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[发明专利]碲化锡薄膜/锗异质结宽谱光电探测器及其制备方法-CN202210447367.2有效
发明人：唐利斌;宋立媛;郝群;周艳;王微;杨春丽;冯江敏;袁绶章;邓功荣;王善力 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2022-04-26 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L31/032 文献下载
摘要：基于碲化锡薄膜/锗异质结宽谱光电探测器及其制备方法，涉及可见至近红外波段的宽光谱光电探测领域，尤其涉及一种基于新型二维半导体材料的高探测率、高响应率的光电探测器及其制备方法。本发明方法采用二维半导体材料碲化锡薄膜为构建异质结的p‑型材料，基底采用锗衬底。采用“一步式”直流溅射法在清洗、预掩膜后的锗基底上，直接溅射碲化锡薄膜以制备碲化锡薄膜/锗异质结。去除掩膜后，热蒸镀金属Al电极以制备光伏探测器原型器件。与现有制备技术相比，本发明制备方法简单高效、低成本，低功耗，实现了可见至近红外波段（400‑1050 nm）的室温工作的碲化锡薄膜/锗异质结宽谱光电探测器的制备。制备工艺高效、简单，室温下器件响应率、探测率高。
碲化锡薄膜锗异质结宽谱光电探测器及其制备方法

[发明专利]基于荧光下转换的紫外增强CMOS图像传感器及其制备方法-CN202310308028.0在审
发明人：唐利斌;罗磊;才玉华;宋立媛;王善力 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2023-03-27 - 公布日： 2023-08-08 - 主分类号： H01L27/146 文献下载
摘要：基于荧光下转换的紫外增强CMOS图像传感器及其制备方法，属于紫外光电探测技术领域。本发明图像传感器由CMOS图像传感器和下转换纳米材料层构成，下转换纳米材料层为晕苯薄膜，沉积在CMOS图像传感器的像敏面上；所述荧光下转换材料层晕苯薄膜厚度为290 nm。本发明采用一种低成本的荧光下转换材料实现紫外到可见光的转换，发射出的可见光可以与CMOS图像传感器的光谱响应峰值很好的匹配，提升CMOS图像传感器在紫外波段的响应能力。本发明中的下转换材料具有高的光转换效率、优异的热稳定性和光稳定性，在可见光区域及红外区域有极好透过率，通过热蒸发制备的薄膜有更好的均匀性。
基于荧光转换紫外增强 cmos 图像传感器及其制备方法

[发明专利]SnTe/n-Si紫外至短波红外光伏探测器及其制备方法-CN202310159115.4在审
发明人：宋立媛;唐利斌;郝群;王善力;孔令德;李俊斌;庄继胜 -专利权人：昆明物理研究所
申请日： 2023-02-23 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：SnTe/n‑Si紫外至短波红外光伏探测器及其制备方法，涉及光伏探测领域。本发明方法采用n型Si作为异质衬底材料，采用SnTe纳米薄膜作为p型半导体材料，以制备SnTe/n‑Si红外光伏探测器。采用射频磁控溅射法，在预先掩模过的n‑Si衬底上溅射一定厚度的SnTe纳米薄膜，以制备SnTe/n‑Si异质结构。采用热蒸发法蒸镀具有一定图形的金属电极，以制备SnTe/n‑Si红外光伏探测器。与现有的化学气相沉积法相比，本发明制备方法简洁、低成本；实现了室温下、在紫外至短波红外波段（365‑2050 nm）具有光电响应特性的SnTe/n‑Si光伏探测器的制备；该器件在近红外波段具有高的响应率和探测率；并且该器件探测波长超过了Si的截止波长，由于与SnTe纳米薄膜相结合，使异质结光伏器件的探测波长范围得到了拓展。
snte si 紫外短波红外光探测器及其制备方法

