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[发明专利]一种提高翘曲蓝宝石晶圆研磨良率的方法-CN202011221863.3有效
发明人：郭凯;崔志勇;薛建凯;张向鹏;张晓娜;李永强;王雪;白城镇 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2020-11-05 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：本发明涉及一种提高翘曲蓝宝石晶圆研磨良率的方法，其包括以下步骤：(1)、在翘曲蓝宝石晶圆的正面对蓝宝石衬底进行开槽；(2)、在翘曲蓝宝石晶圆的背面对蓝宝石衬底进行开槽；(3)、对翘曲蓝宝石晶圆的蓝宝石衬底进行减薄；(4)、对翘曲蓝宝石晶圆的蓝宝石衬底进行研磨。其可以改善翘曲大及内应力大的蓝宝石晶圆在研磨工艺中的不良率。
一种提高蓝宝石研磨方法

[发明专利]一种氮化铝模板的制备方法-CN202110659364.0有效
发明人：徐广源;蒋国文;樊怡翔;白城镇;常煜鹏 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2021-06-15 - 公布日： 2023-01-03 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种氮化铝模板的制备方法，其包括以下步骤：(1)、在衬底的表面上溅射10～1000nm厚的氮化铝层；(2)、将表面溅射有氮化铝层的衬底进行高温退火处理；(3)、将经过高温退火处理后的表面溅射有氮化铝的衬底进行深冷处理；(4)、将深冷处理后的表面溅射有氮化铝的衬底升温至室温；(5)、将升温至室温的表面溅射有氮化铝的衬底进行低温退火处理；(6)、重复循环上述步骤(3)‑步骤(5)两到六次，得到最终的氮化铝模板。其可有效优化AlN和蓝宝石界面的应力状态，改善界面的结合性能，减小AlN的晶格应变，提高用此模板生长不同组分AlGaN的表面形貌和晶体质量。
一种氮化模板制备方法

[发明专利]半导体结构的制备方法、半导体结构及超导量子器件-CN202210354267.5在审
发明人：马亮亮;王念慈;白城镇 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-12-06 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体结构的制备方法、半导体结构及超导量子器件，属于量子信息领域。所述制备方法通过先形成第一掩膜于衬底的表面，所述表面包括相对的第一表面和第二表面，再图形化所述第一掩膜获得第一窗口和第二窗口，且所述第一窗口位于所述第一表面，所述第二窗口位于所述第二表面，然后利用氢氧化钾溶液通过所述第一窗口和所述第二窗口刻蚀所述衬底获得通孔，所述通孔包括连通的第一部分通孔和第二部分通孔，且所述第一部分通孔形成于所述第一表面，所述第二部分通孔形成于所述第二表面。本申请获得的通孔中，第一部分通孔的侧壁和第二部分通孔的侧壁均呈倾斜，有助于在侧壁生长材料实现互连的工艺。
半导体结构制备方法超导量子器件

[实用新型]半导体结构及超导量子器件-CN202220774990.4有效
发明人：马亮亮;王念慈;白城镇 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2022-04-02 - 公布日： 2022-08-12 - 主分类号： H01L23/48 文献下载
摘要：本申请公开了一种半导体结构的制备方法、半导体结构及超导量子器件，属于量子信息领域。所述制备方法通过先形成第一掩膜于衬底的表面，所述表面包括相对的第一表面和第二表面，再图形化所述第一掩膜获得第一窗口和第二窗口，且所述第一窗口位于所述第一表面，所述第二窗口位于所述第二表面，然后利用氢氧化钾溶液通过所述第一窗口和所述第二窗口刻蚀所述衬底获得通孔，所述通孔包括连通的第一部分通孔和第二部分通孔，且所述第一部分通孔形成于所述第一表面，所述第二部分通孔形成于所述第二表面。本申请获得的通孔中，第一部分通孔的侧壁和第二部分通孔的侧壁均呈倾斜，有助于在侧壁生长材料实现互连的工艺。
半导体结构超导量子器件

