提供用于半导体应用的基于机器学习的模型的加速训练的方法及系统。一种用于训练基于机器学习的模型的方法包含获取在其上执行工艺的样品的非标称例子的信息。所述基于机器学习的模型经配置以针对所述样品执行模拟。仅使用额外样品的标称例子的信息训练所述基于机器学习的模型。所述方法还包含使用所述样品的所述非标称例子的所述信息重新训练所述基于机器学习的模型，借此执行所述样品的所述非标称例子的所述信息到所述基于机器学习的模型的转移学习。
用于训练基于机器学习模型系统计算机实施方法

[发明专利]基于具有电子发射器阵列的X射线源的半导体计量及检验-CN202180015569.3在审
发明人：勇-霍·亚历克斯·庄;约翰·费尔登 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2021-02-01 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： H01J35/06 文献下载
摘要：本文中呈现用于实现基于高密度电子发射器阵列的高辐射X射线源的方法及系统。所述高辐射X射线源适合于半导体制造环境中的高通量X射线计量及检验。所述高辐射X射线源包含产生聚焦于小阳极区域上以产生高辐射X射线照明光的大电子电流的电子发射器阵列。在一些实施例中，跨所述电子发射器阵列的表面的电子电流密度是至少0.01安培/mm2，所述电子电流聚焦到具有小于100微米的最大范围尺寸的阳极区域上，且发射器之间的间距小于5微米。在另一方面中，发射电子从所述阵列加速到所述阳极以达到小于所要X射线发射线的能量的四倍的着陆能。
基于具有电子发射器阵列射线半导体计量检验

[发明专利]用于高深宽比结构的测量的中红外光谱法-CN202080010663.5有效
发明人： D·Y·王;S·克里许南;G·V·庄 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2020-01-23 - 公布日： 2022-09-30 - 主分类号： G01N21/35 文献下载
摘要：本文提出用于以中红外波长执行半导体结构的高吞吐量光谱测量的方法及系统。傅里叶变换红外(FTIR)光谱仪包含一或多个跨越2.5微米与12微米之间的波长范围的测量通道。所述FTIR光谱仪以多个不同的入射角、方位角、不同的波长范围、不同的偏振状态或其任何组合测量目标。在一些实施例中，照明光由激光维持等离子体(LSP)光源提供以实现高亮度及小照明点大小。在一些实施例中，从与晶片的表面法向的方向离轴执行FTIR测量。在一些实施例中，斯特林冷却器从FTIR光谱仪的检测器中提取热量。另一方面，由一或多个光谱仪测量通道执行的测量与由中红外FTIR光谱仪通道执行的测量相结合以表征高深宽比结构。
用于高深结构测量红外光谱

[发明专利]用于使用交错脉冲照明源泵浦激光维持等离子体的系统及方法-CN202080012279.9有效
发明人： I·贝泽尔;M·德斯泰恩;W·舒马克;M·弗里德曼 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2020-02-24 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： H01J61/02 文献下载
摘要：公开一种用于泵浦激光维持等离子体的系统。所述系统包含经配置以产生用于所述激光维持等离子体的相应泵照明脉冲的多个泵模块，其中至少一个泵模块经配置以产生在时间上与由所述多个泵模块中的至少一个其它泵模块产生的另一串泵脉冲交错的一串泵脉冲。所述系统进一步包含经配置以将来自所述多个泵模块的所述相应泵照明脉冲引导到所述激光维持等离子体的集光体积中的多个非共线照明路径。
用于使用交错脉冲照明源泵浦激光维持等离子体系统方法

[发明专利]用于基于图像的测量及基于散射术的叠对测量的信号响应度量-CN201910872426.9有效
发明人： S·潘戴夫;D·桑科;陆伟;S·斯里法思塔发 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2015-10-13 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G01N21/956 文献下载
摘要：本申请涉及一种用于基于图像的测量及基于散射术的叠对测量的信号响应度量。采用各自具有沿相反方向的经编程偏移的两个叠对目标来执行叠对测量。基于零级散射术信号测量叠对误差，且以两个不同方位角从每一目标收集散射术数据。另外，本发明呈现用于基于所测量的基于图像的训练数据而创建基于图像的测量模型的方法及系统。接着使用经训练的基于图像的测量模型来直接依据从其它晶片收集的所测量图像数据计算一或多个所关注参数的值。本文中描述的用于基于图像的测量的方法及系统适用于度量应用及检验应用两者。
用于基于图像测量散射信号响应度量

