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[发明专利]绝热材料-CN201510380277.6有效
发明人：赤岭宗子;藤田光广 -专利权人： 科发伦材料株式会社
申请日： 2015-07-02 - 公布日： 2016-01-13 - 主分类号： C04B35/443 文献下载
摘要：提供轻量而热导率增加得以抑制的包括多孔烧结体的绝热材料，即，维持在高温下的绝热特性，同时轻量、可提高施工时的操作性的绝热材料。本发明的绝热材料的一个方案中，包括气孔率70vol%以上且低于91vol%的多孔烧结体，孔径0.8μm以上且低于10μm的气孔在总气孔容积中占10vol%以上且70vol%以下，且孔径0.01μm以上且低于0.8μm的气孔在总气孔容积中占5vol%以上且30vol%以下，所述多孔烧结体为由MgAl₂O₄（尖晶石）原料和由无机材料形成的纤维所形成的烧结体，在1000℃以上且1500℃以下的热导率为0.40W/(m・K)以下，所述多孔烧结体中Si相对于Mg的重量比为0.15以下。
绝热材料

[发明专利]绝热材料-CN201310374690.2有效
发明人：赤岭宗子;藤田光广 -专利权人： 科发伦材料株式会社
申请日： 2013-08-26 - 公布日： 2014-05-07 - 主分类号： C04B35/44 文献下载
摘要：本发明提供即使在1000℃以上的高温区域中，导热系数的增加也受到抑制且保持优异的绝热性的绝热材料。其构成为：气孔率为65~90vol%，由化学式XAl₂O₄（X＝Zn，Fe，Mg，Ni或Mn）表示的尖晶石质的多孔质烧结体形成，孔径超过1000μm的粗大气孔占总气孔容积的25vol%以下、孔径为0.45μm以下的微小气孔占孔径为1000μm以下的气孔的容积中的5~40vol%、孔径为0.14~10μm的范围内具有至少1个气孔径分布峰，烧结体颗粒的算术平均粒径为0.04~1μm。
绝热材料

[实用新型]碳纤维强化碳复合材坩埚及碳纤维强化碳复合圆筒部件-CN201220224890.0有效
发明人：津岛荣树;吉光大志;森隆员 -专利权人： 科发伦材料株式会社
申请日： 2012-05-18 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：提供一种能够抑制冷却时的石英玻璃坩埚的咬入、能够不将石英玻璃坩埚破坏而将石英玻璃坩埚容易地拆下、还能够抑制硅化的碳纤维强化碳复合圆筒部件及碳纤维强化碳复合材坩埚。一种为了将收容熔融材料的石英玻璃坩埚支承、保持而使用的、具有底部和设在上述底部的上方的直体部的碳纤维强化碳复合材坩埚，其特征在于，上述底部由石墨材形成，并且，上述直体部由包括使用拉伸弹性率400GPa以上900GPa以下的沥青类碳纤维的碳纤维纺织布的碳纤维强化碳复合材形成，并且从常温升温到800℃时的直体部的周向的平均线热膨胀系数是石英玻璃的平均线热膨胀系数以下。
碳纤维强化复合坩埚圆筒部件

[发明专利]用于熔化硅的坩埚和该坩埚使用的脱模剂-CN201210027444.5无效
发明人：大桥忠;梅本净二郎;一木豪 -专利权人： 科发伦材料株式会社
申请日： 2009-05-07 - 公布日： 2012-07-18 - 主分类号： F27B14/10 文献下载
摘要：本发明涉及用于熔化硅的坩埚和该坩埚使用的脱模剂。根据本发明的用于熔化硅的坩埚是包括坩埚主体和至少在该坩埚主体的内表面上形成的保护膜的用于熔化硅的坩埚，该坩埚主体包括耐热部件，其中该保护膜具有SiOxNy的组分，其中X＞0且Y＞0。根据本发明的用于熔化硅的坩埚对于硅块具有优异的释放能力，减小硅熔料中溶入的杂质量，并且可以以低成本制造。此外，本发明提供一种在用于熔化硅的坩埚的制造中使用的脱模剂。
用于熔化坩埚使用脱模剂

