专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种半导体激光器芯片测试系统及方法-CN202310790541.8在审
  • 李万军;王远红;李鸿建 - 武汉云岭光电股份有限公司
  • 2023-06-30 - 2023-10-27 - B65G47/91
  • 本发明涉及芯片测试技术领域,具体涉及一种半导体激光器芯片测试系统及方法,包括上料区、下料区以及依次设置的测试站一至测试站N,N≥1;还包括用于将上料区的待测芯片搬运至测试站一的上料装置以及用于将测试站N的已测芯片搬运至下料区的下料装置;所述上料装置和所述下料装置均包括吸嘴以及用于对所述吸嘴进行X、Y、Z、θ四个方向位置调节的吸嘴调节机构。本发明通过吸嘴调节机构调节芯片在X、Y、Z、θ四个方向的位置,实现对斜腔芯片的测试角度和测试位置的校正,不需要额外增加一组或多组收光组件甚至增加机台类型即可实现精准测试斜腔产品,亦可兼容直腔产品的测试,提升了测试系统的产品兼容性,降低了生产成本。
  • 一种半导体激光器芯片测试系统方法
  • [发明专利]半导体激光器芯片的检测系统及其方法-CN202310951008.5在审
  • 王远红;李万军;裴良诚 - 武汉云岭光电股份有限公司
  • 2023-07-31 - 2023-10-17 - B07C5/34
  • 本发明涉及一种半导体激光器芯片的检测系统,包括外观检测装置和性能测试装置,外观检测装置,用于检测待测芯片的外形是否合格;性能测试装置,用于对外观检测装置检测为合格的芯片进行性能测试。提供一种半导体激光器芯片的检测方法,包括如下步骤:先在外形检测工序对待测芯片的外形进行检测,判断待测芯片的外形是否合格;若不合格,则不再将该芯片送往性能测试工序;若合格,则将该芯片送至性能测试工序;在性能测试工序对芯片的性能进行测试,若不合格,则将该芯片下料,若合格,则将该芯片送至下一工序。本发明先一步的外形检测工序,减小无效的芯片搬运和光电性能测试量,减少搬运、测试等的使用次数及更换频次,降低了芯片生产制作成本。
  • 半导体激光器芯片检测系统及其方法
  • [发明专利]半导体激光器及其制备方法-CN202211064379.3有效
  • 王远红;刘建;孔德谋 - 武汉云岭光电股份有限公司
  • 2022-08-31 - 2023-07-18 - H01S5/02
  • 本发明涉及激光器制备技术领域,提供了一种半导体激光器的制备方法,包括S1至S6等几个步骤。还提供一种半导体激光器,包括外延结构以及于所述外延结构上制作的微纳米结构,所述微纳米结构中集成有HR膜和AR膜,所述HR膜和所述AR膜均有多层,层数为奇数层。本发明制备工艺中直接集成了HR膜和AR膜的,将后工艺的三个核心工序解条,夹条和镀膜三个工序简化成只有解条一个工序了,省去了夹条和腔面镀膜这两道工序,而这两道工序的设备都是及其昂贵的,所以本发明极大的降低了生产成本;省去了夹条和镀膜工序,也杜绝了这些工序造成的断条,散条和镀膜不均等异常,提高了良率。
  • 半导体激光器及其制备方法
  • [发明专利]边发射半导体激光器精准测试方法以及系统-CN202211279006.8在审
  • 李万军;向欣;王远红 - 武汉云岭光电股份有限公司
  • 2022-10-19 - 2023-01-31 - G01M11/02
  • 本发明涉及一种边发射半导体激光器精准测试方法,包括如下步骤:S1,将待测激光器芯片放置在测试载台上,并在测试载台旁设好收光组件;S2,在测试载台和收光组件之间设聚光透镜;S3,采用导正系统从多个角度推动待测激光器芯片,以调整待测激光器芯片在测试载台上的位置,直至待测激光器芯片的发光区精准地对准聚光透镜;S4,对待测激光器芯片加电,待测激光器芯片发出的光经过聚光透镜后被聚集,使得光束的发散脚减小;S5,收光组件接收到被聚集的光束后进行光学性能测试。还提供一种边发射半导体激光器精准测试系统。本发明可解决传统测试系统收光不全的问题,提升收光组件的收光精度,显著提升边发射半导体激光器芯片的光学性能测试的准确性。
  • 发射半导体激光器精准测试方法以及系统
  • [发明专利]一种半导体激光器制备方法-CN202211006832.5在审
  • 王远红;余文俊;董北平 - 武汉云岭光电有限公司
  • 2022-08-22 - 2022-11-11 - H01S5/042
  • 本发明涉及半导体激光器制作技术领域,提供了一种半导体激光器制备方法,包括如下步骤:S1,制备待减薄的InP LD;S2,将InP LD倒装在玻璃基底上,使InP LD的N面朝上,P面朝下;S3,对InP LD进行减薄;S4,减薄完成后,在InP LD的N面做光刻图形,并进行N面电极制作;S5,电极制作完毕后,采用化学溶剂对N面进行腐蚀得到Bar条。本发明的一种半导体激光器制备方法,基于InP的LD wafer使用N面光刻图形和N面电极制作,然后通过化学溶剂腐蚀的方式来代替常规wafer解条工艺中金刚刀划线的工艺,因为用背面(N面)的腐蚀代替了正面(P面)划线,可以很好地解决解条产生的不均匀导致的裂纹问题,同时也提高了解条的产出良率,避免了正面(P面)2‑5只芯片良率的损失。
  • 一种半导体激光器制备方法
  • [发明专利]半导体激光器及其制作方法、半导体激光器的升温方法-CN202210443468.2在审
  • 陈志标;王远红;郭娟 - 武汉云岭光电有限公司
  • 2022-04-25 - 2022-09-13 - H01S5/026
  • 本发明涉及激光器技术领域,提供了一种半导体激光器,包括衬底、于所述衬底上生长的有源层以及生长在所述有源层上的P型层,在所述P型层上集成有激光二极管以及用于加热所述激光二极管的加热二极管。提供一种半导体激光器的制备方法。还提供一种半导体激光器的升温方法。本发明通过在P型层集成激光二极管和加热二极管,加热效率高、升温明显,可以极大地节省功耗,另外结构以及制作工艺都较为简单,既可以控制成本、提高制作效率,又可以有更好的升温效果。与传统集成加热电阻器方案相比,能简化工艺流程;与分立电阻加热方式比,能提高加热效率。
  • 半导体激光器及其制作方法升温方法
  • [外观设计]蓝牙音箱-CN201830461448.2有效
  • 王远红 - 王远红
  • 2018-08-20 - 2019-08-09 - 14-01
  • 1.本外观设计产品的名称:蓝牙音箱。2.本外观设计产品的用途:本外观设计产品用作蓝牙音箱。3.本外观设计产品的设计要点:在于产品的形状。4.最能表明本外观设计设计要点的图片或照片:立体图1。
  • 外观设计蓝牙音箱图片

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