“王梓霖”申请（专利权）人搜索_中国专利权人_发明人_技术持有人_科研专家_钻瓜专利网

钻瓜专利网为您找到相关结果81个，建议您升级VIP下载更多相关专利

[实用新型]一种脉冲电容器充放电控制电路-CN202223262014.X有效
发明人：韩永森;王梓霖;赵晨光 -专利权人：哈尔滨理工大学
申请日： 2022-12-06 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H02J7/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种脉冲电容器充放电控制电路。该电路由主电路和控制电路组成，主电路部分由高压直流电源、充电电阻，接触器常闭辅助触点及常开辅助触点、脉冲电容器、时变负载等构成。控制电路包括一个总开关、一个延时继电器、一个接触器及通电延时闭合触点开关等构成。控制电路部分延时继电器和接触器并联与正极连接，另一端与负极相连，其中延时继电器通过延时闭合触点开关控制接触器的开通关断，接触器通断可以控制常闭常开辅助触点的通断，使得主电路能够实现充电回路和放电回路同时切换，改变主电路的工作状态。本实用新型可以通过设置延时继电器的工作时间实现主电路的循环充放电，充放电过程响应速度快，成本低，使用寿命长。
一种脉冲电容器放电控制电路

[发明专利]一种基于数据预编码的SRAM架构-CN202110949200.1有效
发明人：贺雅娟;黄茂航;王梓霖;骆宏阳;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-08-18 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： G06F30/327 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体的说涉及一种基于数据预编码的SRAM架构。本发明提出的一种基于数据预编码的SRAM架构，包括预编码模块和整体架构。所述SRAM架构通过将输入数据预先进行编码，然后再写入SRAM电路。本发明提出的一种SRAM架构虽然损失了部分精度，但却显著降低了功耗。本发明适用于有一定容忍度的场景。
一种基于数据预编 sram 架构

[发明专利]用短脉冲激光产生的等离子体作用在硅表面制备PN层的方法-CN202110689764.6有效
发明人：黄忠梅;黄伟其;郑云誉;陈梦元;张航;李鑫;王安琛;王梓霖;王可 -专利权人：贵州大学
申请日： 2021-06-22 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/268 文献下载
摘要：本发明公开了利用短脉冲激光产生的等离子体作用在硅表面制备PN结的方法，用飞秒或纳秒脉冲激光束作用硅表面，产生表面等离子层，电子跟随光频震荡浮于表面形成电子气，而惰性大的硅离子层分布在下方，通过向硅离子层注入P型掺杂形成下面的P型硅层；然后，在短脉冲激光溅射出的硅离子逐渐沉积的表层上冲入N型气体形成上面的N型硅层；最后，经高温退火形成稳定的PN结层结构。本发明采用了纯物理的过程来进行制备，属于绿色环保类型，所得的样品与现有技术相比有很多优越性，其制备流程易于运作与操控，研制出的器件效果较好，且易于进行产业化推广。
脉冲激光产生等离子体作用表面制备 pn 方法

[发明专利]一种用电数据的识别方法、系统及应用-CN202211478726.7有效
发明人：蔺金泉;薛超;吴绍卿;王丹梅;张彤;刘一鸣;王楠;王凯;兰宇;范玲;任雪征;张广林;刘丽瑶;郭玉华;李洵;马彩娟;王红;王梓霖;侯立睿;曹卓然 -专利权人：国网天津市电力公司城南供电分公司;国网天津市电力公司;国家电网有限公司
申请日： 2022-11-24 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G06F18/2431 文献下载
摘要：本发明实施例公开一种用电数据的识别方法、系统及应用，所述方法包括：根据历史用电数据以及设定的超参数构造训练集数据的用电特征；根据所述训练集数据的用电特征，利用随机森林算法对模型进行预训练，获取目标用电特征；根据所述目标用电特征，利用随机森林算法对模型进行训练；根据测试集数据对模型进行调优，生成识别模型。本发明利用某区域企业档案明细、月用电明细和日用电明细等特征数据构建相关算法模型，在样本用户中识别筛选出疑似虚拟货币“挖矿”行为用户，助力全面、精准地治理“挖矿”行为。
一种用电数据识别方法系统应用

