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[发明专利]用于光刻过程窗口最大化光学邻近效应校正的方法和系统-CN200910260605.3有效
发明人：叶军;曹宇;冯函英 -专利权人： 睿初科技公司
申请日： 2009-12-17 - 公布日： 2010-06-23 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光刻过程窗口最大化光学邻近效应校正的方法和系统。进一步，本发明涉及一种有效的提高用于将具有多个特征的目标图案成像的光刻过程的成像性能的OPC方法。该方法包括步骤：确定用于形成模拟图像的函数，该函数表征与光刻过程相关的过程变化；和基于该函数优化每次OPC迭代中每个评估点的目标灰度。在一实施例中，该函数被近似为焦距和曝光的多项式函数，R(ε，f)＝P0+f2·Pb，对轮廓具有阈值T+Vε，其中PO表示名义焦距处的图像强度，f表示相对于名义焦距的散焦值，ε表示曝光变化，V表示曝光变化的缩放，以及参数“Pb”表示二阶导数图像。在一实施例中，在假定焦距和曝光变化的概率分布是高斯分布的情况下，给出最佳焦距的解析最优灰度。
用于光刻过程窗口最大化光学邻近效应校正方法系统

[发明专利]用于光刻校准的方法和系统-CN200910212014.9有效
发明人：叶军;曹宇;冯函英 -专利权人： 睿初科技公司
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光刻校准的方法和系统。一种有效的光学和抗蚀剂参数校准的方法，其基于模拟用来对具有多个特征的目标图案成像的光刻过程的图像性能。所述方法包括步骤：确定用于生成模拟图案的函数，其中所述函数表征与所述光刻过程相关的过程变化；和使用所述函数生成所述模拟图案，其中所述模拟图案表示用于所述光刻过程的所述目标图案的所述图像结果。用于光刻过程的校准的系统和方法，通过该系统和方法计算用于光学系统的名义配置的多项式拟合，该系统和方法可以用来估计其它配置的临界尺寸。
用于光刻校准方法系统

[发明专利]用于光刻术模型校准的图案选择-CN200910212013.4有效
发明人：曹宇;叶军;邵文晋;R·J·G·古森斯 -专利权人： 睿初科技公司
申请日： 2009-11-06 - 公布日： 2010-06-16 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明主要涉及用于光刻模型校准的图案选择的方法和设备。根据一些方面，本发明的图案选择算法可以被应用于任何已有的候选测试图案池。根据一些方面，本发明自动地选择这些测试图案，其能够更有效地由已有的候选测试图案池来确定优化的模型参数值，如与设计优化图案相反。根据另外的方面，根据本发明的已选择的测试图案组能够激发模型公式中的所有已知的物理和化学特性，确保测试图案的晶片数据可以将模型校准推动成优化的参数值，其实现了由模型公式施加的预测精度的上边界。
用于光刻模型校准图案选择

[发明专利]用于实施基于模型的光刻引导的布局设计的方法-CN200880018349.0有效
发明人：叶军;曹宇;冯函英 -专利权人： 睿初科技公司
申请日： 2008-06-03 - 公布日： 2010-03-24 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开一种用以产生有效的基于模型的亚分辨辅助特征(MB-SRAF)的方法。产生SRAF引导图，其中每个设计目标边缘位置为给定场点表决有关布置在该场点上的单像素SRAF将改善还是弱化整个过程窗口的空间图像。在一个实施例中，SRAF引导图被用于确定SRAF布置规则和/或用于微调已经布置的SRAFs。SRAF引导图可以直接用于在掩模布局中布置SRAFs。可以产生包括SRAFs的掩模布局数据，其中根据SRAFs引导图布置SRAFs。SRAF引导图可以包括这样的图像：即，在所述图像中如果像素被包括作为亚分辨辅助特征的一部分，每个像素值指示所述像素将是否对所述掩模布局中的特征的边缘行为提供正面贡献。
用于实施基于模型光刻引导布局设计方法