[发明专利]硅晶片的热处理方法-CN201080033825.3有效
发明人：仙田刚士;矶贝宏道;丰田英二;村山久美子;荒木浩司;青木龙彦;须藤治生;泉妻宏治;前田进;鹿岛一日儿 -专利权人： 科发伦材料株式会社
申请日： 2010-05-17 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： H01L21/26 文献下载
摘要：本发明提供硅晶片的热处理方法，该方法能够在抑制RTP时的滑移发生的同时，使原生微缺陷的降低能力提高，并且，在RTP之后，能够改善所得到的硅晶片的表面粗糙度。对硅晶片，在惰性气体气氛中，以第1升温速度急速升温至1300℃以上硅的融点以下的第1温度T1为止，在保持第1温度T1之后，以第1降温速度急速降温至400℃以上800℃以下的第2温度T2为止，接着，从惰性气体气氛转换为含有20vol.％以上100vol.％以下的氧气的含氧气氛之后，以第2升温速度从第2温度T2急速升温至1250℃以上硅的融点以下的第3温度T3为止，于第3温度T3保持之后，以第2降温速度从第3温度T3急速降温。
晶片热处理方法

[发明专利]硅晶片及硅晶片的热处理方法-CN201080025868.7有效
发明人：仙田刚士;矶贝宏道;丰田英二;荒木浩司;青木龙彦;须藤治生;泉妻宏治;前田进;鹿岛一日儿;齐藤广幸 -专利权人： 科发伦材料株式会社
申请日： 2010-05-28 - 公布日： 2012-05-16 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：本发明提供抑制存在于晶片主体部的空洞缺陷成为设备加工中的污染源或滑移的产生源的硅晶片，及可在进行RTP时于形成设备活性区域的晶片表面附近降低COP等结晶缺陷的硅晶片的热处理方法。通过在对采用CZ法制备的硅晶片进行RTP时，使供给第1空间20a内和第2空间20b内的气体和空间内的内压、最高到达温度T1等达到所规定值的硅晶片的热处理方法，提供如下硅晶片：晶片表面部1为不存在空洞缺陷的无缺陷区域，比晶片表面部1更深的晶片主体部2由以八面体为基本形状的多面体构成，上述多面体的角部为曲面状，且存在内壁氧化膜被除去的空洞缺陷4。
晶片热处理方法

[实用新型]惰性气体回收装置-CN201120012638.9无效
发明人：佐藤修治;今美纪夫 -专利权人： 科发伦材料株式会社
申请日： 2011-01-07 - 公布日： 2011-09-14 - 主分类号： C01B23/00 文献下载
摘要：本实用新型提供一种惰性气体回收装置，其可以在降低氩气净化时成本的同时，提高所回收的氩气中一氧化碳去除率。本实用新型的惰性气体回收装置具有：第一去除单元(10)，其对从拉晶装置回收的惰性气体中的固相成分去除；空气导入单元(20)，其向通过第一去除单元后的惰性气体中导入空气；第二去除单元(30)，其对导入了空气的惰性气体中含有的固相成分去除；反应单元(40)，其向通过第二去除单元后的惰性气体中至少导入氢气并进行反应；第三去除单元(50)，其将通过反应单元后的惰性气体中的水分去除；以及第四去除单元(60)，其对通过水分去除单元后的惰性气体净化，去除惰性气体中含有的氮气、一氧化碳气体、二氧化碳气体、氢气以及氧气。
惰性气体回收装置

