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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

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B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]压印方法和压印系统-CN201210211232.2有效
发明人：铃木理人;河野拓也;高桑真步;福原和也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2012-06-21 - 公布日： 2013-01-23 - 主分类号： G03F7/00 文献下载
摘要：本发明涉及压印方法和压印系统。根据一个实施例，一种压印方法包括：在要处理的膜上涂敷光固性有机材料，使模板的凹凸图形接触所述光固性有机材料，在使所述模板接触所述光固性有机材料的状态下向所述模板施加力，通过在使所述模板接触所述光固性有机材料的状态下将光辐射到所述光固性有机材料来固化所述光固性有机材料，以及在光辐射之后将所述模板撤离所述光固性有机材料。施加到所述模板的力对应于在所述要处理的膜的表面和所述模板之间的间隙。
压印方法系统

[发明专利]曝光装置的检查方法-CN200710096417.2无效
发明人： 福原和也;井上壮一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-08-28 - 公布日： 2007-10-31 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明的目的在于不增加成本进行曝光装置的照明轴偏移的检查。借助于光掩模1，使感光基板18的表面和二次光源14的面变成为光学共轭状态，在该状态下，对不包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域，和与该区域不重叠的、包括投影光学系统17的光瞳的边缘的区域进行照明以使感光基板18曝光，然后，根据使感光基板18显影得到的图案对照明轴偏移进行检查。
曝光装置检查方法

[发明专利]掩膜数据的修正方法、光掩膜和光学像的预测方法-CN200710096371.4无效
发明人： 福原和也;河村大辅;三本木省次 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-02-23 - 公布日： 2007-09-26 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明提供一种考虑了实际曝光装置的特性的掩膜数据的修正方法、光掩膜、掩膜数据的修正程序。在制作在光刻工序中使用的光掩膜时所使用的掩膜数据的修正方法，根据使用包含使用光掩膜的曝光装置中的照明亮度分布的不均匀性的信息的仿真进行掩膜数据的修正，其中上述光掩膜是使用上述修正结果得到的掩膜数据制作的光掩膜。
数据修正方法光掩膜光学预测

[发明专利]光掩模的判定方法以及半导体器件的制造方法-CN200610149472.9无效
发明人：小谷敏也;福原和也;出羽恭子 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-11-21 - 公布日： 2007-05-30 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种光掩模的判定方法，其包括：规定第1曝光装置用的光掩模的掩模图案的工序；规定能够设定在第2曝光装置的多个曝光条件的工序；对于所述多个曝光条件的每一个，预测通过所述第2曝光装置投影到基板上的所述掩模图案的投影像的工序；对于所述多个曝光条件的每一个，预测基于所述投影像形成在基板表面的加工图案的工序；对于所述多个曝光条件的每一个，判断所述加工图案是否满足规定的条件的工序；在对于至少一个所述曝光条件所述加工图案满足规定条件的情况下，判断为能够把所述光掩模用于所述第2曝光装置的工序。
光掩模判定方法以及半导体器件制造

[发明专利]偏振状态检查方法和检查衬底、半导体器件的制造方法-CN200610084026.4无效
发明人： 福原和也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2006-03-28 - 公布日： 2006-11-22 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：偏振状态检查方法包括：在具有平坦的表面和反射率随偏振方向而变化的格子图案的检查晶片上形成检查感光层；照明光使上述检查感光层曝光；测量上述检查感光层的感光变化；根据上述感光变化检查上述照明光的偏振状态。检查衬底包括：用照明光进行照射设置有间距小于等于上述照明光的波长的2倍的格子图案的检查晶片；配置在上述检查晶片上的检查感光层。半导体器件的制造方法除了上述内容还包括：根据上述偏振状态修正上述照明光的照明光学系统；在产品晶片上涂敷产品抗蚀剂膜；用上述照明光学系统把设置在产品掩模上的电路图形的像投影到上述产品抗蚀剂膜上；显影上述产品抗蚀剂膜，在上述产品晶片上形成与上述电路图形对应的产品抗蚀剂图形。
偏振状态检查方法衬底半导体器件制造

