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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810380938.9有效
发明人： 田炅烨;郑修然;崔在光 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-04-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L29/739 文献下载
摘要：提供了一种制造半导体器件的方法。第一垂直结构和第二垂直结构形成在基板上。第二垂直结构紧邻第一垂直结构定位。绝缘层形成在第一和第二垂直结构之间的基板上。栅极金属和栅极电介质层形成在第一和第二垂直结构上。栅极金属、栅极电介质层和绝缘层的一部分被去除。一部分的基板被去除。栅极金属形成在第一和第二垂直结构上之后，该部分的基板被去除。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN201810017186.X有效
发明人： 田炅烨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-01-08 - 公布日： 2023-05-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：提供了一种用于制造半导体的方法。在衬底上形成第一氧化物层。在第一氧化物层上形成第一氮化物层。在第一氮化物层上形成第二氧化物层和第二氮化物层。在第二氮化物层上形成多晶硅层。在多晶硅层上形成第三氮化物层。在第三氮化物层上形成一个或多个第一图案。将所述一个或多个第一图案转印到多晶硅层，以形成一个或多个图案化的多晶硅层。通过将所述一个或多个图案化的多晶硅层用作第一掩模来去除第一氧化物层、第一氮化物层、第二氧化物层和第二氮化物层的一部分。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]用于限定从基底突出的鳍的长度的方法-CN201811581609.7有效
发明人：金庆燮;田炅烨;韩涩琪 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2018-12-24 - 公布日： 2022-11-25 - 主分类号： H01L21/308 文献下载
摘要：可提供一种用于限定从基底突出的鳍的长度的方法，所述方法包括：使用多个硬掩模图案在设置在鳍之上的掩模材料层上形成多个第一切片壁；设置相对于多个第一切片壁自对准的多个填充掩模图案，以暴露位于多个第一切片壁中的一个或更多个成对的相邻第一切片壁之间的一个或更多个选定区域；以及设置包括一个或更多个开口并相对于多个第二切片壁自对准的修整掩模图案，以暴露多个第一切片壁中的一个或更多个。
用于限定基底突出长度方法

[发明专利]制造半导体器件的方法和图案化方法-CN201610831395.9有效
发明人：韩东佑;梁光容;李珍旭;田炅烨;丁海建;金度亨 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2016-09-19 - 公布日： 2021-09-14 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：提供了一种制造半导体器件的方法和图案化方法，所述制造半导体器件的方法包括：在基底的第一区域和第二区域上分别形成第一有源图案和第二有源图案；在第一有源图案和第二有源图案上分别形成第一栅极结构和第二栅极结构；形成包覆层以覆盖第一栅极结构和第二栅极结构以及第一有源图案和第二有源图案；在第一栅极结构之间的第一有源图案中形成第一凹进区，在第二栅极结构之间的第二有源图案中形成第二凹进区。
制造半导体器件方法图案

[发明专利]在衬底和/或鳍中包括器件隔离区的半导体器件-CN201710886543.1在审
发明人：郭大荣;朴起丙;吕京奂;李承宰;田炅烨;河承锡;玄尚镇 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2017-09-27 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L27/088 文献下载
摘要：提供了半导体器件。一种半导体器件包括半导体衬底。半导体器件包括在半导体衬底中的第一源极/漏极区和第二源极/漏极区。此外，半导体器件包括在第一源极/漏极区与第二源极/漏极区之间在半导体衬底中的多层器件隔离区。多层器件隔离区包括凸出部分，该凸出部分远离半导体衬底凸出超过第一源极/漏极区和第二源极/漏极区的各自的最上表面。
衬底包括器件隔离半导体器件

[发明专利]精细图案化半导体器件的方法-CN200810171011.0有效
发明人：李时镛;金明哲;车知勋;田炅烨;尹东基 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-10-31 - 公布日： 2009-07-29 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：本发明提供了一种精细图案化半导体器件的方法。为了在集成电路制造期间图案化，第一掩模结构的第一图案被形成，缓冲层在第一掩模结构的暴露表面上形成。此外，第二掩模结构的第二图案在第一掩模结构的侧壁处的缓冲层之间的凹陷中形成。而且，第一掩模结构和第二掩模结构通过旋涂各自的高含碳材料形成。该第一掩模结构和第二掩模结构以比传统的光刻更好的节距图案化目标层。
精细图案半导体器件方法

[发明专利]利用双图案化形成半导体器件的精细图案的方法-CN200810009731.7有效
发明人： 田炅烨;金明哲;李学善 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2008-02-13 - 公布日： 2008-08-13 - 主分类号： H01L21/00 文献下载
摘要：一种形成半导体器件的精细图案的方法，包括双蚀刻，其通过改变生成聚合体副产物的量来蚀刻在具有不同图案密度的区域中的具有不同厚度的膜。在第一蚀刻中，利用掩模图案作为蚀刻掩模，在第一蚀刻环境中在低密度图案区和高密度图案区中的缓冲层和硬掩模层上都执行反应性离子蚀刻(RIE)，直至在低密度图案区中暴露出蚀刻膜。在用来形成硬掩模图案的第二蚀刻中，利用掩模图案作为蚀刻掩模，蚀刻硬掩模层直至在高密度图案区中暴露出蚀刻膜，同时在具有比第一蚀刻环境中生成更多聚合体副产物的第二蚀刻环境下，使聚合体副产物聚积在低密度图案区中的蚀刻膜上。
利用图案形成半导体器件精细方法

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