[发明专利]一种刻蚀液及刻蚀方法-CN202110938767.9在审
发明人：杨晖;李坤锋;王念慈;张亮;王晨;白城镇 -专利权人：合肥本源量子计算科技有限责任公司
申请日： 2021-08-16 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： C23F1/20 文献下载
摘要：本发明公开了一种刻蚀液及刻蚀方法，所述刻蚀液由用于浸蚀金属氧化物的酸溶液、酸性缓冲溶液、用于氧化表层金属的酸溶液组成，本发明通过采用用于浸蚀金属氧化物的酸溶液、酸性缓冲溶液、用于氧化表层金属的酸溶液配置酸性刻蚀液，可在超导量子芯片加工过程中，用于刻蚀由铝膜构成的超导层，即便在流片过程中，光刻胶层未显影的区域发生了不希望的曝光，曝光区域的光刻胶层发生光解反应生成不与酸性溶液发生反应的物质，该物质覆盖在超导层上，不与本申请的刻蚀液反应，因而本申请刻蚀液不会侵蚀溶解该物质，从而使超导层不与刻蚀液相接处，从而避免在蚀刻过程中，超导层在光刻胶未显影的区域被蚀刻出坑点，大大提高了良品率。
一种刻蚀方法

[实用新型]一种多焊盘倒装发光二极管-CN202023272302.4有效
发明人：郭凯;崔志勇;薛建凯;张向鹏;张晓娜;李永强;王雪;白城镇 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2020-12-30 - 公布日： 2021-08-24 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种多焊盘倒装发光二极管，属于半导体器件技术领域，能够改善大功率、大尺寸倒装芯片的电流分布，提高发光效率。实用新型提供了的多焊盘倒装发光二极管，包括芯片，芯片上表面设有多组不同极性的焊盘，每个焊盘之间设有隔离区，相同极性的焊盘呈对角分布，不同极性的焊盘比邻分布。本实用新型通过增设焊盘数量，合理规划焊盘排布，进而增加了注入电流注入点，同时缩短了电流通过芯片的路径，有效抑制了由于电流经过长距离电极造成的电流衰减及部分区域电流密度过高，有效提高电流通过整个芯片，从而改善电流分布和密度，达到提高发光效率的效果。
一种多焊盘倒装发光二极管

[实用新型]一种倒装发光二极管芯片及具有其的倒装发光二极管-CN202022545544.X有效
发明人： 白城镇;崔志勇;郭凯;薛建凯;张向鹏;张晓娜;李永强;尉尊康 -专利权人：山西中科潞安紫外光电科技有限公司
申请日： 2020-11-06 - 公布日： 2021-06-22 - 主分类号： H01L33/36 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种倒装发光二极管芯片，包括衬底(1)，设置在衬底(1)上的N‑GaN层(2)，设置在N‑GaN层(2)的一部分上的多层量子阱层(3)和设置在多层量子阱层(3)上的p‑GaN层(4)，p‑GaN层(4)上设置有电流扩展层(9)，电流扩展层(9)和N‑GaN层(2)的剩余部分上设置有一次钝化层(5)，一次钝化层(5)上设置有DBR层(6)，一次钝化层(5)和DBR层(6)中有两个第一开口，两个第一开口中设置有两个第一电极(10)，DBR层(6)和两个第一电极(10)上设置有二次钝化层(11)，二次钝化层(11)中有两个第二开口，两个第二开口中设置有两个第二电极(12)。其可以极大地提高光提取效率及产品可靠性。
一种倒装发光二极管芯片具有

[发明专利]一种倒装发光二极管芯片的制作方法-CN201811059192.8在审
发明人：韩涛;徐瑾;白城镇 -专利权人：聚灿光电科技（宿迁）有限公司
申请日： 2018-09-12 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： H01L33/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种倒装发光二极管芯片的制作方法，包括如下几个步骤：1）使用MOCVD生长外延层，从下至上依次是PSS衬底、u‑GaN、N‑GaN、MQW、P‑EBL、P‑GaN；2）将外延层清洗干净之后进行ICP刻蚀，刻蚀出N区；3）在P‑GaN上生长电流阻挡层和透明导电薄膜；4）沉积一次电极；5）生长钝化层，沉积温度200℃~250℃；6）沉积一次DBR薄膜，薄膜由高、低折射率的材料交错堆叠；7）刻蚀DBR，将一次电极露出，然后在DBR上面沉积部分金属电极与一次电极相连；8）生长二次钝化层；9）在二次钝化层上生长第二次DBR，第二次DBR要求与第一次DBR不同的膜系；10）将二次DBR也刻到金属层，用金属层与三次电极相连；本发明利用DBR膜系之间的布儒斯特角的不同，极大的提高光的取出效率。
沉积一次电极倒装发光二极管芯片生长二次钝化层金属层外延层刻蚀膜系薄膜透明导电薄膜布儒斯特角电流阻挡层低折射率交错堆叠金属电极次电极钝化层衬底制作清洗取出

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