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[实用新型]预失真负反馈驱动放大器的偏置模块电路-CN202222423255.1有效
发明人：黄继伟;龚著浩;倪栋梁;李梁锋;吴维嘉 -专利权人：福州大学;福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2022-09-14 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种预失真负反馈驱动放大器的偏置模块电路，包括：相连接的：电流镜电路和相位补偿电路；所述电流镜电路包括由三极管QB1‑QB3以及三极管Q0构成电流镜；其中，三极管QB1的发射极经电阻R0接地，集电极和基极接三极管QB3的发射极；所述三极管QB3的集电极和基极与三极管QB2的基极经一电容接地，并经电阻R2接电压输入端Vref1；所述三极管QB2的集电极接电压输入端VCC，且发射极经相位补偿电路和电阻R1接三极管Q0的基极，并经一电容接入输入信号；所述三极管Q0的发射极接地，集电极经一电感接电压输入端VCC且经一电容接地，并作为信号输出端；所述相位补偿电路用于形成反向电容Cbc‑rb以抵消三极管Q0的基极‑集电极寄生电容Cbc。
失真负反馈驱动放大器偏置模块电路

[发明专利]一种MIM电容结构及其制作方法-CN202310288592.0在审
发明人：翁佩雪;林进福;张朝闵 -专利权人： 福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2023-03-23 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： H01L23/64 文献下载
摘要：本发明公开了一种MIM电容结构及其制作方法，包括在一半导体基板上依次沉积下极板金属层、电容介质层、上极板金属层、保护层和聚合物层；在聚合物层上采用一个具有多个连接孔的光罩，进行光阻涂布、曝光和显影得到孔洞图形后，再采用RIE工艺对保护层和聚合物层进行分段蚀刻，形成选择性孔洞；在选择性孔洞内及聚合物层上方沉积一层金属连接层。本发明通过采用一次光罩配合RIE反应性离子刻蚀法，对聚合物层和保护层进行分段多孔蚀刻，替代现有整面性开孔的方式，满足上极板金属层与金属连接层连接导电的同时，减少了极板金属颗粒对保护层的影响，并只需一次曝光即可，减少对聚合物层及保护层的伤害，有效降低了电容短路的概率，提高了电容的可靠性。
一种 mim 电容结构及其制作方法

[发明专利]一种改善砷化镓通孔蚀刻工艺中崩边的方法-CN202310063614.3在审
发明人：黄光伟;林进福;张朝闵;陈建星;吴靖 -专利权人： 福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2023-01-12 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明提供的一种改善砷化镓通孔蚀刻工艺中崩边的方法，包括以下步骤：S1、在已完成正面工艺的晶背的表面溅镀金属层；S2、在金属层上附着第一光阻层，经对准显影，去除待蚀刻通孔处的第一光阻层；S3、对待蚀刻通孔处的金属层进行蚀刻；S4、进行ICP蚀刻通孔，产生崩边；S5、去除第一光阻层和金属层；S6、在晶背的表面涂布聚酰亚胺，用于填充崩边形成的孔洞。本发明采用光阻层和金属层组合作为掩膜，避免了因光阻不够厚，或光阻过厚导致的形貌问题，用聚酰亚胺填充崩边形成的孔洞，可以避免金属布线时因崩边孔导致的异常形貌。
一种改善砷化镓通孔蚀刻工艺中崩边方法

[发明专利]一种WAT数据处理成map的方法及终端-CN202211724553.2在审
发明人：黄光伟;林进福;张朝闵;陈建星;吴靖 -专利权人： 福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： G06F40/174 文献下载
摘要：本发明公开了一种WAT数据处理成map的方法及终端，捞取WAT数据的数据源；采用Excel对数据源进行分列处理得到包含坐标列和数据列的分列处理数据；根据分列处理数据坐标列提取各数据的坐标值，以及坐标X轴和Y轴的最大值和最小值，根据坐标X轴和Y轴的最大值和最小值生成map区域；根据生成的map区域单元格坐标和坐标列包含坐标的对应关系，将坐标对应的数据列单元格的数据填入map区域；以map区域内容作为map数据输出生成的map。能快速的将圆晶测试的源数据转换成map数据输出，该处理过程通过坐标得到数据形成的长和宽的值，实现处理数据过程中适配所有光罩下的量测数据map，无需每次手动输入长宽值，具有较好的适配性。
一种 wat 数据处理 map 方法终端