[发明专利]使用图像的以模型为基础的计量-CN201680047557.8有效
发明人： S·I·潘戴夫 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2016-08-25 - 公布日： 2022-09-27 - 主分类号： G06T7/00 文献下载
摘要：本文提出用于将存在于半导体晶片的所测量图像中的信息与所述所测量图像内的特定结构的额外测量进行组合的方法及系统。在一个方面中，基于所测量图像及每一图像内的特定结构的对应参考测量来训练以图像为基础的信号响应计量SRM模型。接着，使用所述经训练的以图像为基础的SRM模型来依据从其它晶片收集的所测量图像数据直接计算一或多个所关注参数的值。在另一方面中，基于所测量图像及由通过非成像测量技术做出的每一图像内的特定结构的测量产生的对应测量信号来训练测量信号合成模型。将从其它晶片收集的图像变换成与所述非成像测量技术相关联的合成测量信号，且采用以模型为基础的测量以基于所述合成信号来估计所关注参数的值。
使用图像模型基础计量

[发明专利]用于选择设计文件的系统、计算机可读媒体及实施方法-CN202080012743.4有效
发明人： B·布拉尔 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2020-02-06 - 公布日： 2022-09-23 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本发明提供用于选择一或多个设计文件以供在测试图像与设计对准中使用的方法及系统。一种方法包含通过将第一及第二组图像与针对样品产生的测试图像进行比较而识别所述第一及第二组图像中的哪一组图像最佳匹配所述测试图像。所述第一及第二组图像分别包含所述样品上的第一及第二组设计层中的经图案化特征的图像，所述第一与第二组设计层是彼此不同的。所述方法还包含：通过将所述经识别组的图像与设计文件进行比较而为所述样品选择最佳匹配所述经识别组的图像的所述设计文件；及存储所述经选择设计文件的信息以供在一过程中使用，在所述过程中将所述经选择设计文件中的经图案化特征与在所述过程中针对样品产生的测试图像中的经图案化特征对准。
用于选择设计文件系统计算机可读媒体实施方法

[发明专利]包含具有硼层的硅衬底上的场发射器的多柱电子束光刻-CN202210691874.0在审
发明人：勇-霍·亚历克斯·庄;约翰·费尔登;刘学峰;银英·肖李 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2017-10-12 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： H01J37/317 文献下载
摘要：本申请实施例涉及包含具有硼层的硅衬底上的场发射器的多柱电子束光刻。一种多柱电子束装置包含电子源，所述电子源包括制造在硅衬底的表面上的多个场发射器。为防止所述硅氧化，将薄的连续硼层直接安置在所述场发射器的输出表面上。所述场发射器可呈各种形状，包含锥体、圆锥或圆形晶须。可将任选栅极层放置在所述场发射器附近的所述输出表面上。所述场发射器可进行p型或n型掺杂。可将电路并入到晶圆中以控制发射电流。光源可经配置以照射所述电子源且控制所述发射电流。所述多柱电子束装置可为经配置以将图案写入在样本上的多柱电子束光刻系统。
包含具有衬底发射器电子束光刻

[发明专利]增强计量目标信息内容-CN201880078008.6有效
发明人： E·阿米特;A·玛纳森;N·古特曼 -专利权人： 科磊股份有限公司
申请日： 2018-09-24 - 公布日： 2022-09-20 - 主分类号： G01B11/27 文献下载
摘要：本发明提供减少噪声且增强测量准确度的计量目标设计、设计方法及测量方法。所揭示的目标包括与测量方向正交的额外周期性结构，给定目标结构沿所述测量方向具周期性。例如，除成像或散射测量目标中的沿每一测量方向的两个或更多个周期性结构之外，还可引入第三正交周期性结构，此提供正交方向上的额外信息，并且可用于减少噪声、增强准确度且启用机器学习算法的应用以进一步增强准确度。可关于正交周期性结构逐切片分析信号，所述正交周期性结构可以过程兼容方式集成于成像及散射测量目标两者中。
增强计量目标信息内容