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- [发明专利]倒装LED芯片测试设备及其测试方法-CN201510527369.2在审
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王丹宇
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佛山市国星半导体技术有限公司
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2015-08-24
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2015-11-25
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B07C5/342
- 本发明提供了一种倒装LED芯片测试设备及其测试方法,包括芯片转移装置、测试工作台、芯片测试装置和芯片固定装置,测试工作台为透明材质;芯片转移装置用于将薄膜上粘附的倒装LED芯片依次转移到测试工作台上;芯片测试装置用于对测试工作台上的倒装LED芯片进行测试,并根据测试结果对倒装LED芯片进行分类;芯片固定装置用于根据分类结果将倒装LED芯片进行分类固定。本发明通过芯片转移装置将薄膜上粘附的倒装LED芯片转移到测试工作台上进行测试,由于测试工作台为透明材质,因此,能够减小倒装LED芯片光学测试结果的误差,得到相对准确的测试结果,还能够减少倒装LED芯片后续处理的工作量,节省制作成本和时间。
- 倒装led芯片测试设备及其方法
- [发明专利]一种球状CdSe/Cu2O异质结材料制备方法-CN201410163723.3在审
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钟福新;王丹宇;莫德清;王伟;黎燕;王苏宁;朱义年
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桂林理工大学
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2014-04-23
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2014-07-16
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C25D9/08
- 本发明公开了一种球状CdSe/Cu2O异质结材料的制备方法。(1)将1.2800g~1.7067gCdSO4、0.0115g~0.0128gH2SeO3、0.9g~1.9gNa2SO4和100mL水混合,置于30℃~50℃水浴中;(2)以ITO导电玻璃为阴极,高纯铂片为阳极,放入上述溶液中,在1.9V~2.4V直流电压下沉积30~50分钟,制得CdSe薄膜;(3)将20mL3mol/L乳酸溶液和20mL0.4mol/LCuSO4溶液混合,用4mol/L的NaOH调节pH值为9-10,置于40℃~50℃水浴中;(4)以沉积有CdSe薄膜的ITO为阴极,高纯铂片为阳极,放入步骤(3)电解液中,在1.2V~1.5V直流电压下沉积5~10分钟。本发明采用两次电化学沉积法,简单、快速制备出均匀球状的CdSe/Cu2O异质结。
- 一种球状cdsecusub异质结材料制备方法
- [发明专利]一种冷、热交替化学浴法制备CdSe薄膜的方法-CN201410163646.1有效
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钟福新;王丹宇;黎燕;王伟;莫德清;王苏宁;朱义年
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桂林理工大学
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2014-04-23
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2014-07-16
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C03C17/34
- 本发明公开了一种冷、热交替化学浴法制备CdSe薄膜的方法。(1)将20mL浓度为0.03mol/L~0.10mol/L的Cd(NO3)2放入冰水浴中,作为冷溶液A;(2)将10mL浓度为0.42mol/L~0.6mol/L的KBH4与10mL浓度为0.06mol/L的Na2SeO3混合并加热至70℃~80℃,溶液反应至红棕色,并在4-8秒内迅速变成无色,作为热溶液B;(3)将干净的ITO导电玻璃垂直浸入步骤(1)所得冷溶液A中5s~60s后取出,并迅速浸入步骤(2)所得热溶液B中,同样持续5s~60s;(4)重复步骤(3)4~20次,ITO表面出现红棕色CdSe薄膜。本发明制备时间短、通过改变冷、热交替化学浴循环次数控制CdSe薄膜的厚度、无需使用有毒有机溶剂并使CdSe薄膜牢固地吸附在ITO上的特点。
- 一种交替化学法制cdse薄膜方法
- [发明专利]一种CdSxSey光电材料的制备方法-CN201410163697.4有效
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钟福新;王伟;黎燕;莫德清;王丹宇;王苏宁;朱义年
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桂林理工大学
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2014-04-23
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2014-07-02
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H01L31/18
- 本发明公开了一种CdSxSey光电材料的制备方法。(1)向5mL0.04~0.05mol/LNa2SeO3溶液中加入0.1079~0.1349gKBH4,水浴30~40℃下,搅拌得A溶液。(2)向5mL0.04~0.05mol/LCd(NO3)2溶液中加入0.0394~0.0789g柠檬酸配制成B溶液。(3)A溶液与B溶液混合,再加入0.0152~0.0229gCH4N2S溶解,得C溶液。(4)C溶液在120~160℃恒温箱中反应8~10小时,得CdSxSey胶体,其中x=0.43~0.48,y=0.52~0.57;(5)将CdSxSey胶体于0℃冰水浴中作为冷凝胶,导电玻璃ITO在90℃热处理20分钟作为热物质,采用冷、热交替涂抹法将CdSxSey涂抹在ITO导电面,涂沫时间1分钟;重复2~5次。本发明成本低、处理时间短、工艺简便、无污染,所得CdSxSey光电材料有较好的光电性能。
- 一种cdssubse光电材料制备方法
- [发明专利]一种CdSexTey量子点光电薄膜的制备方法-CN201410163618.X有效
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钟福新;王伟;王丹宇;王苏宁;黎燕;莫德清;朱义年
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桂林理工大学
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2014-04-23
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2014-07-02
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H01L31/18
- 本发明公开了一种CdSexTey量子点光电薄膜的制备方法。(1)称取0.4317~1.2953gCd(NO3)2·4H2O于烧杯中,加入0.2689~0.8069g柠檬酸作为络合剂,再加入水,配成10mL络合水溶液A;(2)称取0.0399~0.1197gTeO2于烧杯中,滴加1mol/LNaOH溶液,直至TeO2全部溶解,再加入0.0432~0.1297gNa2SeO3和水,配成10mL溶液B;(3)将络合水溶液A和溶液B混合起来得溶液C;(4)将溶液C放入45~55℃水浴中,以ITO导电玻璃为阴极,铂片为阳极,在2.5~3.5V直流电压及磁力搅拌下电沉积20~40分钟。本发明最显著的特点是电化学共沉积法获得CdSexTey量子点光电薄膜,制备工艺简便高效、无污染、低成本,所得CdSexTey量子点光电薄膜具有较高光电压值。
- 一种cdsesubte量子光电薄膜制备方法
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