[发明专利]一种PEG-G5.NH2-FITC-DOTA(Gd)-Monalizumab/IPH4301纳米探针及其应用-CN202310053351.8在审
发明人：李康安;王梓霖;郭鑫宇;嵇再雄 -专利权人：上海市第一人民医院
申请日： 2023-01-31 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： A61K49/10 文献下载
摘要：本发明涉及一种PEG‑G5.NH2‑FITC‑DOTA(Gd)‑Monalizumab/IPH4301纳米探针及其应用，对制备的纳米探针进行表征，通过流式细胞术分析纳米材料和NK‑92MI细胞的结合能力和应用MRI对纳米探针标记的NK‑92MI细胞体外成像并分析其T1加权(T1WI)的信号改变，还采用Westernblot检测共培养后乳腺癌MDA‑MB‑231细胞凋亡相关蛋白的表达以及Elisa法检测培养体系内的IFN‑γ的表达量，发现本发明的PEG‑G5.NH2‑FITC‑DOTA(Gd)‑Monalizumab/IPH4301纳米探针能够结合NK‑92MI细胞，利用3.0TMRI可对其进行体外成像，并在Monalizumab和IPH4301双抗体修饰后纳米探针促进了NK‑92MI细胞释放IFN‑γ，且增强了其对MDA‑MB‑231细胞的杀伤能力，为生物体内成像和免疫治疗提供实验依据。
一种 peg g5 nh2 fitc dota gd monalizumab iph4301 纳米

[发明专利]适用于差分SRAM存储单元的存算一体化存储阵列结构-CN202110872089.0有效
发明人：贺雅娟;王梓霖;黄茂航;骆宏阳;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2021-07-30 - 公布日： 2023-04-28 - 主分类号： G11C7/12 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体的说是涉及一种适用于差分SRAM存储单元的存算一体化存储阵列结构。本发明通过在传统SRAM存储阵列电路基础上将读写位线分为BL、BLB和RBL、RBLB两组，并且增加两根读字线RWL和RWLB加载反相输入信号，从而实现了在SRAM存储阵列内进行二值点积运算。
适用于 sram 存储单元一体化阵列结构

[发明专利]一种低压下提升读写速度和稳定性的SRAM存储单元电路-CN202010679686.7有效
发明人：贺雅娟;黄茂航;吕嘉洵;王梓霖;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2020-07-15 - 公布日： 2023-04-25 - 主分类号： G11C11/419 文献下载
摘要：一种低压下提升读写速度和稳定性的SRAM存储单元电路，属于集成电路技术领域。本发明是12管的SRAM存储单元电路，利用第三NMOS管打断整个反馈环使得第二PMOS管和第二NMOS管容易写入电压，当进行写操作时，第一写字线拉为高电平，第二写字线拉为低电平使第二NMOS管和第二PMOS管导通，第三NMOS管N3关断从而使反馈环打断，能够大幅提升SRAM存储单元电路的写能力；同时设置了第五PMOS管、第六NMOS管和第七NMOS管构成读缓冲器结构，用来消除读干扰对SRAM存储单元电路的影响；因此本发明在提升写能力的同时不影响读稳定性，能够用于单端读写阵列结构，用以解决低压下单端结构带来的写能力降低的问题。
一种压下提升读写速度稳定性 sram 存储单元电路

[发明专利]基于多比特SRAM单元的定点全精度存内计算电路-CN202210549764.0有效
发明人：贺雅娟;骆宏阳;王梓霖;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-20 - 公布日： 2023-04-07 - 主分类号： G11C11/54 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体的说是基于多比特SRAM单元的定点全精度存内计算电路。本发明通过在传统SRAM存储阵列电路基础上添加两个晶体管构成传输门实现乘法，并且增加加法器树进行部分和累加，采用位串行输入模式和移位累加器完成多比特运算，从而实现了在SRAM存储阵列内进行精度无损的矩阵向量乘法运算。本发明了实现了无精度损失的多比特SRAM存内计算，具有面积小，并行度高的特点，适用于需要进行大规模乘累加计算的卷积神经网络系统。
基于比特 sram 单元定点精度计算电路

