专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种显示面板及显示装置-CN202310949322.X在审
  • 王晶;田宏伟;李然;陈善韬 - 京东方科技集团股份有限公司
  • 2023-07-31 - 2023-10-27 - H01L23/544
  • 本申请公开一种显示面板及显示装置,涉及显示技术领域,以解决目前的显示面板的防伪效果较差的问题。显示面板,包括:衬底层;显示像素,设置于衬底层的一侧;防伪像素,与显示像素设置于衬底层的同一侧,防伪像素用于发出光线,以形成第一设定图案,第一设定图案用于表征防伪信息;第一遮挡结构,与显示像素设置于衬底层的同一侧,第一遮挡结构远离衬底层一侧的表面与衬底层的垂直距离为第一距离,显示像素的出光表面与衬底层的垂直距离为第二距离,防伪像素的出光表面与衬底层的垂直距离为第三距离,第二距离和第三距离均小于第一距离,第一遮挡结构在衬底层上的正投影位于显示像素的出光区域和防伪像素的出光区域之间。
  • 一种显示面板显示装置
  • [发明专利]一种数据推送平台-CN202310763237.4在审
  • 王晶;王丹凤;田珊;翁艳 - 三一机器人科技有限公司
  • 2023-06-26 - 2023-10-27 - G06F16/9535
  • 本申请提供一种数据推送平台,包括:特征处理模块和多个数据推送模型;所述特征处理模块,用于针对所述各个数据推送模型分别配置对应的用户特征,并将所述用户特征发送至对应的数据推送模型;所述数据推送模型,用于获得与所述数据推送模型对应的用户特征,并根据所述用户特征,从待推送的数据集中确定推送数据。该平台通过特征处理模块为多个数据推送模型分配对应的用户特征,使得在使用某个数据推送模型向用户推送数据时,该数据推送模型能够直接调用为其配置的用户特征,提高了各个数据推送模型获取所需用户特征的效率,并基于该用户特征,从待推送的数据集中确定推送数据,提高了所述数据推送平台向用户推送数据的推送效率。
  • 一种数据推送平台
  • [发明专利]具有废料回收功能的生产SMC模塑料用切割系统及切割方法-CN202311023230.5在审
  • 王晶;宋林俊 - 王晶
  • 2023-08-15 - 2023-10-27 - B26D1/15
  • 本发明公开了具有废料回收功能的生产SMC模塑料用切割系统及切割方法,涉及SMC模塑料领域,包括工作台和切割台,所述工作台包括第一伸缩气缸、伺服电机和蓄电池箱,所述切割台包括第二伸缩气缸、光线感应接收器、驱动盒、驱动辊和加热仓。本发明通过工作台和切割台的搭配工作,可便于对SMC模塑料进行横向位置的切割,通过第一切割片与第二切割片在同一竖直方向进行横向移动,并采用同时切割的工作方式,提高了切口处的平滑性,采用自然传送式,可防止固定过紧导致SMC模塑料在切割时受张力影响向后收缩,从而保持其切口处的完整性。
  • 具有废料回收功能生产smc塑料切割系统方法
  • [发明专利]一种RMI制备C/SiC-Diamond复合材料的方法-CN202310817808.8在审
  • 许建锋;吴亚明;郭宏强;江鸿寰;王东英;王晶 - 西安鑫垚陶瓷复合材料股份有限公司
  • 2023-07-05 - 2023-10-27 - C04B35/80
  • 本发明具体涉及一种RMI制备C/SiC‑Diamond复合材料的方法,解决现有方法制备C/SiC‑Diamond复合材料的周期长、工艺复杂,且制备的C/SiC‑Diamond复合材料热导率以及力学性能较差的问题。该方法,包括以下步骤:S1,制备C/SiC多孔预制体;S2,配制浆料:将羧甲基纤维素钠分散在去离子水中配制分散剂,然后将金刚石与石墨的混合粉料加入到分散剂中后,最后将其与刚玉球加入球磨罐中进行湿磨,获得浆料;S3,浸渍浆料S4,反应熔体渗透液硅:将压力浸渍完成后的C/SiC‑金刚石+石墨试样用Si粉包裹,再用石墨纸包扎,之后将包裹有Si粉的C/SiC多孔预制体放入渗Si炉中,在真空环境下进行反应熔体渗透液硅,完成C/SiC‑Diamond复合材料的制备。本发明方法能够有效提高Diamond与SiC的界面结合强度和热导率。
  • 一种rmi制备sicdiamond复合材料方法
  • [发明专利]一种大直径法兰分段拼接加工方法-CN202310998601.5在审
  • 许梦龙;韩潇;杨晓宁;王晶;吕世增;张立明;龚洁;丁文静;杨波;魏鹏 - 北京卫星环境工程研究所
