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[发明专利]基座支撑件-CN201780018465.1有效
发明人： 理查德·O·柯林斯;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;戴维·K·卡尔森;穆罕默德·图鲁尔·萨米尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：本文描述的实施方式一般涉及用于在沉积工艺中支撑基座的基座支撑件。所述基座支撑件包括轴杆；板，所述板具有耦合到轴杆的第一主要表面；和支撑元件，所述支撑元件从板的第二主要表面延伸。所述板可由对来自设置在板下方的多个能量源的辐射能量光学透明的材料制成。所述板可具有足够小以将辐射传输损耗最小化并且足够大以在处理期间热稳定并且机械稳定地支撑基座的厚度。所述板的厚度范围可为约2mm至约20mm。
基座支撑

[发明专利]外延沉积腔室-CN202280007026.1在审
发明人：刘树坤;布赖恩·海斯·伯罗斯;叶祉渊;理查德·O·柯林斯;朱恩乐;丹尼·D·王;沙尼什·奈利卡;中川敏之;阿布舍克·杜贝;阿拉·莫拉迪亚;卡蒂克·布彭德拉·仙 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2023-08-01 - 主分类号： C30B25/08 文献下载
摘要：本文描述了一种处理腔室，该处理腔室包括腔室主体，此腔室主体具有设置在底板上方的顶板，其中底盘和注入器环设置在该顶板与该底板之间。上下夹环分别将上部和底板固定到位。上加热模块耦接至顶板上的上夹环。下加热模块耦接至底板下方的下夹环。
外延沉积

[发明专利]基座支撑件-CN202310042592.2在审
发明人： 理查德·O·柯林斯;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;戴维·K·卡尔森;穆罕默德·图鲁尔·萨米尔 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： C30B25/12 文献下载
摘要：本文描述的实施方式一般涉及用于在沉积工艺中支撑基座的基座支撑件。所述基座支撑件包括轴杆；板，所述板具有耦合到轴杆的第一主要表面；和支撑元件，所述支撑元件从板的第二主要表面延伸。所述板可由对来自设置在板下方的多个能量源的辐射能量光学透明的材料制成。所述板可具有足够小以将辐射传输损耗最小化并且足够大以在处理期间热稳定并且机械稳定地支撑基座的厚度。所述板的厚度范围可为约2mm至约20mm。
基座支撑

[发明专利]减少背侧基板接触的基板传送机构-CN202310059058.2在审
发明人：石井才人;理查德·O·柯林斯;理查德·吉利朱姆;亚历山大·伯杰 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开一种基板处理系统，包括耦接到传送腔室的基板输入/输出腔室，以及耦接到传送腔室的一个或多个处理腔室，其中基板输入/输出腔室包括多个堆叠载体保持器，并且载体保持器中的一者包括用于在其上支撑基板的基板载体。
减少背侧基板接触传送机构

[发明专利]多层EPI腔室主体-CN202180055701.3在审
发明人：刘树坤;叶祉渊;理查德·O·柯林斯;布赖恩·海斯·伯罗斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-11-30 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： C30B25/14 文献下载
摘要：本文所公开的设备关于用于在热沉积腔室(诸如外延沉积腔室)内使用的腔室主体设计。腔室主体为分段式腔室主体设计，并包括注入环和基座板。基座板包括基板传送通道和穿过其中设置的一个或多个排气通道。注入环包括穿过其中设置的多个气体注入通道。注入环设置在基座板的顶部分并附接到基座板。一个或多个排气通道和气体注入通道彼此相对设置。一个或多个密封密封槽形成在基座板和注入环两者中，以使注入环和基座板能够彼此以及密封处理腔室内的其他部件。
多层 epi 主体

[发明专利]用于EPI工艺的晶片加热的二极管激光器-CN202210863817.6在审
发明人：舒伯特·S·楚;道格拉斯·E·霍姆格伦;卡尔蒂克·萨哈;帕拉姆拉里·贾金德拉;尼欧·O·谬;普雷塔姆·拉奥;凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔;叶祉渊;马丁·A·希尔金;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;理查德·O·柯林斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-10-07 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体处理的设备和方法，更特定地，涉及热工艺腔室。热工艺腔室可包括基板支撑件，设置在基板支撑件之上方的第一多个加热元件，和设置在第一多个加热元件上方的一个或多个高能量辐射源组件。一个或多个高能量辐射源组件用于在处理期间向设置在基板支撑件上的基板上的冷区域提供局部加热。基板的局部加热改善温度轮廓，这又改善了沉积均匀性。
用于 epi 工艺晶片加热二极管激光器

