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[发明专利]电力半导体元件、包括其电力半导体芯片及其制造方法-CN202211671720.1在审
发明人：姜旻岐;禹赫;朴泰泳;李珠焕;赵善衡;尹成晥;金太阳 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2022-12-26 - 公布日： 2023-10-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明公开电力半导体元件、包括其电力半导体芯片及其制造方法。根据本发明的一个实施例的电力半导体元件可包括：每一个配置成从半导体基板的第一面朝向与所述第一面相对的第二面凹陷(recess)的栅极电极；配置成与所述栅极电极配置的沟槽及各所述第一面相接，且包含第一导电型的掺杂物的发射区域；配置成与所述第二面相接，包含作为所述第一导电型的相反导电型的第二导电型的掺杂物的集电区域；包围所述沟槽的底面且沿所述沟槽的延伸方向朝向所述第二面延伸，包含所述第二导电型的掺杂物的浮置区域；以及在所述沟槽内配置于所述栅极电极之间的沟槽发射区域。根据本发明的电力半导体元件能够在保持耐压特性的同时提高工作稳定性。
电力半导体元件包括芯片及其制造方法

[发明专利]功率半导体器件、功率半导体芯片及其制造方法-CN202211696554.0在审
发明人：赵善衡;禹赫;朴泰泳;李珠焕;姜旻岐;尹成晥;金太阳 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2022-12-28 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本公开涉及功率半导体器件、功率半导体芯片及其制造方法。该功率半导体器件包括：栅电极，从半导体基板的第一表面凹进至半导体基板的与第一表面相对设置的第二表面；发射器区域，包括第一导电类型的杂质，该发射器区域被设置为与设置有栅电极的沟槽和第一表面接触；收集器区域，包括与第一导电类型相对的第二导电类型的杂质，该收集器区域被设置为与第二表面接触；浮置区域，包括第二导电类型的杂质，该浮置区域在包围沟槽的底面的同时沿着沟槽的延伸方向朝向第二表面延伸；以及沟槽发射器区域，在沟槽中插入栅电极下方。
功率半导体器件半导体芯片及其制造方法

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201910539437.5有效
发明人：李珠焕;朴泰泳;禹赫;姜旻岐;金莹俊;金台烨;尹成晥;赵善衡;河定穆 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2019-06-20 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请公开了功率半导体器件及其制造方法。一种功率半导体器件，包括：第一沟槽栅极和第二沟槽栅极，呈带状形状，在衬底中在一个方向上平行地延伸并且彼此间隔开；第三沟槽栅极，呈梯状形状，在衬底中在与第一沟槽栅极和第二沟槽栅极之间的一个方向不同的方向上延伸；第一导电类型的体区，分别布置在衬底中在第一沟槽栅极、第二沟槽栅极与第三沟槽栅极之间；一对第一导电类型的浮动第一区，在衬底中围绕第一沟槽栅极和第二沟槽栅极的每个底表面和至少一侧；以及第一导电类型的浮动第二区，在衬底中围绕第三沟槽栅极的底表面。
功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]功率半导体器件-CN202210645131.X在审
发明人：河定穆;禹赫;金台烨;崔东桓;金信儿 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2022-06-09 - 公布日： 2023-01-13 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开提供了一种功率半导体器件。功率半导体器件包括：基于碳化硅(SiC)的半导体层；设置为在半导体层内部在垂直方向上延伸并且具有第一导电类型的垂直漂移区；阱区，其定位在垂直漂移区的至少一侧处以与垂直漂移区接触并且具有第二导电类型；凹入栅电极，其从半导体层的表面延伸到半导体层中并且掩埋在垂直漂移区和阱区中以在第一方向上与垂直漂移区和阱区交叉；源区，其在凹入栅电极之间定位在阱区中并且具有第一导电类型；以及绝缘层保护区，其在垂直漂移区中分别围绕凹入栅电极的下部并且具有第二导电类型。本公开的功率半导体器件可以减轻电场集中到栅极层的角部，减小沟道电阻和增大沟道密度。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件及制造其的方法-CN202210563781.X在审
发明人：金信儿;金台烨;河定穆;崔东桓;禹赫 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2023-01-10 - 主分类号： H01L27/02 文献下载
摘要：一种功率半导体器件，包括：SiC半导体层；多个阱区，其设置在半导体层中，使得两个相邻的阱区至少部分地彼此接触；多个源区，其设置在半导体层中的多个阱区上；漂移区，其具有第一导电类型；多个沟槽，其设置为从半导体层的表面凹入半导体层中；栅绝缘层，其设置在每个沟槽的内壁上；栅电极层，其设置在栅绝缘层上，并且包括设置在每个沟槽中的第一部分和设置在半导体层上的第二部分；柱区，其位于多个阱区下方，以与漂移区接触；以及多个阱区，其设置在半导体层中，并且具有第二导电类型。
功率半导体器件制造方法

