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[发明专利]用于刻蚀基于金属膜的超导量子比特芯片的方法-CN202310914663.3在审
发明人：燕羽;相忠诚;宋小会;许凯;范桁;郑东宁 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2023-07-25 - 公布日： 2023-09-19 - 主分类号： H10N60/01 文献下载
摘要：本发明提供一种用于刻蚀基于金属膜的超导量子比特芯片的方法，其包括如下步骤：(1)在衬底上形成金属膜；(2)在所述金属膜上形成光刻胶涂层；(3)采用布尔函数取反变换对所述光刻胶涂层进行曝光和显影；(4)在步骤(3)曝光和显影后所形成的结构上形成掩膜层；(5)去除光刻胶以在所述金属膜上留下具有期望图案的掩膜层；(6)对步骤(5)所形成的结构中的金属膜进行刻蚀，以形成具有期望图案的金属膜；(7)去除掩膜层；其中，所述掩膜层由选自金和/或铂的材料形成。本发明的方法可以长时间稳定的刻蚀金属膜，用以制备高质量的基于金属膜的量子比特芯片。
用于刻蚀基于金属膜超导量子比特芯片方法

[发明专利]耦合强度可调的量子比特结构-CN202110930931.1有效
发明人： 相忠诚;宋小会;郭学仪;宋鹏涛;王战;郑东宁 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2023-07-25 - 主分类号： G06N10/40 文献下载
摘要：提供一种耦合强度可调的量子比特结构，其包括：第一量子比特、第二量子比特以及位于所述第一量子比特与所述第二量子比特之间的可调耦合器；所述第一量子比特和所述第二量子比特分别电容耦合至所述可调耦合器，所述可调耦合器控制所述第一量子比特和所述第二量子比特之间的耦合系数；以及其中，所述第一量子比特和所述第二量子比特是transmon的形式，所述可调耦合器是xmon的形式。
耦合强度可调量子比特结构

[发明专利]一种跨模块可调耦合的量子比特芯片-CN202211629846.2在审
发明人：梁珪涵;相忠诚;宋小会;赵思路;梅铮扬;许凯;范桁;郑东宁 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2022-12-19 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H10N69/00 文献下载
摘要：提供一种跨模块可调耦合的量子比特芯片，包括：至少一个布线层芯片；至少两个比特层芯片，其耦合至所述至少一个布线层芯片；所述至少两个比特层芯片包括相邻的第一比特层芯片和第二比特层芯片，所述第一比特层芯片和所述第二比特层芯片之间的近邻比特通过可调耦合器进行电容耦合；所述第一比特层芯片包括彼此电容耦合的位于芯片边缘的第一量子比特和第一旁路电容电极，所述第二比特层芯片包括位于芯片边缘的第二量子比特，位于所述第一比特层芯片和所述第二比特层芯片之间的布线层芯片包括第二旁路电容电极；所述第一旁路电容电极电容耦合到所述可调耦合器，所述第二量子比特经由所述第二旁路电容电极电容耦合到所述可调耦合器。
一种模块可调耦合量子比特芯片

[发明专利]电容可调耦合单元-CN202210717997.7在审
发明人： 相忠诚;宋小会;梁珪涵;赵思路;梅铮扬;李想;李力;许凯;范桁;郑东宁 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2022-06-23 - 公布日： 2022-10-25 - 主分类号： G06N10/40 文献下载
摘要：本发明提供一种电容可调耦合单元，其包括：第一量子比特、第二量子比特、可调耦合器以及第一旁路电容；其中，所述第一量子比特和所述可调耦合器均电容耦合至所述第一旁路电容的第一极，所述第一旁路电容的第二极接地，以及所述第二量子比特电容耦合至所述可调耦合器。
电容可调耦合单元

