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[发明专利]基于消息队列的级联架构防火墙联动封解禁装置及方法-CN202011031386.4有效
发明人：姜帆;王哲力;姜训;俞皓;贾雪;徐胜国;赵亚光;马腾鹏;鲁国亮;王志勇 -专利权人：南京南瑞信息通信科技有限公司
申请日： 2020-09-27 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H04L9/40 文献下载
摘要：本发明公开了基于消息队列的级联架构防火墙联动封解禁装置及方法，该装置包括：业务节点，用于：执行封解禁流程的实体操作节点，位于级联架构中的中心或末端；消息队列组件，用于：执行防火墙封解禁实体消息的传递；防火墙接口引擎组件，用于：适配操作不同厂商品牌防火墙的封解禁指令，实现防火墙的指令接口。本发明通过解除模块间耦合，借助消息队列，传递封解禁指令，并实现消息的级联传递，及时处理自上而下的防火墙封解禁命令，实现实时预警处置。
基于消息队列级联架构防火墙联动解禁装置方法

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202310530111.2在审
发明人：林科闯;请求不公布姓名;孙希国;蔡仙清;卢益锋;谷鹏;张辉;王哲力 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-07-28 - 主分类号： H01L29/51 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成漂移层和磁性介质层；刻蚀磁性介质层，分别形成源极开口和漏极开口，在源极开口和漏极开口内的漂移层上蒸镀金属以分别形成源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属分别与漂移层欧姆接触。在源极金属和漏极金属之间的磁性介质层上形成栅极金属，即磁性介质层位于栅极金属之下，使得磁性介质层能够受栅极金属的电压调控，产生感应电流，形成微导电通道，来调控陷阱态造成的电流降低现象，有效的缩短了栅延迟时间，改善射频应用中的功率压缩和高频散射，提升HEMT器件的性能和稳定性。
一种电子迁移率晶体管制备方法

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202110729642.5有效
发明人：林科闯;请求不公布姓名;孙希国;蔡仙清;卢益锋;谷鹏;张辉;王哲力 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2023-07-21 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成漂移层和磁性介质层；刻蚀磁性介质层，分别形成源极开口和漏极开口，在源极开口和漏极开口内的漂移层上蒸镀金属以分别形成源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属分别与漂移层欧姆接触。在源极金属和漏极金属之间的磁性介质层上形成栅极金属，即磁性介质层位于栅极金属之下，使得磁性介质层能够受栅极金属的电压调控，产生感应电流，形成微导电通道，来调控陷阱态造成的电流降低现象，有效的缩短了栅延迟时间，改善射频应用中的功率压缩和高频散射，提升HEMT器件的性能和稳定性。
一种电子迁移率晶体管制备方法

[实用新型]GaN基半导体的界面态密度测试结构-CN202221714286.6有效
发明人：蔡文必;王哲力;靳义昌;邹冠;许亚红 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-07-05 - 公布日： 2023-01-06 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种GaN基半导体的界面态密度测试结构，该测试结构在GaN外延层上设有无源区和有源区，有源区上设有欧姆金属层，在无源区、欧姆金属层及无源区与欧姆金属层之间的有源区上覆盖有钝化层，钝化层上设有肖特基金属层，肖特基金属层在GaN外延层上的投影区域覆盖无源区并延伸至有源区，并且肖特基金属层和欧姆金属层在GaN外延层上的投影区域互不重叠，当采用C‑V测试法测量钝化层与GaN外延层之间的界面态密度时，分析仪的两端分别设于肖特基金属层和欧姆金属层上。通过测量出的C‑V曲线拟合可得到钝化层与GaN外延层之间的界面态密度，有源区上方的肖特基金属层在GaN外延层上的投影形状为圆形，该界面态密度测试结构的寄生效应小，测量准确度高。
gan 半导体界面密度测试结构

[实用新型]半导体制程ESD监控结构及测试晶圆-CN202221145412.0有效
发明人： 王哲力;杨瑞婷;邹冠;靳义昌;许亚红 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2022-05-13 - 公布日： 2022-10-11 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种半导体制程ESD监控结构及测试晶圆，该ESD监控结构包括外延层以及设置在外延层上的至少一个ESD测试单元，ESD测试单元包括两个测试电极，两个测试电极相对的侧面上均设有尖端金属结构，两个尖端金属结构的尖端位置相对设置并且两个尖端之间具有尖端间距，多个ESD测试单元间隔排列构成测试阵列，测试阵列中的多个ESD测试单元包含至少两种尖端间距。将测试电极与过程控制监控器的探针连接，并通过测试电极上的尖端金属结构的尖端放电效应，实现ESD监控，该ESD监控结构运用在GaN HEMT制造工艺上优势明显，可显著放大对ESD感知的灵敏性，有助于及时发现容易产生ESD的工艺。
半导体 esd 监控结构测试