  • 2023-08-09 - 2023-10-27 - B23Q17/20
  • 本发明提供一种大直径法兰分段拼接加工方法,用于机床加工大直径法兰,使用其上设置有圆孔的矩形测量工装辅助,包括以下步骤:S1:使用激光跟踪仪和定位工装定位大直径法兰圆心和机床相对位置;S2:按既定程序完成工件的第一段加工;S3:使用机床的测量头,执行自动测量程序,测量所述圆孔中心位置在工件坐标系中的坐标值;S5:将矩形测量工装的目视圆心位置设置为临时工件坐标系,使用机床的测量头,执行自动测量程序,自动测量所述圆孔在新坐标系下的坐标值和矩形工装直边与机床Y轴夹角;S6:自动测量程序计算工件圆心位置并设定为新工件坐标系原点;S7:拆除矩形测量工装;S8:在新工件坐标系下加工工件下一段;S9:重复步骤S3‑S8,直至加工完成。
  • 一种直径法兰分段拼接加工方法
  • [发明专利]图像解码方法、编码方法及装置-CN202210397258.4在审
  • 葛运英;王晶;师一博 - 华为技术有限公司
  • 2022-04-15 - 2023-10-27 - H04N19/172
  • 一种图像解码方法、编码方法及装置,涉及视频处理技术领域。解码端基于图像帧对应的一组特征域光流(如光流集),对参考帧的第一特征图进行处理获得一组中间特征图;解码端融合该组中间特征图进行获得预测特征图;解码端根据该预测特征图解码图像帧获得目标图像。该特征域光流中像素误差小于图像域光流中像素误差,因此,由特征域光流确定的中间特征图所带来的解码误差低于通常技术中图像域光流所导致的解码误差。图像帧的预测特征图是解码端融合多个中间特征图确定的,该预测特征图包含了更多的图像信息,解码端基于预测特征图解码图像帧时,避免了单个中间特征图难以准确表达目标图像的问题,提高了图像解码的准确性和图像质量。
  • 图像解码方法编码装置
  • [发明专利]空气消毒机-CN202310910945.6在审
  • 王晶;王霞波;夏高丰;郭玉斌 - 江苏富泰净化科技股份有限公司
  • 2023-07-24 - 2023-10-27 - F24F8/108
  • 本发明属于消毒机技术领域,公开了空气消毒机。该空气消毒机在箱体内设置香氛装置,使风机在吹出经过滤装置和消毒装置同时处理后清新的空气时,能同时将香薰装置内散发出的香气一同携带扩散出去,并且该香氛装置无需采用其他的激发装置激发香氛功能,使香氛装置内的香气自主挥发,香氛时间长,香味浓度适中,有效提高使用者的使用体验感。
  • 空气消毒
  • [发明专利]编码方法、装置、存储介质及计算机程序产品-CN202210345172.7在审
  • 师一博;王晶;葛运英 - 华为技术有限公司
  • 2022-03-31 - 2023-10-27 - H04N19/503
  • 本申请公开了一种编码方法、装置、存储介质及计算机程序产品,属于数据压缩技术领域。该方法通过引入相关性矩阵来拟合帧间运动,由于相关性矩阵能够表征当前特征与参考特征之间相关性较强和较弱的部分,相关性较强的部分所对应的帧间运动信息更加丰富,因此,在拟合帧间运动的过程中,基于相关性矩阵中各个元素的大小,便能够更好地拟合出相关性较强的部分对应的帧间运动,而较少地关注相关性较弱的部分对应的帧间运动。简单来说,相关性矩阵对帧间运动特征的预测有信息增强的作用,即,能够提高帧间运动特征的预测精度,进而提升压缩性能。
  • 编码方法装置存储介质计算机程序产品
  • [发明专利]发光二极管及发光装置-CN202210389394.9在审
  • 王晶;杨洋;张昀 - 泉州三安半导体科技有限公司
  • 2022-04-13 - 2023-10-27 - H01L33/38
  • 本发明提供一种发光二极管,其包括外延结构、第一接触电极、第二接触电极以及高阻层,外延结构自下表面至上表面依次包括第一半导体层、发光层以及第二半导体层,第一接触电极与第二接触电极均位于外延结构的上表面上,且分别电连接第一半导体层和第二半导体层,高阻层是自外延结构的上表面向下延伸至第一半导体层,外延结构内具有渗透电区,渗透电区至少与发光层和第二半导体层处于同一水平面,渗透电区的边界接触高阻层,第一接触电极位于渗透电区上,并通过渗透电区电连接第一半导体层。借此,可以使得第一接触电极和第二接触电极处于同一水平面,消除二者的高低差,得到平衡对称结构的发光二极管,提升产品良率。
  • 发光二极管发光装置

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