[发明专利]一种具有垂直结构的AlGaN\GaN功率器件及其制备方法-CN201810133689.3有效
发明人：杨刚;王书昶;王善力;孙智江 -专利权人：海迪科(南通)光电科技有限公司
申请日： 2018-02-09 - 公布日： 2019-12-10 - 主分类号： H01L29/06 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有垂直结构的AlGaN/GaN功率器件及其制备方法，包括由下而上依次设置的漏极电极、n
上表面介质钝化层上表面齐平垂直结构源极电极制备器件工作电压器件可靠性功率器件漏极电极依次设置栅极电极高功率覆盖填充对称保证表现

[实用新型]一种CSP封装LED可变色温灯丝灯引脚连接结构-CN201820206589.4有效
发明人：杨刚;王书昶;王善力;孙智江 -专利权人：海迪科(南通)光电科技有限公司
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2018-10-12 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种CSP封装LED可变色温灯丝灯引脚连接结构，包括一基板，在所述基板上设置有电路组，所述电路组包括末端设有电路接触点的两电路，且两电路接触点一上一下错开设置在基板上；在所述各电路上分别串联有A，B两种色温值的CSP封装LED芯片，在所述基板上还设有与电路接触点相连接的上下错开的两引脚。本实用新型的优点在于：本实用新型CSP封装LED可变色温灯丝灯引脚连接结构，通过在基板的末端设置上下错开的电路接触点，进而可在较细的LED灯丝灯基板上的一端引出多个引脚，使可变色温灯丝灯兼顾简洁美观的外观与可靠的电学、机械性能。
基板引脚电路接触可变色温灯丝灯本实用新型连接结构封装上下错开电路组机械性能电路封装LED芯片错开设置一上一下电学灯基色温串联美观

[发明专利]一种具有扩展电极的芯片级封装结构-CN201810007923.8在审
发明人：陆冰睿;张思超;王善力 -专利权人：海迪科（南通）光电科技有限公司
申请日： 2018-01-04 - 公布日： 2018-08-03 - 主分类号： H01L33/38 文献下载
摘要：本发明涉及一种具有扩展电极的芯片级封装结构，包括底部设第一电极的芯片，芯片出光面上设荧光粉浓度记作w1的第一浓度荧光层，形成封装体A，且芯片出光面的侧面＜10%面积被第一浓度荧光层覆盖；封装体A的顶面和侧面还设有呈半透明或透明状的荧光粉浓度记作w2的第二浓度荧光层，形成封装体B，且w1＞w2；封装体B的侧面和芯片底部还设与封装体B配合且包裹第一电极的不含荧光粉的无机绝缘反射层，无机绝缘反射层的底部设通孔，该通孔内连接有第二扩展电极，第二扩展电极的间距大于第一电极的间距，且其顶面与第一电极、芯片及无机绝缘反射层均接触。本发明的优点在于：扩展电极的设置，可降低后期电极对准等工艺流程的工艺精度要求。
扩展电极封装体第一电极荧光粉芯片无机绝缘反射层荧光层芯片级封装结构侧面顶面通孔工艺精度要求电极对准工艺流程半透明内连接透明状覆盖配合

[发明专利]发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件及其制备方法-CN201711464632.3在审
发明人：云峰;张思超;王善力;陆冰睿 -专利权人：海迪科（南通）光电科技有限公司
申请日： 2017-12-28 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明涉及一种发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件及其制备方法，所述发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件包括若干个密集排布的发光像素单元，所述发光像素单元设置在衬底上；在同一衬底上还设置有控制同一衬底上发光像素单元发光的控制单元。本发明的优点在于：本发明发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件，将发光像素单元和控制单元设置在同一衬底上，与控制单元与发光单元通过bonding结合方式相比，大大降低了工艺精准要求；同时，该结构的设置也能适用于尺寸较小的二极管芯片，特别是微米量级的二极管芯片，从而可提高显示器件的分辨率，进而能够延长发光二极管LED或激光二极管LD阵列器件的使用寿命。
发光二极管LED 激光二极管LD 阵列器件发光像素单元衬底二极管芯片制备发光单元结合方式密集排布使用寿命微米量级显示器件分辨率发光