[实用新型]一种钢结构梁柱连接装置-CN202220949512.2有效
发明人：严剑松;郑焕军;毛凌一;王哲力;沈敏 -专利权人：宁波市工业建筑设计研究院有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-09-02 - 主分类号： E04B1/58 文献下载
摘要：本实用新型涉及一种钢结构梁柱连接装置，包括钢柱、钢梁，钢梁位于钢柱的侧边上，钢柱的相对应的两侧边均设有呈上下分布的两道插板口，每道插板口均插接有横向钢板，沿钢柱横向呈对称分布的两横向钢板之间留有间隙并形成灌浆孔；位于同侧的两道插板口之间的间距H与钢梁的高度相等，且钢梁固定在位于同侧的两横向钢板上；本实用新型的有益效果为：通过从钢柱的两侧插入式的分别放入横向钢板，并通过横向钢板与钢梁焊接固定，具有安装焊接方便、灌浆孔的大小可根据实际需求而定、确保钢柱的垂直度的优点。
一种钢结构梁柱连接装置

[发明专利]一种高电子迁移率晶体管及制备方法-CN202110726807.3有效
发明人：林科闯;张辉;蔡仙清;卢益锋;谷鹏;孙希国;王哲力;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-06-29 - 公布日： 2022-05-10 - 主分类号： H01L21/335 文献下载
摘要：本发明提供一种高电子迁移率晶体管及制备方法，涉及半导体技术领域，包括：在衬底上依次形成第一缓冲层、磁性介质层、第二缓冲层和漂移层；在漂移层上分别形成源极金属、漏极金属和栅极金属，源极金属、漏极金属和栅极金属在衬底的正投影均位于磁性介质层在衬底上的正投影内，在此状态下，磁性介质层工作在交变电场中，在射频磁场介入时，会产生交变电场，进而产生磁场，磁性介质层会产生感应电流，进而形成微导电通道，抵消由于trapping效应中捕获载流子引发的器件电流崩塌现象，以此来调控陷阱态造成的电流降低现象，有效的缩短了栅延迟时间，改善射频应用中的功率压缩和高频散射，提升HEMT器件的性能和稳定性。
一种电子迁移率晶体管制备方法

[实用新型]带通滤波电路、低噪声放大电路、塔顶放大器及接收装置-CN202120810719.7有效
发明人：林科闯;卢益锋;蔡仙清;张辉;刘胜厚;孙希国;谷鹏;王哲力;其他发明人请求不公开姓名 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-04-20 - 公布日： 2021-12-03 - 主分类号： H04B1/16 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种带通滤波电路、低噪声放大电路、塔顶放大器及接收装置，塔顶放大器包括：前置滤波器，所述前置滤波器的输入端与天线端相连接；低噪声放大电路，所述低噪声放大电路的一端与所述前置滤波器的输出端相连接，用于进行信号放大及带外抑制；后置滤波器，所述后置滤波器的输入端与所述低噪声放大电路的输出端相连接，所述后置滤波器的输出端与后续信号处理设备相连接。本实用新型在低噪声放大器后增加了带通滤波电路，能够增加接收链路的带外抑制，提高塔放整机的互调抑制指标。
滤波电路噪声放大塔顶放大器接收装置

[发明专利]集成增强型和耗尽型的HEMT器件及其制备方法-CN202110299608.9在审
发明人： 王哲力;蔡仙清;张辉;谷鹏;王晶晶;孙帆;刘胜厚;卢益锋;侯艺伟 -专利权人：厦门市三安集成电路有限公司
申请日： 2021-03-19 - 公布日： 2021-06-29 - 主分类号： H01L21/8252 文献下载
摘要：一种集成增强型和耗尽型的HEMT器件及其制备方法，涉及半导体器件技术领域。该制备方法包括：在厚度在3nm至5nm之间的势垒层上形成包括第一区域和第二区域的氮化硅钝化层；在第一区域形成增强型器件的源极金属和漏极金属、在第二区域形成耗尽型器件的源极金属和漏极金属，并通过高温退火形成欧姆接触；在氮化硅钝化层上沉积第二光刻胶层；定义出增强型器件的栅极区域；在增强型器件的栅极区域蒸镀栅极金属以形成增强型器件的栅极；去除第二光刻胶层；在第二区域形成耗尽型器件的栅极。该集成增强型和耗尽型的HEMT器件的制备方法对栅槽损伤小、栅控能力强、饱和电流大、结构可靠性高。
集成增强耗尽 hemt 器件及其制备方法

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