[发明专利]碳纤维补强碳复合材料坩埚以及该坩埚的制造方法-CN201110037106.5有效
发明人：吉光大志;外谷荣一;大川雅行;森隆员;津岛荣树 -专利权人： 科发伦材料株式会社
申请日： 2011-01-31 - 公布日： 2011-08-03 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明提供碳纤维补强碳复合材料坩埚，其是在制造半导体材料或太阳电池材料等的单晶或多晶的装置中用于支撑、保持收纳溶融材料的坩埚而使用的碳纤维补强碳复合材料坩埚，在其底部弯曲部去除了褶皱或搭接的段差部分，耐久性提高。碳纤维补强碳复合材料坩埚1具有在周边部具弯曲部的底部3和从上述底部弯曲部延伸至上方的直腹部2，上述底部3和直腹部2通过贴合多块交替编织碳纤维的经纱和纬纱得到的碳纤维织布11、12、13(10)而形成，同时位于上述底部弯曲部的碳纤维织布的经纱和纬纱的轴线相对于坩埚圆周方向呈倾斜方向形成。
碳纤维补强碳复合材料坩埚以及制造方法

[发明专利]热处理硅晶片的方法-CN201010106318.X无效
发明人：仙田刚士;矶贝宏道;丰田英二;村山久美子;荒木浩司;青木竜彦;须藤治生;泉妻宏治;前田进;鹿岛一日児 -专利权人： 科发伦材料株式会社
申请日： 2010-01-28 - 公布日： 2010-08-04 - 主分类号： C30B29/06 文献下载
摘要：在热处理通过分割由直拉生长法制造的硅单晶锭而获得的晶片的方法中，在具有1.0％或以上且20％或以下的氧分压和氩气的含氧混合气体气氛中，通过在1200℃或以上且硅熔点或以下的极限温度下，设置保持时间为等于或长于一秒且等于或短于60秒，来进行快速加热/冷却热处理，并且由此在硅晶片表面上形成具有9.1nm或以下、或者24.3nm或以上厚度的氧化物膜。
热处理晶片方法

[发明专利]用于外延衬底的硅晶片的制造方法和外延衬底的制造方法-CN200910173463.7无效
发明人：藤井达男 -专利权人： 科发伦材料株式会社
申请日： 2009-09-18 - 公布日： 2010-05-19 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明提供一种制造用于外延衬底的硅晶片的方法，包括第一步骤，在包含不少于1E19atoms/cm3的硼原子的硅晶片上进行热氧化，由此在硅晶片的表面上形成氧化硅膜；第二步骤，剥离氧化硅膜；和第三步骤，在氢气氛中，在硅晶片上进行热处理。
用于外延衬底晶片制造方法

[发明专利]等离子体处理装置用陶瓷-CN200910174366.X无效
发明人：渡边敬祐;村田征隆;松本慎太郎 -专利权人： 科发伦材料株式会社
申请日： 2009-09-11 - 公布日： 2010-03-17 - 主分类号： C04B35/505 文献下载
摘要：本发明涉及等离子体处理装置用陶瓷。本发明提供对于卤类腐蚀性气体、等离子体等的耐腐蚀性优异，实现低电阻化，且即使在卤等离子体工序中也可以抑制该陶瓷的构成原料引起的杂质金属污染，可以适合用于半导体、液晶制造用的等离子体处理装置的构成部件中的等离子体处理装置用陶瓷。使用向氧化钇中添加相对于氧化钇为3重量％～30重量％的二氧化铈、相对于氧化钇为3重量％～50重量％的五氧化铌，并在还原氛围气体中烧结而成的开孔率为1.0％以下的陶瓷。
等离子体处理装置陶瓷