[发明专利]基于静态分段补偿方法的近似二进制乘法器-CN202211373911.X在审
发明人：贺雅娟;侯博文;彭泽阳;王梓霖;张竣朋;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-11-04 - 公布日： 2023-03-21 - 主分类号： G06F7/533 文献下载
摘要：本发明提出的基于静态分段截断补偿方法的近似二进制乘法器结构，考虑了乘法器输入的分布规律而进行分段，在乘法器输入高位冗余概率较大的情况下将冗余部分积截断，降低了硬件资源消耗并很好的保持了精度；在乘法器输入高位不冗余的概率较大的情况下，在截断低有效位的部分积后进行了基于部分积的概率分析的误差补偿电路设计，使其适用于通用的可容错应用场景。并且在两种情况下，乘法器输入经过部分积生成电路产生的部分积输入到同样的进一步采用了截断补偿方法的部分积压缩电路中，而不需要两种情况使用不同的部分积压缩电路，实现了资源的共享从而降低了硬件资源消耗，保证了本发明在大部分应用场景中实现了电路硬件性能和精度很好的折中。
基于静态分段补偿方法近似二进制乘法器

[发明专利]一种样品真空存储装置-CN202211294169.3在审
发明人：罗胜年;王梓霖;范端;李孝直 -专利权人：西南交通大学
申请日： 2022-10-21 - 公布日： 2023-01-31 - 主分类号： B65D81/18 文献下载
摘要：本发明公开一种样品真空存储装置，涉及真空存储技术领域；包括箱体，所述箱体内设置有抽真空室和存储室，所述存储室内设置有多个存储位，所述存储位内用于放置样品存储舱，所述样品存储舱包括密封连接的舱体和舱盖，所述舱体远离舱盖的一端连通有存储舱套筒，所述存储舱套筒内设置有存储舱止回阀；所述存储位靠近所述抽真空室的一端设置有套筒滑道，所述套筒滑道内设置有与所述抽真空室连通的抽真空室套筒，所述抽真空室套筒内设置有抽真空室止回阀，所述抽真空室止回阀和所述存储舱止回阀能够连通或封闭所述样品存储舱和所述抽真空室；所述抽真空室连接有真空泵。本发明能够实现多存储位和任一存储位可以独立运输保存的应用效果。
一种样品真空存储装置

[发明专利]一种培植大棚及培植产线-CN202210798901.4在审
发明人：殷燕芳;陈梓良;江悦程;谢立彬;王梓霖;陈艳山 -专利权人：武汉轻工大学
申请日： 2022-07-07 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： A01G9/14 文献下载
摘要：本发明公开一种培植大棚及培植产线，其中，培植大棚包括大棚、棚顶结构以及通风结构；大棚用于供植物进行培育作业，大棚长度所在方向为第一方向，其宽度所在方向为第二方向，大棚具有开口朝上的内腔；棚顶结构设于棚体的棚顶，包括盖合内腔的开口的保温覆膜结构，保温覆膜结构活动设置，且在其活动行程上，具有使内腔的开口敞开的收拢位置、以及使内腔的开口密封的展开位置；通风结构设于大棚在第二方向上的侧部，用以对内腔进行通风处理；也就是说，保温覆膜结构可以在展开位置和收拢位置之间切换，以和通风结构搭配使用到不同场景中，如此设置，不仅提高培植大棚的实用性，而且省时省力，操作简单快捷，能够保障工人的人身安全。
一种培植大棚

