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[发明专利]一种人造革冷却装置-CN202011321152.3有效
发明人：苏红伟;严海良;廖光莲;王敏锐;苏杰 -专利权人：佛山市威仕达新材料有限公司
申请日： 2020-11-23 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： D06N3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种人造革冷却装置，涉及一种冷却装置，包括设备底板，设备底板上方左侧固定连接有左立柱，设备底板上方右侧固定连接有右立柱，左立柱与右立柱顶部均与上梁固定连接，上梁顶部左侧固定连接有安装支架，安装支架上方固定连接有电动伸缩杆，电动伸缩杆输出端固定连接有驱动水平杆，驱动水平杆底部固定连接有若干倾斜驱动块。①本发明结构简单，不易损坏，使用方便，通过电动伸缩杆的伸缩驱动能够同步带动多个冷却组件进行运动，实现冷却，冷却效果好；②通过驱动立柱的上下运动，使得滑动风扇与摆动风扇同步实现运动，通过摆动方式与平动方式的复合，使得冷却效果显著提高，使用体验好。
一种人造革冷却装置

[发明专利]一种制备丙二醇的催化剂的制备工艺及其应用-CN202310815194.X在审
发明人：卢伟;王敏锐;尹训娟;岳茂彬;王素 -专利权人：山东德普新材料科技有限公司
申请日： 2023-07-05 - 公布日： 2023-10-10 - 主分类号： B01J21/10 文献下载
摘要：本发明公开一种制备丙二醇的催化剂的制备工艺及其应用，包括如下步骤：（1）将铝镁水滑石粉体浸泡在水中，待吸收充分后分离出所述铝镁水滑石，然后将其进行冻干处理，得到改性铝镁水滑石。（2）将所述改性铝镁水滑石置于Fe3+源的饱和溶液中加热保温，待吸收充分后分离出所述改性铝镁水滑石，将其烘干后分散到无水甲醇中形成分散液，然后加入硼氢化钠对所述铝镁水滑石进行还原反应，完成后得到前驱体。（3）将所述前驱体置于碳酸钾或碳酸钠的饱和液中，待吸收充分后分离出固体产物，将其干燥，即得铝镁水滑石基催化剂。本发明制备的铝镁水滑石基催化剂不仅易于从反应产物中分离出来，而且提高了铝镁水滑石作为催化剂的催化效果不佳的问题。
一种制备丙二醇催化剂工艺及其应用

[发明专利]一种提锂电极的制备方法及包含其的膜电容装置和盐湖提锂的循环系统-CN202310878535.8在审
发明人：唐娜;王敏锐;田桂英;高健;项军;张蕾;程鹏高;张建平 -专利权人：天津科技大学
申请日： 2023-07-18 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： C22B26/12 文献下载
摘要：本发明针对盐湖卤水的电化学提锂领域，涉及一种提锂电极的制备方法及包含其的膜电容装置和盐湖提锂的循环系统。本发明利用紫外光固化交联制备高活性表面积的电极。此外，利用季铵化后的荷正电纳滤膜增强锂/镁离子的分离效果，组装成卷式电极组件，搭建膜电容提锂装置，开发了连续提锂工艺、富集效果好、分离能力强、提锂效率高的膜电容提锂工艺。本发明连续运行的膜电容提锂装置，有利于我国西部盐湖卤水锂资源的高效环保开发。
一种电极制备方法包含电容装置盐湖循环系统

[发明专利]一种具有检测功能的衍射光学镜片及其制作方法-CN202010137061.8有效
发明人： 王敏锐;孙旭 -专利权人：苏州中为联创微纳制造创新中心有限公司
申请日： 2020-03-02 - 公布日： 2023-09-29 - 主分类号： G02B27/42 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有检测功能的衍射光学镜片及其制作方法，包括：石英薄片，其被设置的接收来自外部设备的光束，所述石英薄片具有上表面以及与所述上表面相对设置的下表面，所述上表面具有衍射光栅，所述下表面具有若干凹槽；金属电阻，其被设置的检测所述石英薄片的电导率，所述金属电阻嵌入所述凹槽内；所述外部光束自所述衍射光栅的一侧穿透所述石英薄片照射在被识别物体上，当所述石英薄片破损时，石英薄片的电导率发生变化，所述金属电阻根据检测到的电导率变化控制外部设备停止发射光束。本发明可以监测石英材质的衍射光学镜片是否破损可有效保证人眼安全。
一种具有检测功能衍射光学镜片及其制作方法