[发明专利]掩膜数据的修正方法、光掩膜和光学像的预测方法-CN200510008834.8无效
发明人： 福原和也;河村大辅;三本木省次 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-02-23 - 公布日： 2005-08-31 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供一种考虑了实际曝光装置的特性的掩膜数据的修正方法、光掩膜、掩膜数据的修正程序。在制作在光刻工序中使用的光掩膜时所使用的掩膜数据的修正方法，根据使用包含使用光掩膜的曝光装置中的照明亮度分布的不均匀性的信息的仿真进行掩膜数据的修正，其中上述光掩膜是使用上述修正结果得到的掩膜数据制作的光掩膜。
数据修正方法光掩膜光学预测

[发明专利]曝光系统、杂散光检查用的检查掩模及评价光刻工艺的方法-CN200510000307.2无效
发明人： 福原和也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2005-01-06 - 公布日： 2005-07-20 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明中，曝光系统包括：将各格栅图形与窗口图形多次投影到晶片上同一区域的曝光装置、在此晶片上以窗口图形投影位置为基准来测定格栅图形投影像线宽尺寸变动的线宽测定部、据此尺寸变动评价依赖于掩模覆盖率的尺寸变动因素的覆盖率依赖性评价部；评价光刻工艺的方法包括：于晶片上涂布光刻胶、将具有格栅图形与窗口图形的检查图形分别投影到光刻胶投影区域上、基于窗口图形的投影位置测定格栅图形投影像的线宽尺寸变动、据此尺寸变动评价依赖于掩模覆盖率的尺寸变动因素。本发明还涉及杂散光检查掩模、评价曝光装置的方法、产生校正的掩模图形的方法以及半导体器件的制造方法。
曝光系统散光检查评价光刻工艺方法

[发明专利]曝光装置检查用掩模、曝光装置检查方法和曝光装置-CN200410081165.2无效
发明人： 福原和也 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2004-09-30 - 公布日： 2005-04-13 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：本发明用于简便地检查曝光装置的照明光的偏振状态。把检查用掩模50载置到曝光装置30的光掩模载置台34上。检查用掩模50，在透明基板51的背面一侧具备遮光图形53，借助于在该遮光图形53上形成的针孔55，在透明基板51的正面一侧形成2次光源41的像41’。形成该像41’的光束通过偏振器图形56－59，投影到已涂敷到晶片35上的抗蚀剂上边。抗蚀剂的除去比率因偏振器图形56－59的偏振轴方向而变化，根据该变化，就可以判定2次光源41的偏振方向是否处于预期的方向。
曝光装置检查用掩模方法

[发明专利]检查方法和光掩模-CN03147290.7无效
发明人： 福原和也;田中聪;井上壮一 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-07-11 - 公布日： 2004-05-05 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明提供一种投影光学系统的高精度的检查方法。通过经偏振的第1曝光光，在涂敷于晶片(10)上的抗蚀剂上转印光掩模(33)的曝光标记，并求出投影光学系统(9)的光学特性。接着，通过其偏光状态与第1曝光光不同的第2曝光光，在涂敷于晶片(10)上的抗蚀剂上转印光掩模(33)的曝光标记，并求出投影光学系统(9)的光学特性。然后，计算通过第1和第2曝光光求出的光学特性之差，进行投影光学系统(9)的性能检查。
检查方法光掩模

[发明专利]投影光学系统的像差测定方法-CN03102390.8无效
发明人： 福原和也;佐藤隆 -专利权人：株式会社东芝
申请日： 2003-02-12 - 公布日： 2003-08-27 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本发明的方法包含：将照明光一并照射到形成有衍射格子的光掩膜的有限区域，使该照明光入射到形成在光掩膜上的衍射格子上产生的衍射光入射到投影光学系统，把从该投影光学系统射出的0次衍射光以及1次衍射光，投影在与上述二次光源共轭的测定面上，测定从上述二次光源内的任意一个点光源发出的光线入射到上述衍射格子中发生的0次衍射光以及1次衍射光在上述测定面上的投影位置的位置关系的步骤；在上述光线的光轴方向位置和上述测定面不同的第2测定面上测定上述位置关系的步骤；根据求得的位置关系，求出与用于上述位置关系的测定的光线有关的光线像差的步骤。
投影光学系统测定方法

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