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[发明专利]半导体器件及其制造方法-CN202310194196.1在审
发明人：陈诚;王宏付 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-02-27 - 公布日： 2023-06-02 - 主分类号： H10B12/00 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体器件及其制造方法，所述制造方法包括：在半导体基底中形成接触孔；在所述接触孔的侧壁和底部沉积第一接触材料，形成第一接触层；对所述第一接触层执行离子注入工艺；其中，所述离子注入工艺包括多次离子注入，每次离子注入中，离子束与所述半导体基底所在平面的垂线成第一预设角度，每次离子注入之后将所述半导体基底绕所述垂线旋转第二预设角度；在所述第一接触层表面沉积填充所述接触孔的第二接触材料，形成第二接触层；对所述半导体基底进行热处理，修复所述第一接触层和所述第二接触层。
半导体器件及其制造方法

[发明专利]一种半导体结构的制备方法及半导体结构-CN202310133154.7在审
发明人：张强;王宏付 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2023-02-08 - 公布日： 2023-05-05 - 主分类号： H01L21/768 文献下载
摘要：本公开实施例提供了一种半导体结构的制备方法和半导体结构，其中，所述制备方法包括：提供衬底，在所述衬底上形成多个功能结构，将位于多个所述功能结构之间的区域定义为待填充区域；向反应腔室内通入第一气体，以形成第一子层，所述第一子层至少覆盖所述功能结构的表面；执行第一处理工艺，以防止所述第一子层包含的元素发生迁移；向反应腔室内通入第二气体，以在所述第一子层的表面形成第二子层；执行第二处理工艺，以防止所述第二子层包含的元素发生迁移；其中，所述第一子层和所述第二子层位于所述功能结构侧表面的部分填充所述待填充区域。
一种半导体结构制备方法

[发明专利]炉管和向炉管内通入反应气体的方法-CN201910822049.8在审
发明人：卢经文;王宏付 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2019-08-30 - 公布日： 2021-03-05 - 主分类号： C23C16/455 文献下载
摘要：该发明涉及一种炉管和向炉管内通入反应气体的方法，其中炉管包括：反应腔，用于放置待反应的晶圆；至少两根进气管路，伸入至反应腔，并与反应腔相连通，以向反应腔内通入反应气体，进气管路包括：至少一根第一进气管路，一端伸入至反应腔内的第一高度，以向反应腔的第一高度通入反应气体；至少一根第二进气管路，一端伸入至反应腔内的第二高度，以向反应腔的第二高度通入反应气体。本发明可以通过不同种类的进气管路在炉管内的不同高度内通入反应气体，便于用户对炉管内不同高度的反应气体的浓度进行控制，有助于在晶圆表面形成膜层时，减少气体扰流对反应气体浓度的影响，提高膜层的均匀性，提高晶圆生产的良率。
炉管内通入反应气体方法

[外观设计]裤子（矿工服）-CN201930692220.9有效
发明人：柯莹;郑晴;王宏付;王艺 -专利权人：江南大学
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： 02-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：裤子（矿工服）。2.本外观设计产品的用途：用作穿着。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。5.模特为内衬物，不要求保护。
裤子矿工

[外观设计]上衣（矿工服）-CN201930691693.7有效
发明人：柯莹;郑晴;王宏付;王艺 -专利权人：江南大学
申请日： 2019-12-11 - 公布日： 2020-06-23 - 主分类号： 02-02 文献下载
摘要：1.本外观设计产品的名称：上衣（矿工服）。2.本外观设计产品的用途：用作穿着。3.本外观设计产品的设计要点：在于形状与图案的结合。4.最能表明设计要点的图片或照片：主视图。5.模特为内衬物，不要求保护。
上衣矿工

[发明专利]导电多晶硅触点的扩散生成方法及设备-CN201810423475.X在审
发明人： 王宏付 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-05-06 - 公布日： 2019-11-12 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本发明提供一种导电多晶硅触点的扩散生成方法及设备，该方法首先提供一扩散炉管，在扩散炉管内设置一个晶圆盒缓存系统，晶圆盒经由晶圆盒缓存系统装载至扩散炉管内的缓存过程包括如下步骤：通入氮气步骤、排出气体步骤、监测氧气步骤。本发明使得晶圆自然氧化层更薄，接触电阻特性更好，大大提高了器件性能。
扩散炉管晶圆盒导电多晶硅缓存系统触点氮气自然氧化层扩散缓存过程接触电阻排出气体器件性能晶圆氧气装载监测