[发明专利]具有共用的气体输送和排气系统的多个热CVD腔室-CN202180016018.9在审
发明人：叶祉渊;刘树坤;布莱恩·H·伯罗斯;洛里·华盛顿;赫尔曼·迪尼兹;马丁·A·希尔金;理查德·O·柯林斯;尼欧·谬;马尼施·赫姆卡;舒伯特·S·楚 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2021-03-31 - 公布日： 2022-10-14 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：本文描述了用于热处理的处理腔室的方法和设备。处理腔室是双处理腔室，并且共用腔室主体。腔室主体包括第一组气体注入通道和第二组气体注入通道。腔室主体还可包括第一组排气口和第二组排气口。处理腔室可具有共用的气体面板和/或共用的排气导管。本文描述的处理腔室能够以改进的处理气体流动和热分布同时处理多个基板。
具有共用气体输送排气系统多个热 cvd

[发明专利]用于EPI工艺的晶片加热的二极管激光器-CN202210541858.3在审
发明人：舒伯特·S·楚;道格拉斯·E·霍姆格伦;卡尔蒂克·萨哈;帕拉姆拉里·贾金德拉;尼欧·O·谬;普雷塔姆·拉奥;凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔;叶祉渊;马丁·A·希尔金;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;理查德·O·柯林斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-10-07 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体处理的设备和方法，更特定地，涉及热工艺腔室。热工艺腔室可包括基板支撑件，设置在基板支撑件之上方的第一多个加热元件，和设置在第一多个加热元件上方的一个或多个高能量辐射源组件。一个或多个高能量辐射源组件用于在处理期间向设置在基板支撑件上的基板上的冷区域提供局部加热。基板的局部加热改善温度轮廓，这又改善了沉积均匀性。
用于 epi 工艺晶片加热二极管激光器

[发明专利]用于EPI工艺的晶片加热的二极管激光器-CN201680056747.6有效
发明人：舒伯特·S·楚;道格拉斯·E·霍姆格伦;卡尔蒂克·萨哈;帕拉姆拉里·贾金德拉;尼欧·O·谬;普雷塔姆·拉奥;凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔;叶祉渊;马丁·A·希尔金;埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;理查德·O·柯林斯 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-10-07 - 公布日： 2022-08-05 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体处理的设备和方法，更特定地，涉及热工艺腔室。热工艺腔室可包括基板支撑件，设置在基板支撑件之上方的第一多个加热元件，和设置在第一多个加热元件上方的一个或多个高能量辐射源组件。一个或多个高能量辐射源组件用于在处理期间向设置在基板支撑件上的基板上的冷区域提供局部加热。基板的局部加热改善温度轮廓，这又改善了沉积均匀性。
用于 epi 工艺晶片加热二极管激光器

[发明专利]用以减少边缘热峰的基座设计-CN201580061349.9有效
发明人：舒伯特·S·楚;卡尔蒂克·萨哈;安哈图·恩戈;卡廷克·拉马斯瓦米;维皮·帕塔克;尼欧·O·谬;保罗·布里尔哈特;理查德·O·柯林斯;凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔;埃德里克·唐;哲鹏·丛;常安中;劳建邦;马尼施·赫姆卡 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2015-10-22 - 公布日： 2020-10-20 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开内容的实施方式一般涉及用于半导体基板热处理的基座。在一个实施方式中，基座包括第一缘边(rim)与第二缘边，第一缘边环绕内部区域且耦接至内部区域，第二缘边设置于内缘边与第一缘边之间。第二缘边包含倾斜支撑表面，倾斜支撑表面具有形成于倾斜支撑表面中的多个切口，且倾斜支撑表面相对于内部区域的顶表面倾斜。
用以减少边缘基座设计