[发明专利]一种化学电解回收黄金的设备及其使用方法-CN202111599182.5有效
发明人：李贵森;关铁军;黄劲聪;黄俊钦;许嘉庆;杨健 -专利权人： 福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2021-12-24 - 公布日： 2023-05-23 - 主分类号： C25C1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种化学电解回收黄金的设备，设备包括槽体；槽体内通过隔板形成预加热槽与电解槽，预加热槽内设有若干个预加热管；槽体上连接有进水管，槽体上连接有出水管；阳极板与阴极板交错插设于电解槽内，且阳极板和阴极板均与隔板相互平行设置；电解槽相对的两侧壁上设有的台阶，且台阶上设有用于连接阳极板与阴极板的连接机构；阳极板通过连接机构与电源主控盒的正极相连，阴极板通过连接机构与电源主控盒的负极相连；本发明通过阴极板将电解槽分隔成一个个小型电解槽，使该回收设备对黄金的回收率大大提高，有利于对于含有金离子的电解液进行大规模处理；使回收设备能够应用于流水线作业的生产线上，具有极强推广性。
一种化学电解回收黄金设备及其使用方法

[发明专利]一种增加电感量的电感制程方法及电感结构-CN201911252953.6有效
发明人：黄光伟;李立中;陈智广;吴淑芳;林伟铭 -专利权人： 福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-12-09 - 公布日： 2023-05-19 - 主分类号： H10N97/00 文献下载
摘要：本发明公开一种增加电感量的电感制程方法，其中方法包括如下步骤：沉积氮化物于晶圆正面，形成正面氮化物层蚀刻正面氮化物层并在被蚀刻部分制作正面金属层；在晶圆背面涂布第一光阻层，蚀刻晶圆，去除第一光阻层，并于晶圆背面进行溅镀金属；涂布第二光阻层于晶圆背面，并沉积金属。涂布第三光阻层于晶圆背面，并沉积金属；最后通过第一接触端和第二接触端的断路开口处蚀刻溅镀金属到正面氮化物层，使晶圆背面的沉积金属与正面金属层连接形成电感结构。上述发明通过在蚀刻孔数不变，以及金属用量不增反减的情况下，使绕组匝数增加，电路能提供更大的电感量和更充沛的电能，同时获得更高的品质因数Q。
一种增加电感方法结构

[发明专利]一种WAT数据处理成列的方法及终端-CN202211710395.5在审
发明人：黄光伟;林进福;张朝闵;陈建星;吴靖 -专利权人： 福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2022-12-29 - 公布日： 2023-04-18 - 主分类号： G06F40/174 文献下载
摘要：本发明公开一种WAT数据处理成列的方法及终端，将item数据复制至excel中设定数字粘贴区域；获取数据粘贴区域各单元格的坐标作为第一表列，获取数字粘贴区域的各单元格的数据作为第二表列，创建与第一表列和第二表列对应的第三表列，判断第二表列各单元格是否为空，若是将第三表列与该单元格对应的单元格为空，否则将第二表列中与该单元格对应的单元格复制至该单元格；采用Excel对第三表列进行删除重复值，得到所有数据的坐标并形成第四表列，获取第四表列各单元格坐标对应的数据形成第五表列，输出第五表列作为item的成列数据。复制至处理区域后。通过Excel自带的判断函数即可简单的将WAT数据处理成列，提高了效率同时也保证了数据处理的正确。
一种 wat 数据处理方法终端