[发明专利]硅晶片、硅晶片的制造方法及硅晶片的热处理方法-CN200910157497.7有效
发明人：矶贝宏道;仙田刚士;丰田英二;村山久美子;泉妻宏治;前田进;鹿岛一日児;荒木浩司;青木竜彦;须藤治生;望月阳一郎;小林昭彦;符森林 -专利权人： 科发伦材料株式会社
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：本发明提供一种硅晶片、硅晶片的制造方法及硅晶片的热处理方法，其对于根据利用切克劳斯基法培养的单晶硅块制造的硅晶片，在氧气分压为20％以上且100％以下的氧化性气体气氛中，以1300℃以上且1380℃以下的最高到达温度(T₁)，进行快速加热和快速冷却热处理。本发明的硅晶片在硅晶片(10)的至少包含器件活性区域的无缺陷区域(DZ层)(12)内具有固溶氧浓度为0.7×10¹⁸原子/cm³以上的高氧浓度区域，且在无缺陷区域(12)内以过饱和状态含有晶格间硅(14)。
晶片制造方法热处理

[发明专利]硅晶片的制造方法-CN200910157496.2有效
发明人：矶贝宏道;仙田刚士;丰田英二;村山久美子;泉妻宏治;前田进;鹿岛一日児 -专利权人： 科发伦材料株式会社
申请日： 2009-07-30 - 公布日： 2010-02-03 - 主分类号： C30B33/02 文献下载
摘要：在硅晶片的制造方法中，在硅晶片上执行第一热处理工序，同时引入具有0.01vol.％或以上且1.00vol.％或以下量的氧气和稀有气体的第一气体，以及执行第二热处理工序，同时停止引入第一气体，并且替换地引入具有20vol.％或以上且100vol.％或以下量的氧气和稀有气体的第二气体。在第一热处理工序中，以第一加热速率，将该硅晶片迅速地加热到1300℃或以上且硅熔点或以下的第一温度，并保持在第一温度。在第二热处理工序中，该硅晶片保持第一温度，并以第一冷却速率，迅速地从第一温度冷却。
晶片制造方法

[发明专利]用于熔化硅的坩埚和该坩埚使用的脱模剂-CN200910137671.1无效
发明人：大桥忠;梅本净二郎;一木豪 -专利权人： 科发伦材料株式会社
申请日： 2009-05-07 - 公布日： 2009-11-11 - 主分类号： F27B14/10 文献下载
摘要：本发明涉及用于熔化硅的坩埚和该坩埚使用的脱模剂。根据本发明的用于熔化硅的坩埚是包括坩埚主体和至少在该坩埚主体的内表面上形成的保护膜的用于熔化硅的坩埚，该坩埚主体包括耐热部件，其中该保护膜具有SiO_xN_y的组分，其中X＞0且Y＞0。根据本发明的用于熔化硅的坩埚对于硅块具有优异的释放能力，减小硅熔料中溶入的杂质量，并且可以以低成本制造。此外，本发明提供一种在用于熔化硅的坩埚的制造中使用的脱模剂。
用于熔化坩埚使用脱模剂

[发明专利]等离子体处理装置所使用的烧结体以及构件-CN200910004649.X无效
发明人：村田征隆;渡边敬祐 -专利权人： 科发伦材料株式会社
申请日： 2009-03-02 - 公布日： 2009-09-02 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供等离子体处理装置所使用的烧结体以及构件。所述等离子体处理装置所使用的烧结体以及构件以氧化铈为主成分，对于卤素系气体或其等离子体等的耐腐蚀性优异，可实现低电阻化，并且在卤素等离子体工艺中，也可抑制该陶瓷的构成原料引起的杂质金属污染，可代替氧化钇适用于半导体·液晶制造用等的等离子体处理装置的构成构件。使用至少暴露于等离子体的部分被在纯度99％以上的氧化铈100重量份中添加有3重量份以上100重量份以下的纯度99％以上的氧化钇的烧结体、或者被同样组成的喷射膜包覆的构件，另外使用在在纯度99％以上的氧化铈中，添加有占整个组成中1～50mol％的纯度99％以上的氧化钇或纯度99％以上的氧化镧，至少暴露于等离子体的部分的表面粗糙度Ra小于1.6μm的烧结体。
等离子体处理装置使用烧结以及构件

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