[发明专利]原子层沉积方法及炉管设备-CN201810364782.5在审
发明人： 王宏付 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2019-10-29 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本发明提供一种原子层沉积方法及炉管设备，其中一种原子层沉积方法包括步骤S1至步骤S6共六个步骤，本发明一方面通过改进炉管设备中真空泵系统，另一方面通过原子层沉积方法的控制，使得原子层沉积的两种反应气体分别从不同的真空泵通过，致使真空泵内沉积薄膜大幅减少，降低了真空泵中的累积膜厚，提高真空泵的寿命，可以提高真空泵寿命达到两倍或两倍以上。
原子层沉积真空泵炉管真空泵系统沉积薄膜反应气体膜厚改进

[发明专利]一种柔性材料曲面模板全自动缝制系统及方法-CN201810366622.4有效
发明人：苏军强;黄锋林;王宏付;柯莹;吴欣 -专利权人：江南大学
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： D05B39/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种柔性材料曲面模板全自动缝制系统及方法，包括，曲面组件，其区分为第一层压板和第二层压板，所述第一层压板和第二层压板之间放置柔性材料裁片；移动组件，与所述曲面组件相连接，带动所述曲面组件移动，并与缝纫设备相配合；其中，所述第一层压板和所述第二层压板之间压制的柔性材料裁片，其缝头位置不在所述第一层压板和所述第二层压板之间，露在外面。本发明充分利用现有缝制机械设备，无需另外开发高难度的机械设备，实现了柔性材料的曲面缝制，以曲面组件约束和限制柔性材料的变形，与筒形缝纫机配合实现柔性材料的曲面缝制。
层压板柔性材料曲面组件缝制缝制系统机械设备曲面模板裁片筒形缝纫机缝纫设备移动组件缝头配合变形压制移动开发

[实用新型]原子层沉积炉管设备-CN201820576769.1有效
发明人： 王宏付 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-04-23 - 公布日： 2019-02-19 - 主分类号： C23C16/44 文献下载
摘要：本实用新型提供一种原子层沉积炉管设备，该设备包括炉管外体、排气管组、真空泵一及真空泵二，其中排气管组设置在炉管外体相对于排气口的另一面，排气管组包含主排气管一、主排气管二、支排气管一、支排气管二、支排气管三和支排气管四；支排气管一相对于主排气管一的另一端与真空泵一相连通，真空泵一另一端通过所述支排气管三与主排气管二连通；支排气管二相对于主排气管一的另一端与真空泵二相连通，真空泵二另一端通过支排气管四与主排气管二连通。本实用新型通过改进炉管设备中真空泵系统，由单泵系统改进为双泵系统，大幅减少了两种特气相互接触的可能性，可以提高真空泵寿命达到两倍或两倍以上。
支排气管真空泵主排气管炉管本实用新型原子层沉积排气管组外体连通真空泵系统单泵系统双泵系统排气口气管组特气改进

[实用新型]一种动态随机存取存储器的晶体管触点结构-CN201820985732.4有效
发明人： 王宏付 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2019-02-01 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本实用新型提供一种动态随机存取存储器的晶体管触点结构，包括：半导体衬底，具有氧化物隔离槽以及字线结构；隔离层，位于半导体衬底上表面，隔离层包括位线接触沟槽，位线接触沟槽自所述隔离层的上表面向所述半导体衬底延伸，并显露相邻两所述字线结构之间的位线接触区域；触点，自位线接触沟槽的下部向位线接触沟槽的上部延伸，以接合位线接触区域，触点包含至少一侧向沉积子层及触点填充层，其中，侧向沉积子层形成于位线接触沟槽侧壁的底面和侧向沉积子层相对远离于位线接触沟槽侧壁的表面形成为锐角关系，使得侧向沉积子层的表面非垂直倾斜于所述位线接触沟槽底部，触点填充层和侧向沉积子层共同无缝隙的填满位线接触沟槽。
位线接触侧向子层沉积触点隔离层动态随机存取存储器半导体触点结构沟槽侧壁字线结构晶体管填充层衬底本实用新型衬底上表面氧化物隔离表面形成锐角关系接合非垂直上表面无缝隙延伸底面填满显露

[实用新型]导电多晶硅触点的扩散生成设备-CN201820662300.X有效
发明人： 王宏付 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-05-06 - 公布日： 2018-12-28 - 主分类号： H01L21/673 文献下载
摘要：本实用新型提供一种导电多晶硅触点的扩散生成设备，包括扩散炉管，扩散炉管内设有装置控制系统、进出晶圆盒系统、炉体加热系统和气体控制系统，气体控制系统连接至晶圆盒缓存系统，晶圆盒缓存系统用于暂时储放待装载的晶圆盒并包括氮气通入装置、氧气监测装置及气体排出装置，氮气通入装置中设有与晶圆盒连通的进气管道及与进气管道连接的气动调节阀，气体排出装置中设有与晶圆盒连通的排气管道，排气管道从所述晶圆盒的底部排出气体。本实用新型使得晶圆自然氧化层更薄，接触电阻特性更好，大大提高了器件性能。
晶圆盒氮气通入装置气体控制系统气体排出装置本实用新型导电多晶硅缓存系统进气管道扩散炉管排气管道生成设备触点连通炉体加热系统氧气监测装置装置控制系统气动调节阀自然氧化层扩散接触电阻排出气体器件性能晶圆装载