[发明专利]一种半导体器件介质层蚀刻方法-CN202211720716.X在审
发明人：黄光伟;林进福;张朝闵;陈建星;吴靖 -专利权人： 福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体器件介质层蚀刻方法，包括在砷化镓衬底上方依次沉积一层第一金属层和氮化硅层；在氮化硅层上依次涂布一层聚酰亚胺层和光阻层；对光阻层进行对准显影，形成光阻弧形轮廓，然后对聚酰亚胺层进行氧电浆蚀刻，形成聚酰亚胺弧形轮廓；采用ICP蚀刻将聚酰亚胺弧形轮廓转移到氮化硅层上，形成氮化硅弧形轮廓；在具有光阻弧形轮廓、聚酰亚胺弧形轮廓和氮化硅弧形轮廓的一面蒸镀一层第二金属层。本发明通过以光阻形貌作为基础掩膜，采用两种蚀刻实现将光阻形貌转移到氮化硅层上，形成小角度的蚀刻形貌，再进行金属的蒸镀，以避免蒸镀上的金属断裂，有效降低了避免金属断裂使用的蒸镀金属量。
一种半导体器件介质蚀刻方法

[发明专利]一种垂直电感制程方法-CN202211721935.X在审
发明人：黄光伟;林进福;张朝闵;陈建星;吴靖 -专利权人： 福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2022-12-30 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： H01F41/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种垂直电感制程方法，包括进行正面金属导线制程，在晶圆衬底层的正面沉积一层氮化硅层后涂布第一光刻胶层并依次进行第一次对准显影和第一次蚀刻，然后进行正面金属层蒸镀，得到两条正面金属导线；进行背面蚀刻孔制程，在晶圆衬底层的背面涂布第二光刻胶层并依次进行第二次对准显影和第二次蚀刻，然后进行背面金属层溅镀，得到背面蚀刻孔；采用光刻胶或聚酰亚胺填充背面蚀刻孔，并涂布第三光刻胶层，然后依次进行第三次对准显影和第三次蚀刻，得到蚀刻孔内具有两条金属导线的垂直电感成品。本发明最终形成以蚀刻孔内具有两条金属导线式的垂直螺旋电感结构，使得电路能提供更大的电感量和更充沛的电能，达到更高的品质。
一种垂直电感方法

[发明专利]用于短距离无线通信的高线性宽带功率放大器-CN202211083736.0在审
发明人：黄继伟;龚著浩;倪栋梁;李梁锋;吴维嘉 -专利权人：福州大学;福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2022-09-06 - 公布日： 2022-11-29 - 主分类号： H03F1/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于短距离无线通信的高线性宽带功率放大器，采用两级预失真以及负反馈技术提高线性化性能，通过优化两级有源偏置电路以及第一级负反馈网络，来改善整体功率放大器的AM‑AM失真，同时驱动级偏置电路中引入了线性化器补偿功率级的AM‑PM失真，并采用新型双并联负反馈回路以获得良好的增益平坦度。同时在输出匹配网络中通过设计谐波陷阱对二次、三次谐波进行抑制，进一步提高整体电路的线性度。该功率放大器应用于短距离无线通信，在复杂的信号调制技术下，能以高保真度对具有高均峰比信号进行放大，满足无线通信系统严格的线性度规范。
用于短距离无线通信线性宽带功率放大器

[发明专利]一种异质结双极晶体管结构及制造方法-CN201910433131.1有效
发明人：邓丹丹;林锦伟;郭文海;赵玉会;翁佩雪;甘凯杰;钟艾东;林伟铭 -专利权人： 福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-05-23 - 公布日： 2022-11-18 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：本发明公开一种异质结双极晶体管结构及制造方法，其中方法包括如下步骤：在具有发射极接触金属的半导体器件上进行蚀刻，蚀刻发射极接触位置四周的帽层；保留发射极接触位置下面和半导体器件四周的帽层；沉积第一保护层；对基极接触位置进行蚀刻，蚀刻去除基极接触位置上的第一保护层和发射极层；在基极接触位置沉积基极接触金属；沉积第二保护层；对基极台面位置进行蚀刻，蚀刻去除基极台面位置四周的第二保护层、第一保护层、发射极层、基极层和部分集电极层，保留半导体器件四周的结构。本方案可以避免箭影的产生，提高产品良率，降低了寄生电容，从而减少了射频损耗。
一种异质结双极晶体管结构制造方法