[发明专利]设备授权管理方法及其系统、通信设备和存储介质-CN202011634296.4有效
发明人： 王梓霖;骆小华;宗均然;张鑫;金迪;陈建伟;范宇星;施平;何晓萌 -专利权人：中移（杭州）信息技术有限公司;中国移动通信集团有限公司
申请日： 2020-12-31 - 公布日： 2022-10-18 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：本发明提供一种设备授权管理方法及其系统、通信设备和存储介质，该方法包括：生成步骤，获取SD‑WAN控制器所生成的控制器授权标识码，并对控制器授权标识码进行解码以获得加密秘钥，使用加密秘钥对授权信息进行加密以生成多个授权码；授权步骤，利用多个授权码形成授权池，通过授权池对不同设备请求的不同功能分别进行授权，并将已授权设备所对应的各个功能的授权状态信息保存至SD‑WAN控制器的内存和文件系统；监控步骤，启动定时线程任务监控SD‑WAN控制器的内存和文件系统中的已授权设备所对应的各个功能的授权状态。本发明通过使用授权池统一管理授权资源，具有较强的灵活性，且对授权状态进行时限监控能实现多角度控制。
设备授权管理方法及其系统通信存储介质

[发明专利]一种基于SRAM的存内计算电路-CN202210585976.4在审
发明人：贺雅娟;张振伟;骆宏阳;王梓霖;张波 -专利权人：电子科技大学
申请日： 2022-05-27 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： G11C11/41 文献下载
摘要：本发明属于集成电路技术领域，具体的说涉及一种基于SRAM的存内计算电路。本发明提出了一种基于SRAM的存内计算电路，包括6T SRAM Cell阵列和复用计算单元，所述存内计算电路将权重数据预先写入SRAM内存储，然后通过复用计算单元与输入数据进行乘累加运算来实现存内计算。本发明提出的一种存内计算单元虽然增加了存储器的面积，但却使得数据在存储器内部就可以完成计算，显著降低了卷积神经网络等应用的数据搬运量和功耗。
一种基于 sram 计算电路

[发明专利]一种碳纳米点及其制备方法和用途-CN202210770850.4在审
发明人： 王梓霖;刘剑楠;刘一戈;吴昊;郭陟永;韩婧;张陈平 -专利权人：上海交通大学医学院附属第九人民医院
申请日： 2022-06-30 - 公布日： 2022-08-30 - 主分类号： C01B32/15 文献下载
摘要：本发明涉及医药领域，特别是涉及一种碳纳米点及其制备方法和用途，所述制备方法包括如下步骤：1)将抗生素、叶酸与水混合得到混合液；2)将步骤1)的混合液进行水热反应，收集反应产物即得到碳纳米点。所述碳纳米点具有生物相容性，能用于制备抗菌和/或促成骨产品中，进而治疗既有骨缺损和感染的各类疾病，例如牙周炎、种植体周围炎、骨髓炎、外伤。
一种纳米及其制备方法用途

[发明专利]一种人参碳点及其制备方法和用途-CN202210673458.8在审
发明人：刘剑楠;王梓霖;吴昊;郭陟永;刘一戈;韩婧;张陈平 -专利权人：上海交通大学医学院附属第九人民医院
申请日： 2022-06-14 - 公布日： 2022-08-26 - 主分类号： C01B32/15 文献下载
摘要：本发明涉及医药领域，特别是涉及一种人参碳点及其制备方法和用途，所述制备方法包括如下步骤：1)将人参粉末与水混合得到混合液；2)将步骤1)的混合液进行水热反应，收集反应产物即得到人参碳点。所述人参碳点可用于制备鳞状细胞癌治疗产品中。本发明的人参碳点以人参为原料直接制备成碳点更符合中药熬制的过程，更全面的发挥人参治疗恶性肿瘤的作用，相比传统化疗药物生物相容性好，细胞毒性低，副作用小，能特异性杀死鳞状细胞癌，靶向性强，对正常上皮细胞没有明显细胞毒性，与抗肿瘤治疗的免疫靶向药物和传统化疗药物相比制备工艺简单，成本低廉，副作用低，作用效果强。
一种人参及其制备方法用途