[发明专利]一种三维封装超导量子比特器件、其制备方法和设备-CN202210561358.6在审
发明人：宋小会;杜燕京;相忠诚;张贺;郑东宁 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2022-05-23 - 公布日： 2022-08-16 - 主分类号： H01L39/22 文献下载
摘要：本发明提供了一种三维封装超导量子比特器件，所述铌基超导量子比特器件从下到上依次设置为：下层衬底、第一超导薄膜、金属柱子、第二超导薄膜、上层衬底；还提供了其制备方法和设备。本发明三维封装超导量子比特器件避免了铝基比特样品，铝材料与铟柱子之间合金化,形成非超导层,难以实现超导连接的弊端，简化了工艺步骤，实现了三维立体超导连接。多个焊接点串联测试得到超导临界电流达到100mA，远大于铝基倒装焊器件30mA的临界电流。器件制备工艺简单，性能稳定。由于超导材料铌与铟之间超导连接，可以在连接处施加大的电流而不会引起发热等现象，有助于对超导比特器件实现三维立体操控。倒装芯片短的互连减小了电感，电阻和电容，信号完整性和频率特性更好。
一种三维封装超导量子比特器件制备方法设备

[实用新型]用于微波器件芯片的样品盒以及微波器件-CN202120851398.5有效
发明人：宋鹏涛;郭学仪;相忠诚;宋小会;王战;郑东宁 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-04-23 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L39/04 文献下载
摘要：提供一种用于微波器件芯片的样品盒，包括：盒子主体，盒子主体包括内部腔体，内部腔体为上部开口的空腔，在空腔中，在盒子主体底部设置用于容纳芯片的凹槽，在盒子主体的侧面上设置通孔，用于插入连接器；以及盖子，用于密闭盒子主体。
用于微波器件芯片样品以及

[发明专利]一种三维量子芯片及其制备方法-CN202110930517.0在审
发明人： 相忠诚;宋小会;郭学仪;宋鹏涛;王战;郑东宁 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-08-13 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L25/16 文献下载
摘要：提供一种三维量子芯片，包括：量子比特层，其包括第一衬底以及在第一衬底上的量子比特；辅助图形层，其包括第二衬底、在第二衬底上的多种辅助图形以及贯穿第二衬底且沉积有金属的穿孔；以及布线层，其包括连接线以及连接端子，连接线的第一端连接至连接端子，第二端用于数据的输出；其中量子比特层具有量子比特的一面和辅助图形层具有辅助图形的一面通过连接金属焊接在一起，布线层上的连接端子与辅助图形层不具有辅助图形的一面上的穿孔中的沉积金属连接。
一种三维量子芯片及其制备方法

[发明专利]约瑟夫森参量放大器及其制备方法-CN202110191259.9在审
发明人：宋鹏涛;宋小会;相忠诚;郭学仪;王战;郑东宁 -专利权人：中国科学院物理研究所
申请日： 2021-02-19 - 公布日： 2021-06-01 - 主分类号： H01L39/24 文献下载
摘要：本发明提供一种制备约瑟夫森参量放大器的方法，其包括：在衬底的第一部分上沉积底电极材料层，使用电子束曝光技术在底电极材料层上形成电容底电极、磁通偏置和泵浦输入线以及电子束套刻标记；在底电极材料层上，沉积介质材料层，使用电子束曝光技术在介质材料层上形成电容介质层；在电容介质层上制备电容上电极，其中使用电子束曝光技术定义电容上电极的形状；在衬底的第二部分上制备超导量子干涉器；其中，底电极材料层选用与衬底原子序数差距较大以使得底电极材料层与衬底在扫描电镜下能够区分的超导材料。
约瑟夫参量放大器及其制备方法

[发明专利]一种MoO₂纳米片的制备方法及MoO₂纳米片-CN201410695809.0有效
发明人：张仲;相忠诚;王庆宝 -专利权人：济南大学
申请日： 2014-11-26 - 公布日： 2016-11-16 - 主分类号： C01G39/02 文献下载
摘要：本发明提供一种MoO2纳米片的制备方法及MoO2纳米片的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：(1)取1g‑10g还原氧化石墨烯溶于20ml无水乙醇中，在磁力搅拌机中充分搅拌1小时，然后旋涂在1cmX1cm单晶硅上；(2)取0.5g‑3gMoO3粉末放入钢玉舟中；(3)旋涂后的单晶硅面朝MoO3粉末放置但不直接接触MoO3粉末；(4)将单晶硅和钢玉舟放入高温炉恒温区中，并通入氮气N2；(5)将高温炉加热到850摄氏度并保持2小时，自然降温至室温。本发明的方法简单易行，成功率极高，能够达到90％以上，产品分布均匀、型为纳米片状，产品精度极高，适宜推广应用。
一种 moo sub 纳米制备方法

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