[发明专利]一种MEMS增强质量块惯性器件及其制备方法-CN202110760047.8有效
发明人：刘杨;王雪峰;王敏锐;张广平 -专利权人：美满芯盛（杭州）微电子有限公司
申请日： 2021-07-05 - 公布日： 2023-08-29 - 主分类号： B81B3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS增强质量块惯性器件，属于一种惯性器件，包括第一晶圆、第二晶圆和第三晶圆，所述第二晶圆和所述第三晶圆分别键合在所述第一晶圆的上下两面上；所述第一晶圆，其从上往下分别包括第一体硅、埋氧层和第二体硅；本发明通过采用3片晶圆键合方案，采用SOI晶圆作为中间层材料，正面和背面均采用深硅刻蚀形成可动微机械结构层，通过微结构定义，可以增加器件质量块厚度，再选用体硅晶圆，利用硅通孔工艺技术与键合工艺技术，实现与微机械结构的电学连接，最后在器件底部键合一层体硅晶圆，形成晶圆级封装，保持器件内部真空度，保证器件运行稳定性，具有灵敏度高、机械热噪声小的特点。
一种 mems 增强质量惯性器件及其制备方法

[实用新型]一种叉车-CN202320175541.2有效
发明人：熊峰;王敏锐;冯丽军;项罗毅 -专利权人：中创新航科技（四川）有限公司;中创新航科技股份有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B66F9/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种叉车，包括，车体，沿第一方向行进；安装平台，与所述车体沿竖向滑动连接；升降机构，设置在所述车体上，用于带动所述安装平台滑动并锁定所述安装平台；侧移机构，包括用于承托待转运物的侧移架，所述侧移架与所述安装平台沿第二方向滑动连接；所述第二方向垂直于所述第一方向，且所述第一方向与所述第二方向均位于平面内。在上述技术方案中，减少了叉车转运货物的过程中，因需要调整车体方向而需要较大空间的问题，提升了使用的便利性，提高工作效率。
一种叉车

[实用新型]一种叉车-CN202320136816.1有效
发明人： 王敏锐;冯丽军;熊峰;项罗毅 -专利权人：中创新航科技股份有限公司
申请日： 2023-02-01 - 公布日： 2023-08-04 - 主分类号： B66F9/06 文献下载
摘要：本申请提供了一种叉车，包括，车体，沿第一方向行进；升降安装台，与所述车体沿竖向滑动连接，并可相对所述车体锁定；驱动件，固定连接在所述车体上，用于带动所述升降安装台升降；滑移机构，与所述升降安装台沿第二方向滑动连接，并可相对所述升降安装台锁定；承托架，设置在所述滑移机构上，用于承托待转运物体；所述第二方向垂直于第一方向，且所述第一方向于所述第二方向均位于水平面内。在上述技术方案中，在进行货物转运时，能够减少叉车需要多次转向的情况，简化了操作，提升工作效率，减少空间限制；简化工作人员操作，能够减少出现在转运的过程中因操作不当发生碰撞等问题。
一种叉车

[发明专利]一种医药级丙二醇的制备方法-CN202310458363.9在审
发明人：卢伟;鲁克彬;张文倩;王敏锐;王素 -专利权人：德元堂(上海)健康科技发展有限公司
申请日： 2023-04-26 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： C07C29/76 文献下载
摘要：本发明公开一种医药级丙二醇的制备方法，包括步骤：(1)将工业级丙二醇与乙醇混合，以形成低粘度的混合液，然后加入固体吸附剂后混合均匀后静置；完成后固液分离去除所述固体吸附剂，收集液相备用。(2)在所述液相中加水，并调节至液相中总的水含量和所述乙醇形成共沸物，然后加热至该共沸物的共沸温度蒸出所述水和乙醇，即得医药级丙二醇。本发明的方法通过乙醇稀释对工业丙二醇稀释后使杂质能够更加充分地进入固体吸附剂中，提高除杂效果。同时，所述乙醇还为后续进行共沸去除工业级丙二醇中的水分创造了条件，本发明通过加入水与所述乙醇形成共沸物后，可在较低的共沸温度下加热同时去除工业级丙二醇中的水分和乙醇得到高纯度的丙二醇。
一种医药丙二醇制备方法