[发明专利]功率半导体器件-CN202111491168.3在审
发明人：金信儿;金台烨;河定穆;禹赫 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2021-12-08 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本申请公开了功率半导体器件，其包括碳化硅(SiC)半导体层；设置在半导体层中的多个阱区，多个阱区彼此间隔开且具有第二导电类型；分别设置在多个阱区上的半导体层中的多个源极区，其彼此间隔开；具有第一导电类型；以及设置在半导体层中的漂移区，漂移区从多个阱区的下侧穿过多个阱区之间延伸至半导体层的表面；多个沟槽；栅极绝缘层和设置在栅极绝缘层上的栅电极层。
功率半导体器件

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201811259649.X有效
发明人：李珠焕;禹赫 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2018-10-26 - 公布日： 2022-04-29 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本发明涉及功率半导体器件及其制造方法。该器件包括：外延层，其构成有源单元区的一部分并且以第一浓度掺杂有第一导电类型的杂质；场截止区，其位于外延层下方且以第二浓度掺杂有第一导电类型的杂质，该第一导电类型的杂质随后被激活；以及集电极区，其位于场截止区下方并且掺杂有第二导电类型的杂质。该场截止区通过重复交替地布置其中第一导电类型的杂质的激活相对较强的区域和其中第一导电类型的杂质的激活相对较弱的区域来形成。
功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN202110580877.2在审
发明人：河定穆;禹赫;金信儿;金台烨 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2021-05-26 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种功率半导体器件，包括：碳化硅(SiC)的半导体层；在一个方向上延伸的至少一个沟槽；在所述至少一个沟槽的至少内壁上形成的栅极绝缘层；在所述栅极绝缘层上形成的至少一个栅极电极层；在所述至少一个栅极电极层的至少一侧的半导体层中形成的漂移区；在所述半导体层中形成得比所述至少一个栅极电极层深的阱区；在所述阱区中形成的源极区；以及在所述漂移区与所述源极区之间、所述至少一个栅极电极层的一侧的半导体层中形成的至少一个沟道区。根据本申请的功率半导体器件可以提供改善的高耐压特性和改善的操作可靠性。
功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN202110566190.3在审
发明人：河定穆;禹赫;金信儿;金台烨 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供了一种功率半导体器件，包括：SiC的半导体层；栅极绝缘层；栅电极层；漂移区，所述漂移区包括所述半导体层中的至少一个突出部分并且具有第一导电类型；阱区，所述阱区包括所述半导体层中的第一阱区并且与所述突出部分接触，以及第二阱区，所述第二阱区位于所述栅电极层外部的半导体层并且连接到所述第一阱区，并且具有第二导电类型；源区，包括第一阱区中的第一源区和第二阱区中并且连接到所述第一源区的第二源区，并且具有第一导电类型；以及栅电极层之下的沟道区，所述沟道区位于所述突出部分和所述第一源区之间的所述半导体层中，并且具有第一导电类型。
功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及制造其的方法-CN201611077777.3有效
发明人：千大焕;郑永均;李钟锡;金英俊;金台曅;禹赫 -专利权人：现代自动车株式会社;现代摩比斯株式会社
申请日： 2016-11-30 - 公布日： 2021-06-15 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体器件，包括：n‑型层，其设置在n+型碳化硅衬底的第一表面上；第一沟槽，其在n‑型层中形成；p型区域，其设置在第一沟槽的两个侧表面上；n+型区域，其设置在第一沟槽的两个侧表面上，并且设置在n‑型层和p型区域上；栅极绝缘层，其设置在第一沟槽内侧；栅电极，其设置在栅极绝缘层上；氧化物层，其设置在栅电极上；源电极，其设置在氧化物层和n+区域上；以及漏电极，其设置在n+型碳化硅衬底的第二表面上，其中作为累积层沟道的第一沟道和作为反型层沟道的第二沟道设置在第一沟槽的两个侧表面中，并且第一沟道和第二沟道被设置成在n+型碳化硅衬底的第一表面的水平方向上相邻。
半导体器件制造方法

