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[发明专利]电阻式随机存取存储器及其制造方法-CN202010004251.2有效
发明人： 王琮玄;陈侑廷;郭子豪;吴长轩;许琼霖 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2020-01-03 - 公布日： 2023-09-12 - 主分类号： H10N70/00 文献下载
摘要：本发明提供一种电阻式随机存取存储器及其制造方法。所述电阻式随机存取存储器包括第一电极、第二电极、第三电极、可变电阻层、选择层、第一位线以及第二位线。所述第一电极设置于衬底上。所述第二电极与所述第三电极设置于所述第一电极上，其中所述第二电极与所述第三电极彼此分隔开，且各自与所述第一电极的侧壁与顶面重叠。所述可变电阻层设置于所述第一电极与所述第二电极之间以及所述第一电极与所述第三电极之间。所述选择层设置于所述可变电阻层与所述第一电极之间。所述第一位线设置于所述第二电极上，且经由第一触点而与所述第二电极电性连接。所述第二位线设置于所述第三电极上，且经由第二触点而与所述第三电极电性连接。
电阻随机存取存储器及其制造方法

[发明专利]存储器组件及其制造方法-CN202110400165.8在审
发明人： 王琮玄 -专利权人：华邦电子股份有限公司
申请日： 2021-04-14 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H01L27/11524 文献下载
摘要：本发明提供一种存储器组件及其制造方法，存储器组件包括：衬底、多个第一堆叠结构以及多个第二堆叠结构。衬底包括阵列区与周边区。第一堆叠结构配置在阵列区的衬底上。每一个第一堆叠结构依序包括：第一穿隧介电层、第一浮置栅极、第一栅间介电层、第一控制栅极、第一金属层、第一顶盖层以及第一停止层。第二堆叠结构配置在周边区的衬底上。每一个第二堆叠结构依序包括：第二穿隧介电层、第二浮置栅极、第二栅间介电层、第二控制栅极、第二金属层、第二顶盖层以及第二停止层。第一堆叠结构的图案密度大于第二堆叠结构的图案密度。
存储器组件及其制造方法

[发明专利]半导体装置及其形成方法-CN201710292879.5有效
发明人： 王琮玄;陈侃升;吴信霖;周永隆;魏云洲;李家豪;廖志成 -专利权人：世界先进积体电路股份有限公司
申请日： 2017-04-28 - 公布日： 2021-12-07 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：本发明公开了一种半导体装置及其形成方法，装置包括设置于半导体基板上的栅极结构、设置于上述栅极结构侧壁上的侧壁间隔物、形成于上述栅极结构两侧的半导体基板中的轻掺杂源极/漏极区、形成于上述侧壁间隔物两侧的半导体基板中的源极/漏极区、形成于上述栅极结构下的半导体基板中且邻近于上述轻掺杂源极/漏极区的晕状植入(halo implant)区、形成于上述栅极结构下的半导体基板中且位于上述轻掺杂源极/漏极区及晕状植入区之间的反向掺杂区(counter‑doping region)。上述反向掺杂区的掺杂浓度低于晕状植入区的掺杂浓度。
半导体装置及其形成方法