[实用新型]一种内圆撑涨装置-CN202320237160.2有效
发明人：白亚东;李军;肖帅;徐鹏程;刘庆东;王敏锐 -专利权人：山西汾西重工有限责任公司
申请日： 2023-02-17 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： B23K37/04 文献下载
摘要：本实用新型公开一种内圆撑涨装置，该装置包括：环形圈，所述环形圈的外表面与圆筒壳体的内表面相贴合，用于将所述圆筒壳体撑紧；于所述环形圈上设置有贯穿的缺口；楔形块，所述楔形块位于所述缺口处并与所述环形圈固定连接，用于堵住所述缺口。通过该装置，可以将环形圈与圆筒壳体的内壁完全贴紧，从而矫正圆筒壳体的圆度，防止圆筒壳体加工时发生变形；进一步的，于所述环形圈的外表面设置有凹槽，用于在两个圆筒壳体进行对焊时，置于两个圆筒壳体的焊接处，可以防止由焊接高温引起的圆筒壳体塌陷，也可确保焊接溶液流入凹槽中，保证焊缝的缝隙焊透。
一种内圆撑涨装置

[发明专利]一种四通带高选择性的频率选择表面结构及其单元结构-CN202310318497.0在审
发明人：相征;王敏锐;任鹏;李毅 -专利权人：西安电子科技大学
申请日： 2023-03-28 - 公布日： 2023-06-27 - 主分类号： H01Q15/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种四通带高选择性的频率选择表面单元结构，包括：由上至下依次设置的第一金属层、第一介质基板、第二金属层、第一空气腔、第三金属层、第二介质基板、第二空气腔、第四金属层、第三介质基板和第五金属层；第一金属层和第二金属层位于第一介质基板上；第三金属层位于第二介质基板的上表面上；第四金属层和第五金属层位于第三介质基板上；第一金属层和第五金属层开设有弯曲交叉槽缝隙；第二金属层和第四金属层均为正方形环路贴片；第三金属层为正方形贴片。本发明还公开了一种四通带高选择性的频率选择表面结构。本发明的频率选择表面结构通过多层级联的方式实现四通带，通带选择性高，频带抑制范围宽。
一种四通选择性频率选择表面结构及其单元

[发明专利]长宽比较大的矩形框架组合焊接结构及其焊接方法-CN201911184891.X有效
发明人：汪卓然;刘国廷;柴斐;白亚东;王军平;孙瑞芳;安海俊;闫晓英;杜孟开;王敏锐;王丹 -专利权人：山西汾西重工有限责任公司
申请日： 2019-11-27 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： B23K28/02 文献下载
摘要：本发明公开了一种长宽比较大的矩形框架组合焊接结构及其焊接方法，解决了长宽比较大的矩形钢板框架焊接容易变形和焊缝探伤困难的问题。在电子束真空焊接室内，将长条形前侧板（1）、长条形后侧板（2）、矩形左侧板（3）、矩形右侧板（4）和四个结构完全相同的衔接方形立柱（8）组成矩形框架；在衔接方形立柱前侧面内侧焊接平面（15）与矩形左侧板后侧面内侧焊接平面（7）之间进行手工坡口氩弧焊，形成第一手工坡口氩弧焊角焊缝（20），在立柱后内侧水平面（18）与长条形后侧板（2）的内侧面之间进行手工坡口氩弧焊，形成第二手工坡口氩弧焊角焊缝（11）；从而最大程度地克服了薄壁框架体的焊接应力的传导。
较大矩形框架组合焊接结构及其方法