[发明专利]用于对全芯片图案实施图案分解的方法-CN200810173349.X有效
发明人：陈洛祁;陈虹;李江伟;罗伯特·约翰·索卡 -专利权人： 睿初科技公司;ASML荷兰有限公司
申请日： 2008-11-13 - 公布日： 2009-07-01 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于将包括要印制到晶片上的特征的目标图案分解成多个图案的方法。所述方法包括步骤：将所述目标图案分割成多个小块；识别每个小块内违反最小间隔要求的临界特征；为具有临界特征的所述多个小块中的每一个生成临界组图形，其中给定小块的所述临界组图形限定所述给定小块内的所述临界特征的着色方案，并且所述临界组图形还识别延伸到与所述给定小块相邻的邻接小块的临界特征；对于所述目标图案生成整体临界组图形，所述整体临界组图形包括所述多个小块中的每一个的所述临界组图形和延伸到邻接小块的所述特征的识别；以及基于所述整体临界组图形限定的所述着色方案着色所述目标图案。
用于芯片图案实施分解方法

[发明专利]光刻工艺窗口模拟的方法和系统-CN200810179829.7有效
发明人：叶军;曹宇;冯函英 -专利权人： 睿初科技公司
申请日： 2008-12-05 - 公布日： 2009-06-10 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：一种有效地模拟用来成像具有多个特征的目标设计的光刻工艺的成像性能的方法，该方法包括如下步骤：确定产生被模拟的图像的函数，所述函数计算与所述光刻工艺相关的工艺变化；及采用所述函数产生所述被模拟的图像，所述被模拟的图像表示用于所述光刻工艺的所述目标设计的成像结果。在一个给定的实施例中，用于模拟在焦距和剂量(曝光)变化情况下的所述空间图像的函数定义为：I(x，f，1+ε)＝I₀(x)+[ε·I₀(x)+(1+ε)·a(x)·(f-f₀)+(1+ε)·b(x)·(f-f₀)²],其中I₀表示在额定焦距和曝光条件下的图像强度，f₀表示额定焦距，f和ε表示计算被模拟的图像时的实际焦距-曝光水平，及参数“a”和“b”表示关于焦距变化的一阶和二阶导数图像。
光刻工艺窗口模拟方法系统

[发明专利]用于平板印刷仿真的系统和方法-CN200810178751.7有效
发明人：叶军;卢彦文;曹宇;陈洛祁;陈恂 -专利权人： 睿初科技公司
申请日： 2004-09-07 - 公布日： 2009-04-29 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明涉及一种技术和系统，用于仿真、验证、检查、特征化、确定和/或评价平板印刷设计、技术和/或系统以及/或者由此执行的单独功能或其中使用的部件；加速了平板印刷系统和处理技术的光学特征和/或属性以及效果和/或相互作用的平板印刷仿真、检查、特征化和/或评价。在这点上，本发明利用包括专用硬件加速器的平板印刷仿真系统架构和包括整个平板印刷工艺的具体仿真和特征化的用以加速和促进掩模设计的处理技术。系统包括：一个或多个通用型计算装置，用以在数据处理中执行具有分支和相互依赖的基于范例的逻辑，以及加速器子系统，用以执行多数计算密集任务。
用于平板印刷仿真系统方法

[发明专利]用于实现基于模型的扫描器调整方法-CN200810213600.0有效
发明人：叶均;曹宇 -专利权人： 睿初科技公司
申请日： 2008-08-22 - 公布日： 2009-02-25 - 主分类号： G03F7/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于实现基于模型的扫描器调整方法，所述方法采用参考光刻系统对第一光刻系统进行调整，所述参考光刻系统和第一光刻系统中的每个都具有用于控制成像性能的可调整参数。所述方法包括以下步骤：定义测试图案和成像模型；采用参考光刻系统对测试图案进行成像并测量成像结果；采用第一光刻系统对测试图案进行成像并测量成像结果；采用对应于参考光刻系统的成像结果对成像模型进行校准，其中经过校准的成像模型具有第一组参数值；采用对应于第一光刻系统的成像结果对经过校准的成像模型进行调整，其中经过调整的被校准的模型具有第二组参数值；以及基于第一组参数值和第二组参数值之差调整第一光刻系统的参数。
用于实现基于模型扫描器调整方法