[发明专利]一种CSP封装LED可变色温灯丝灯引脚连接结构及其制备方法-CN201810119053.3在审
发明人：杨刚;王书昶;王善力;孙智江 -专利权人：海迪科(南通)光电科技有限公司
申请日： 2018-02-06 - 公布日： 2018-07-06 - 主分类号： H01L33/62 文献下载
摘要：本发明涉及一种CSP封装LED可变色温灯丝灯引脚连接结构及其制备方法，通过电路组制作、引出两引脚和CSP封装LED芯片固定三个工序制得，包括一基板，在所述基板上设置有电路组，所述电路组包括末端设有电路接触点的两电路，且两电路接触点一上一下错开设置在基板上；在所述各电路上分别串联有A，B两种色温值的CSP封装LED芯片，在所述基板上还设有与电路接触点相连接的上下错开的两引脚。本发明的优点在于：本发明CSP封装LED可变色温灯丝灯引脚连接结构，通过在基板的末端设置上下错开的电路接触点，进而可在较细的LED灯丝灯基板上的一端引出多个引脚，使可变色温灯丝灯兼顾简洁美观的外观与可靠的电学、机械性能。
引脚基板电路接触可变色温灯丝灯连接结构电路组封装封装LED芯片上下错开制备机械性能电路错开设置一上一下电学灯基色温串联美观制作

[实用新型]两用帽子-CN201320023833.0有效
发明人：曹鸿;褚君浩;王善力 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： A42B1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种两用帽子，包括帽体和帽耳，帽耳外侧装有柔性太阳能电池，内侧放置有蓄电池，电暖袋固定在帽体上，蓄电池与电暖袋连接，给电暖袋内的液体供电加热。帽耳通过纽扣或魔术扣固定在帽体上，方便拆卸，卸下帽耳该帽子可作为冰帽使用。本实用新型提供的两用帽子结构简单、合理、节省能源、方便实用。
两用帽子

[实用新型]一种n-p-p⁺结构的CdTe薄膜太阳能电池-CN201220530509.3有效
发明人：张传军;邬云华;王善力;褚君浩 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： H01L31/0296 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种n-p-p+结构的CdTe薄膜太阳能电池，包括：衬底，在衬底上依次置有金属Mo背电极、重掺杂p＋-CdTe层、弱p型CdTe层、n-CdS层、前电极透明导电氧化物薄膜。其优点是：p-CdTe／p＋-CdTe同质结避免了界面的晶格失配和能带的不连续；重掺杂p＋-CdTe改善了p-CdTe层的内建电场，提高了载流子的收集率，显著降低了金属背电极和p＋-CdTe层间的接触势垒，提高了电池的开路电压；调节p-CdTe层的厚度可以实现对入射光辐射的最大吸收和转化，整个制备工艺可以在低于400℃的温度下进行。
一种 sup 结构 cdte 薄膜太阳能电池

[实用新型]太阳能取暖衣-CN201320023831.1有效
发明人：曹鸿;褚君浩;王善力 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： A41D1/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种太阳能取暖衣，包括衣服本体，固定在衣服本体外表面的柔性太阳能电池，衣服内衬口袋中放置有蓄电池，电暖袋通过纽扣或魔术扣固定在衣服内衬，蓄电池与电源接头连接，通过控温开关给电加热管供电，加热装在电暖袋内的储热液体。本实用新型的优点是：蓄电池和电暖袋可很方便地拆卸，当不需要取暖时，该衣服可作为普通衣服使用；太阳能取暖衣结构简单、合理、节省能源、方便实用。
太阳能取暖