[实用新型]一种压延机的自动回料装置-CN202223331323.8有效
发明人：潘焕德;严海良;王敏锐;黄亮忠;刘轩 -专利权人：佛山市威仕达新材料有限公司
申请日： 2022-12-13 - 公布日： 2023-05-30 - 主分类号： B29C69/00 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种压延机的自动回料装置，由后到前依次包括切割组件、输送辊、第一回收组件、第二回收组件和加工机构；切割组件设有两个刀片，第一回收组件位于输送辊的左端的下方，第二回收组件的输入端位于第一回收组件的输出端的下方，第二回收组件的中部位于输送辊的右端的下方，第二回收组件的输出端与加工机构的输入端相连接。本实用新型充分利用竖直空间，将第一回收组件和第二回收组件安装在输送辊的底部，可以有效减少回收装置的占地面估计，而且第二回收组件可以将左右两侧的边料汇集起来，然后一并输送到加工机构中，解决了传统压延机需要设置两个回收装置，然后两个回收装置分别输送左右两侧的边料，生产线的占地面积大的问题。
一种压延机自动装置

[发明专利]一种MEMS硅应变片的分离方法-CN202210511520.3有效
发明人：李文翔;王敏锐 -专利权人：美满芯盛（杭州）微电子有限公司
申请日： 2022-05-10 - 公布日： 2023-05-16 - 主分类号： B81C1/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种MEMS硅应变片的分离方法，其包括以下步骤：1)准备硅衬底晶圆，使用刻蚀工艺在所述硅衬底晶圆上刻蚀出空腔；2)使用硅硅直接键合工艺，在所述空腔表面键合一片硅片，通过减薄或抛光工艺，形成顶硅层；3)采用半导体微纳制造工艺将硅应变片的压阻、介质层和金属焊盘加工在所述顶硅层上；4)使用光刻或干法刻蚀工艺，刻蚀出硅应变片，使硅应变片将沉入所述空腔底部；5)采用去胶工艺将光刻胶去除，并且将带有空腔的硅衬底晶圆作为硅应变片存放及运输的载具。本发明可以解决在晶圆上加工完成的硅应变片，由于其尺寸小、厚度薄、结构脆弱，很难高效、高良率的从晶圆上分离下来以及分离下来后，难存放、运输的问题。
一种 mems 应变分离方法

[发明专利]一种薄膜压力传感器及其制备方法-CN202111331088.1在审
发明人：万飞;白煜;王敏锐;张敏;葛政;高亚楠;李世定 -专利权人：西安交通大学苏州研究院
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： G01L1/20 文献下载
摘要：本发明提供了一种薄膜压力传感器及其制备方法，所述薄膜压力传感器的压力敏感层包括叠层设置的第一敏感薄膜层和第二敏感薄膜层；其中，所述第一敏感薄膜层的材料为NixCr1‑x，0＜x≤0.5；所述第二敏感薄膜层的材料为NiyCr1‑y，0.65≤y＜1。其中，所述第一敏感薄膜层和所述第二敏感薄膜层是采用磁控溅射工艺制备形成。本发明的技术方案，压力敏感层为叠层设置的富铬的第一敏感薄膜层和贫铬的第二敏感薄膜层的组合，由此可以改善基于镍铬合金材料作为压力敏感层的薄膜压力传感器的性能，特别是可以有效地降低传感器的电阻温度系数，并且其制备工艺的一致性及稳定性得到提升，非常有利于大规模的工业化生产。
一种薄膜压力传感器及其制备方法

[发明专利]基于硅基底的欧姆接触电极结构及其制备方法-CN202111335885.7在审
发明人：李世定;王敏锐 -专利权人：西安交通大学苏州研究院
申请日： 2021-11-11 - 公布日： 2023-05-12 - 主分类号： H01B1/02 文献下载
摘要：本发明提供了一种基于硅基底的欧姆接触电极结构及其制备方法，所述欧姆接触电极结构包括在重掺杂的硅基底上依次设置的TiSi2欧姆接触层、TaN阻挡层、Ta过渡层以及Pt导电层，其中，所述Ta过渡层为α相的Ta金属。本发明的技术方案，在TiSi2欧姆接触层和Pt导电层之间设置了TaN阻挡层和α相的Ta金属过渡层。TaN具有电阻率低、熔点高、扩散激活能高、化学稳定的优异性能，能够有效地阻挡Pt导电层与欧姆接触层之间的扩散，能够有效地降低欧姆接触电极结构的电阻率并且在高温环境中保持稳定有效；低阻相的α相Ta金属过渡层与Pt导电层具有很好的粘附性，并且与Pt几乎不发生反应，界面稳定性高，由此可以进一步降低电极结构的电阻率并提高电极结构的稳定性。
基于基底欧姆接触电极结构及其制备方法

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