[发明专利]一种基于晶体管的电阻结构及其制作方法-CN201910784342.X有效
发明人：陈智广;吴淑芳;林伟铭 -专利权人： 福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-08-23 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明公开一种基于晶体管的电阻结构及其制作方法，其中方法包括如下步骤：在具有栅极金属、源极金属、漏极金属、第一层氮化物以及第一层金属连线的器件上沉积第二层氮化物；对源极金属、漏极金属位置的第二层氮化物进行蚀刻开口；沉积平坦化层，对源极金属、漏极金属位置的平坦化层进行蚀刻开口；沉积第二层金属，使得第二层金属连接源极第一层金属和漏极第一层金属。本技术方案具有如下优点：优点1：省去了现有制备高值电阻的工艺步骤，可有效降低制造成本，同时因工艺步骤减少可在一定程度上提高制程稳定性。优点2：制备出高值的电阻占用外延面积较小。
一种基于晶体管电阻结构及其制作方法

[发明专利]一种晶体管管芯结构及制作方法-CN201910942730.6有效
发明人：郑伯涛;陈建星;邱文宗;林易展;王淋雨;林伟;章剑清;郭一帆;林伟铭 -专利权人： 福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-09-30 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L29/778 文献下载
摘要：本发明提供了一种晶体管管芯结构及制作方法，其中制作方法包括如下步骤：在具有有源区、无源区、源极、漏极和栅极的半导体衬底上沉积第一层金属，在有源区形成源极金属和漏极金属，靠近源极的一侧的最外侧源极金属为第一源极金属，其余的源极金属为第二源极金属，源极金属的一侧延伸至无源区；沉积第二层金属，在相邻的源极金属和漏极金属之间形成栅极金属；沉积第三层金属，形成源极连线金属、漏极连线金属和栅极连线金属；以第一源极金属无源区部分和第二源极无源区部分为桥墩位置制作源极金属桥，源极金属桥连接源极金属和源极金属；本发明制作连通源极时不跨越有源区的栅极金属和漏极金属的金属桥结构，减小了寄生电容，提升器件射频工作性能。
一种晶体管管芯结构制作方法

[发明专利]一种空气桥制作方法及具有该空气桥的器件-CN201910648325.3有效
发明人：陈建星;林易展;王淋雨;林伟;郑伯涛;章剑清;邱文宗;林伟铭;郭一帆 -专利权人： 福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-07-18 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本发明公开一种空气桥制作方法及具有该空气桥的器件，其中方法包括如下步骤：在器件表面覆盖聚酰亚胺，高温固化，使用第一光罩干蚀刻聚酰亚胺，露出预连接的桥墩；涂布第一光阻，高温固化，利用第一光罩光刻，露出预连接的桥墩；涂布第二光阻，利用第二光罩光刻出桥面；沉积金属到桥墩和桥面，形成桥结构，曝光显影去除第一光阻，而后用显影液去除第二光阻。本方案使用两层光罩制作含聚酰亚胺的空气桥连线，节约光罩成本。中空的介质空气桥有利于提高器件的工作频率，可以降低器件的暗电流。
一种空气制作方法具有器件

[发明专利]一种单片晶圆测试多台设备的方法-CN201910849155.5有效
发明人：吴恋伟;林元鼎;邓丹丹;郭文海;翁佩雪;赵玉会;林锦伟 -专利权人： 福建省福联集成电路有限公司
申请日： 2019-09-09 - 公布日： 2022-08-19 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本发明公开了一种单片晶圆测试多台设备的方法，包括以下步骤：应力测试仪对裸硅晶圆进行应力前置测试，获取前置应力值；将裸硅晶圆置入化学气相沉积设备中，对应力测试后的裸硅晶圆沉积氮化硅，膜厚测试仪对沉积氮化硅的硅晶圆进行膜厚和折射率测试，获取氮化硅膜厚和折射率作为化学气相沉积设备测机参数，以及应力测试仪对沉积氮化硅的硅晶圆进行后置应力测试，获取第一后置应力值。本方案省去多道传统检测工艺步骤，简化测机工艺流程，缩短了检测周期，减少测机片的使用，提高检测效率。
一种单片测试设备方法

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