[发明专利]用于光学邻近效应校正的多变量求解器-CN200810130216.4有效
发明人：威廉姆·S·翁;陈斌德;李江伟;西部达夫;陆颜文 -专利权人： 睿初科技公司
申请日： 2008-06-16 - 公布日： 2009-02-04 - 主分类号： G03F1/14 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于光学邻近效应校正的多变量求解器以及一种求解方法，其中本发明的方法遵循在掩模布局中的边缘片段的统一运动如何改变在所述布局中的控制点上的抗蚀剂图像值，以及如何同时确定针对在所述布局中的每个边缘片段的校正量。表示在掩模布局中的每个边缘片段的运动的统一效果的多求解器矩阵被用于同时确定针对在所述掩模布局中的每个边缘片段的校正量。
用于光学邻近效应校正多变求解

[发明专利]采用独立掩模误差模型的掩模验证系统和方法-CN200680041991.1有效
发明人：叶军;斯蒂芬·亨斯克 -专利权人： 睿初科技公司
申请日： 2006-09-08 - 公布日： 2008-11-12 - 主分类号： G03F1/00 文献下载
摘要：公开了系统和方法，所述系统和方法用于检验所制造的光刻掩模；从掩模检验数据中提取物理掩模数据；基于在所述物理掩模数据和掩模布局数据之间的差别确定系统的掩模误差数据；基于所述系统的掩模误差数据生成系统的掩模误差参数；形成具有系统的掩模误差参数的独立的掩模误差模型；采用特定的掩模和/或特定的投影系统预期光刻过程的图案化性能；以及预期工艺修正，所述工艺修正优化图案化性能并由此优化最终器件产量。
采用独立误差模型验证系统方法

[发明专利]用于形成光刻工艺的焦点曝光模型的系统和方法-CN200680029512.4有效
发明人：叶军;曹宇;陈洛祁;刘华玉 -专利权人： 睿初科技公司
申请日： 2006-08-02 - 公布日： 2008-09-03 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：公开了一种用于形成光刻工艺的焦点曝光模型的系统和方法。所述系统和方法采用沿着参数变化的多个维度的校准数据，尤其是在曝光离焦工艺窗口空间内。所述系统和方法提供一组统一的模型参数值，所述模型参数值导致在名义上的工艺条件下的模拟的更好的精确度和鲁棒性，以及预见在对于不同的设定不需要重新校准的情况下的在遍及整个工艺窗口区段的连续的任何点上的光刻性能。在比现有技术的多模型校准需要更少的测量的情况下，离焦曝光模型提供更有预见性和更有鲁棒性的参数值，所述参数值可以被用于工艺窗口中的任何位置上。
用于形成光刻工艺焦点曝光模型系统方法

[发明专利]用于平板印刷仿真的系统和方法-CN200480026144.9有效
发明人：叶军;卢彦文;曹宇;陈洛祁;陈恂 -专利权人： 睿初科技公司
申请日： 2004-09-07 - 公布日： 2006-10-18 - 主分类号： G06F17/50 文献下载
摘要：这里描述和图示有许多发明。在一个方面中，本发明针对一种技术和系统，用于仿真、验证、检查、特征化、确定和/或评价平板印刷设计、技术和/或系统以及/或者由此执行的单独功能或其中使用的部件。在一个实施例中，本发明是一种系统和方法，该系统和方法加速了平板印刷系统和处理技术的光学特征和/或属性以及效果和/或相互作用的平板印刷仿真、检查、特征化和/或评价。在这点上，在一个实施例中，本发明利用一种包括专用硬件加速器(116a...116n)的平板印刷仿真系统架构(110)和一种包括整个平板印刷工艺的具体仿真和特征化的用以加速和促进掩模设计例如RET设计的验证、特征化和/或检查的处理技术，以验证该设计在最终的晶片图案上实现和/或提供了所需结果。系统(110)包括：(1)一个或多个通用型计算装置(114a、142a、142b)，用以在数据处理中执行具有分支和相互依赖的基于范例的逻辑，以及(2)加速器子系统(146a1...146ax、...、146n1...146nx)，用以执行多数计算密集任务。
用于平板印刷仿真系统方法

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