[发明专利]减少背侧基板接触的基板传送机构-CN201980011151.8在审
发明人：石井才人;理查德·O·柯林斯;理查德·吉利朱姆;亚历山大·伯杰 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2019-01-17 - 公布日： 2020-09-15 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：公开一种基板处理系统，包括耦接到传送腔室的基板输入/输出腔室，以及耦接到传送腔室的一个或多个处理腔室，其中基板输入/输出腔室包括多个堆叠载体保持器，并且载体保持器中的一者包括用于在其上支撑基板的基板载体。
减少背侧基板接触传送机构

[发明专利]用于使预热构件自定中心的装置-CN201910950385.0在审
发明人：凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔;理查德·O·柯林斯;尼欧·谬 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2020-02-14 - 主分类号： H01L21/68 文献下载
摘要：在此所描述的具体实施方式一般地涉及用于对准预热构件的装置。在一个具体实施方式中，提供对准组件用于处理腔室。所述对准组件包括：下衬垫；预热构件；在所述预热构件的底表面上形成的对准机构；以及在所述下衬垫的顶表面内形成且经配置以与所述对准机构啮合的拉长的槽。
预热对准机构对准组件下衬垫啮合处理腔室顶表面拉长对准配置

[发明专利]用于使预热构件自定中心的装置-CN201480065524.7有效
发明人：凯文·约瑟夫·鲍蒂斯塔;理查德·O·柯林斯;尼欧·谬 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2014-10-09 - 公布日： 2019-11-01 - 主分类号： H01L21/324 文献下载
摘要：在此所描述的具体实施方式一般地涉及用于对准预热构件的装置。在一个具体实施方式中，提供对准组件用于处理腔室。所述对准组件包括：下衬垫；预热构件；在所述预热构件的底表面上形成的对准机构；以及在所述下衬垫的顶表面内形成且经配置以与所述对准机构啮合的拉长的槽。
用于预热构件中心装置

[发明专利]用于将材料沉积在基板上的设备-CN201610312064.4有效
发明人：埃罗尔·安东尼奥·C·桑切斯;理查德·O·柯林斯;戴维·K·卡尔森;凯文·鲍蒂斯塔;赫尔曼·P·迪尼兹;凯拉什·帕塔雷;尼·O·谬;丹尼斯·L·德马斯;克里斯托夫·马卡德;史蒂夫·江珀;萨瑟施·库珀奥 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2012-04-19 - 公布日： 2019-01-22 - 主分类号： C23C16/02 文献下载
摘要：本文提供用于将材料沉积在基板上的方法及设备。在一些实施方式中，用于处理基板的设备可包括：处理腔室，该处理腔室具有安置于该处理腔室中的基板支撑件，以支撑基板的处理表面；喷射器，该喷射器被安置至基板支撑件的第一侧，且该喷射器具有第一流动路径以提供第一处理气体及具有第二流动路径以独立于第一处理气体而提供第二处理气体，其中喷射器被定位以提供第一处理气体及遍及基板的处理表面；喷淋头，该喷淋头安置于基板支撑件的上方以提供第一处理气体至基板的处理表面；以及排气口，该排气口安置于基板支撑件的第二侧且与喷射器相对以从处理腔室排出第一处理气体及第二处理气体。
用于材料沉积基板上设备

[发明专利]用于最小化跨越基板的温度分布的具有凹槽的平板基座-CN201680065312.8在审
发明人：卡尔蒂克·萨哈;舒伯特·S·楚;尼欧·O·谬;卡廷克·拉马斯瓦米;理查德·O·柯林斯;哲鹏·丛;维皮·帕塔克 -专利权人：应用材料公司
申请日： 2016-10-21 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：在一个实施方式中，提供一种基座，包含：第一主要表面，所述第一主要表面与第二主要表面相对；和设置于所述第一主要表面上的多个接触结构，这些接触结构的每一者至少部分地被多个径向定向的凹槽的其中一者或多者和环状凹槽环绕，其中所述多个接触结构的每一者包含基板接触表面，这些基板接触表面的每一者位于以0.1毫米的距离分开的两个平行平面之间，且这些基板接触表面界定基板接收表面。
基板接触接触结构基板接收表面表面界定表面相对环状凹槽径向定向平板基座平行平面温度分布最小化地被基板环绕

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