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- [发明专利]半导体装置-CN200710128760.0有效
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汪坤发;王琳松
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台湾积体电路制造股份有限公司
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2007-07-12
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2008-03-26
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H01L27/04
- 本发明提供一种半导体装置。上述半导体装置包括：半导体基板；第一介电层，设置于该半导体基板上，具有沿第一方向的第一导线，其中该第一导线的顶表面比该第一介电层的顶表面低；第二介电层，位于该第一介电层上，包括对应第一二极管构件的开口；以及半导体二极管元件，包括设置于该第一导线上的该第一二极管构件以及填入该开口中的第二二极管构件与第三二极管构件，其中该第一二极管构件的顶表面与该第一介电层的顶表面齐高。本发明能够避免PIN二极管在柱状结构中掀离并扩大工艺窗口以提升工艺成品率。
- 半导体装置
- [发明专利]多阶快闪存储器结构及其制造方法-CN98115024.1有效
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王琳松
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世大积体电路股份有限公司
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1998-06-22
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1999-10-06
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H01L27/105
- 公开一种多阶快闪存储单元及其制造方法,该存储单元包括一p型硅基底;一深n井,位于该p型硅基底中;一p井,位于该深n井中;一第一绝缘层,位于该p井表面上;三个浮置栅极,彼此邻近但隔绝,且位于该第一绝缘层上;一源极区和一漏极区,位于该p井中,且分别位于该三个浮置栅极的两侧;一第二绝缘介电层,位于该三个浮置栅极、该源极区、以及该漏极区上;以及一控制栅极,位于该第二绝缘介电层表面上。
- 多阶快闪存结构及其制造方法
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