[实用新型]可载人自动滑行的太阳能旅行箱-CN201320023445.2有效
发明人：曹鸿;褚君浩;王善力 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2013-01-16 - 公布日： 2013-07-31 - 主分类号： A45C15/00 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种可载人自动滑行的太阳能旅行箱，包括：箱体、球门形拉杆及箱体前面底部装有的可载人的折叠踏板。箱体表面装有柔性太阳能电池，箱底前部夹层设置有带加长轴的电动机，加长轴的两端连接有转动轮，箱底中部夹层设置有蓄电池，箱底后部夹层设置有连接轴，连接二个转向轮。拉杆连接连接轴，用以控制滑行方向。该旅行箱结构简单、合理、节省能源、方便实用，可减轻人们在旅途中的体力消耗，当不需要载人时，可让旅行箱自动滑行或作为普通旅行箱使用。
载人自动滑行太阳能旅行

[实用新型]大面积背光源亮度参数测试装置-CN201220303181.1有效
发明人：褚君浩;苏锦文;梅伟芳;王善力 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2012-06-26 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： G01M11/02 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种大面积背光源亮度参数测试装置，包括：背光源亮度探测箱、信号采集处理测试箱、计算机和条形码打印机。背光源亮度探测箱可非常方便更换内部的被测背光源和探测部件。本实用新型的最大特点是探测部件和信号采集处理部件不装在同一机箱中，各部件相互不干扰，散热好。其次可针对不同企业所制定的测试技术规范和不同尺寸的背光源定制一个背光源亮度探测箱，配上信号采集处理测试箱、计算机和条形码打印机即可使用，适应性强，是检验背光源产品合格和合格等级分类的重要检测设备。
大面积背光源亮度参数测试装置

[实用新型]一种专用于CdTe薄膜太阳能电池的热处理装置-CN201220530462.0有效
发明人：张传军;邬云华;曹鸿;赵守仁;王善力;褚君浩 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2012-10-17 - 公布日： 2013-04-10 - 主分类号： H01L31/18 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种专用于CdTe薄膜电池的热处理装置，该热处理装置包括：石墨舟和石英支架。所述的石英支架是一个长方形框架，长方形框架从前向后分为三个区域，第一区域为样品除湿区域，第二区域为样品热处理区域，第三区域为样品降温区域。石英支架贯通石墨舟中移动，使样品分别在三个区域中完成除湿，热处理，降温。免除了CdTe薄膜和CdCl2源片吸附水分对退火薄膜质量的影响，避免CdCl2残留物污染及CdTe薄膜表面氧化，省去了随后的清洗工序及由此引起的CdTe薄膜太阳能电池转换效率的衰减。
一种专用 cdte 薄膜太阳能电池热处理装置

[发明专利]一种机械叠层碲化镉/多晶硅太阳能电池-CN201110268965.5无效
发明人：曹鸿;王善力;邬云骅;潘建亮;张传军;褚君浩 -专利权人：上海太阳能电池研究与发展中心
申请日： 2011-09-13 - 公布日： 2013-03-27 - 主分类号： H01L31/0687 文献下载
摘要：本发明公开了一种机械叠层碲化镉/多晶硅太阳能电池，包括：顶部可吸收偏向短波高能太阳光的碲化镉太阳能电池和底部可吸收偏向长波低能太阳光的多晶硅太阳能电池。顶部碲化镉太阳能电池的透明导电层由p型碳纳米管涂层和p型透明导电膜组成，有效改善了透明导电层在碲化镉吸收层上的附着性。叠合时采用顶部碲化镉太阳能电池的背电极和底部多晶硅太阳能电池的表面电极完全重合，可使多晶硅太阳能电池的受光面可充分吸收从顶部电池透过的光子。这种机械叠层碲化镉/多晶硅太阳能电池结构不仅扩展了对太阳光谱的吸收范围，而且简化了制备工艺，降低了电池成本。
一种机械叠层碲化镉多晶太阳能电池

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