[发明专利]功率半导体装置-CN201710469418.0有效
发明人：金莹俊;禹赫;金台烨;赵汉信;朴泰泳;李珠焕 -专利权人：现代摩比斯株式会社
申请日： 2017-06-20 - 公布日： 2021-04-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本公开涉及功率半导体装置。本发明提供了一种半导体装置，其包括：衬底，包括有源区域和边缘区域并且包含掺杂有具有第一导电类型的杂质的半导体；绝缘膜，设置在衬底的边缘区域上；场板图案，设置在绝缘膜上；以及具有第二导电类型的至少一个第一掺杂区域，被埋入衬底的边缘区域中并且在具有平行于衬底的上表面的矢量分量的方向上延伸。
功率半导体装置

[发明专利]半导体装置及其制造方法-CN201710249273.3有效
发明人：金台烨;禹赫;金莹俊;朴泰泳;赵汉信;崔闰喆 -专利权人：现代奥特劳恩株式会社
申请日： 2017-04-17 - 公布日： 2020-11-27 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明提供一种半导体装置及其制造方法。该半导体装置包括：基板，其包括第1面及相向于第1面的第2面；外延层，其形成在基板的第1面的上方，且具有第1导电型；基极区，其形成在外延层内，且具有与第1导电型不同的第2导电型；源极区，其形成在基极区内，且具有第1导电型；沟道区，其在基极区内，与源极区间隔而成，且具有第1导电型；及阻挡区，其形成在源极区和沟道区之间，且具有第2导电型。根据本发明能够通过阻挡区(Barrier region)来确保半导体装置的运行稳定性。
半导体装置及其制造方法

[发明专利]功率半导体装置及其制造方法-CN201710475227.5有效
发明人：金莹俊;禹赫;金台烨;赵汉信;朴泰泳;李珠焕 -专利权人：奥特润株式会社
申请日： 2017-06-21 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：本申请公开了功率半导体装置及其制造方法。提供了一种功率半导体装置，包括：一对栅电极，在衬底中分别设置在彼此间隔开的第一沟槽和第二沟槽中；具有第一导电类型的本体区域，设置在第一沟槽和第二沟槽之间；具有第一导电类型的一对浮置区域，其彼此间隔开并且分别包围第一沟槽和第二沟槽的底表面和至少一个侧表面；以及具有第二导电类型的漂移区域，其这对浮置区域的下方延伸穿过这对浮置区域之间的区域直至所述本体区域，其中，在所述漂移区域中，这对浮置区域之间的第二导电类型的掺杂浓度高于在这对浮置区域下方的第二导电类型的掺杂浓度。
功率半导体装置及其制造方法

[发明专利]功率半导体器件及其制造方法-CN201710413790.X有效
发明人：金莹俊;禹赫;金台烨;赵汉信;朴泰泳;李珠焕 -专利权人：奥特润株式会社
申请日： 2017-06-05 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：一种功率半导体器件及其制造方法，包括：栅电极，配置于基板的沟道内；第一导电型的主体区和第二导电型的源区，第一导电型的主体区在基板内配置于栅电极的一侧，第二导电型的源区在第一导电型的主体区内与栅电极相邻配置；第一导电型的浮动区，在基板内配置于栅电极的另一侧；第一导电型的边缘掺杂区，在基板内与第一导电型的浮动区分离配置并与源区电连接；第二导电型的边缘结隔离区，在基板内配置于第一导电型的浮动区与第一导电型的边缘掺杂区之间；以及第二导电型的漂移区，在基板内配置于第一导电型的浮动区、第一导电型的边缘掺杂区以及第二导电型的边缘结隔离区下方，边缘结隔离区的第二导电型掺杂浓度比漂移区的第二导电型掺杂浓度高。
功率半导体器件及其制造方法

[发明专利]超级结半导体器件-CN201510412322.1有效
发明人：禹赫;金大柄;崔彰容;姜棋太;全珖延;赵文秀;权纯琢 -专利权人：美格纳半导体有限公司
申请日： 2015-07-14 - 公布日： 2020-09-01 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：提供一种超级结半导体器件。所述超级结半导体器件包括：垂直柱区域，位于有源区上；水平柱区域，位于终止区上，其中，垂直柱区域和水平柱区域彼此连接，并且同时在终止区中整个柱区域不浮置。因此，虽然终止区的长度相对短，但是柱区域之间产生的电荷补偿差异被抵消。
超级半导体器件

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