[发明专利]一种补偿式人体扫描仪-CN201810702782.1在审
发明人：苏军强;顾冰菲;王宏付;柯莹 -专利权人：江南大学
申请日： 2018-06-30 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： G01B11/24 文献下载
摘要：本发明公开了一种种补偿式人体扫描仪，包括，第一运动单元，包括升降组件、第一动力组件和第一支架组件，所述升降组件穿过所述第一支架组件，且所述第一升降组件的端部连接有第一动力组件，所述第一支架组件的固定有信号接受器；第二运动单元，包括旋转组件、第二动力组件和第二支架组件，所述第二动力组件固定于所述第二支架组件上，其动力输出端朝上，且所述旋转组件固定于所述第二动力组件的动力输出端上；以及，平台补偿单元。本发明所述补偿式人体扫描仪为可拆卸、组装的结构，且各功能单元的外接电线均分为两段式，并通过接线机构进行连接，因此其两段式能够跟随各功能单元同时拆卸、组装。
动力组件支架组件人体扫描仪升降组件补偿式动力输出端功能单元旋转组件运动单元两段式组装信号接受器端部连接接线机构平台补偿外接电线可拆卸朝上拆卸穿过

[发明专利]一种填充沟槽形成触点的方法-CN201810649760.3在审
发明人： 王宏付 -专利权人：长鑫存储技术有限公司
申请日： 2018-06-22 - 公布日： 2018-12-07 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本发明提供一种填充沟槽形成触点的方法，通过控制刻蚀反应压力使得沟槽上部的阶梯覆盖膜的刻蚀移除量大于沟槽下部的阶梯覆盖膜的刻蚀移除量，以降低沟槽形貌的深宽比；藉由沉积及刻蚀循环的方式，完成较高深宽比的无缝隙薄膜填充，避免了缝隙对薄膜结构和电性能的影响；在同一反应室内完成沉积及刻蚀工艺，降低工艺成本；本发明制备动态随机存取存储器的方法可以制备具有无缝隙薄膜填充位线接触沟槽的动态随机存取存储器，并降低工艺复杂性及成本，提高所述动态随机存取存储器的存储能力。
动态随机存取存储器刻蚀填充沟槽形成阶梯覆盖无缝隙触点移除沉积制备薄膜工艺复杂性薄膜结构存储能力反应压力高深宽比工艺成本沟槽形貌刻蚀工艺电性能深宽比填充位线接触室内

[发明专利]一种个体化服装样板生成方法-CN201810702781.7在审
发明人：苏军强;匡才远;柯莹;王宏付 -专利权人：江南大学
申请日： 2018-06-30 - 公布日： 2018-11-06 - 主分类号： A41H3/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种个体化服装样板生成方法，其包括，通过人体三维扫描仪扫描获得三维人体扫描数据，并针对所述三维人体扫描数据，定义人体特征部位及其测量方法来进行人体体型特征描述，同时将个体化服装样板的特殊性分解为样板结构线条的特殊性，得到样板曲线形态；建立所述特征部位的模型，以表达所述人体特征部位形态与所述样板曲线形态之间的关系；对所述特征部位模型进行细分，建立特征部位分类模型，将所述人体特征部位进行分档处理，并获得没有松量的服装原型样板。本发明通过分析各个特征部位的形态与其相对应的样板曲线形态之间的关系，将通常意义上的人体曲面展开问题转化为样板结构中曲线的参数调整问题。
特征部位人体特征部位服装样板样板曲线个体化三维人体扫描样板结构服装原型样板人体体型特征三维扫描仪参数调整分类模型人体曲面问题转化分档线条测量扫描分解分析

[实用新型]半导体器件-CN201820551253.1有效
发明人： 王宏付 -专利权人：睿力集成电路有限公司
申请日： 2018-04-18 - 公布日： 2018-10-16 - 主分类号： H01L27/108 文献下载
摘要：本实用新型至少提供一种半导体器件，包括：衬底，具有器件隔离结构和埋入式栅极；绝缘结构，覆盖埋入式栅极并形成于衬底上；位线接触栓塞，在沉积炉管机台中形成于绝缘结构中，并位于相邻两个埋入式栅极之间的衬底上方；自然氧化层，形成于衬底与位线接触栓塞之间，在同一沉积炉管机台中清洗该自然氧化层，使其厚度小于等于2埃，该技术方案可以降低接触电阻，提高电性能。
衬底埋入式栅极机台半导体器件自然氧化层沉积炉管绝缘结构位线接触栓塞降低接触电阻器件隔离结构本实用新型电性能清洗覆盖

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