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[发明专利]一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置-CN201610873678.X有效
发明人：张方振;孙双;牛菁;彭宽军 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-09-30 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种显示基板及其制备方法、显示面板、显示装置，属于显示技术领域，其可解决现有的显示器件因单独使用低温多晶硅晶体管或氧化物晶体管而在实际应用中存在限制的问题。本发明的显示基板，所述显示基板包括衬底和位于衬底上方的低温多晶硅晶体管和氧化物晶体管，所述衬底上设置有显示区域和位于所述显示区域周围的周边区域，所述低温多晶硅晶体管位于所述周边区域内，所述氧化物晶体管位于所述显示区域内。
一种显示及其制备方法面板显示装置

[实用新型]一种文化艺术品保护装置-CN201820119132.X有效
发明人：魏妍妍;黄熙龙;张辉;康佩棋;姚邴新;牛菁;韩鹏;张杰 -专利权人：长春工业大学
申请日： 2018-01-24 - 公布日： 2018-09-18 - 主分类号： B65D81/07 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种文化艺术品保护装置，包括箱体、箱盖、气体注入口、显示屏，所述箱体前端设置有所述显示屏，所述箱体上侧设置有所述箱盖，所述箱盖中部设置有所述气体注入口，所述箱体包括钢架，所述钢架内侧设置有防潮层，所述防潮层内侧设置有隔温层，所述隔温层内侧设置有防火层，所述箱体内侧设置有减震弹簧，所述减震弹簧外侧设置有保护垫，所述减震弹簧内侧设置有减震板，所述减震板内侧设置有存放间，所述存放间内侧设置有软垫，所述存放间内侧设置有温度传感器，所述温度传感器右侧设置有湿度传感器。本实用新型的有益效果在于：保护效果更好，一次装载的艺术品或文物更多。
减震弹簧保护装置本实用新型气体注入口温度传感器文化艺术品防潮层隔温层减震板钢架箱盖显示屏湿度传感器前端设置外侧设置箱盖中部保护垫防火层软垫艺术品装载文物

[发明专利]一种阵列基板及其制造方法、显示装置-CN201510524402.6有效
发明人：牛菁;崔承镇;孙双 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-08-24 - 公布日： 2018-09-11 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，主要内容包括：由于作为栅线和公共电极线的信号线在制作过程中极易被腐蚀氧化，本发明在信号线之上设置一第三图案化的防氧化层，以防止信号线被腐蚀氧化，从而保证了信号线的低电阻特性，减小了信号延迟，提升了显示效果。
一种阵列及其制造方法显示装置

[发明专利]显示基板-CN201510527566.4有效
发明人：牛菁;齐永莲;孙双;张方振 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-08-25 - 公布日： 2018-07-31 - 主分类号： G02F1/1335 文献下载
摘要：一种显示基板，包括衬底基板和偏振层，其中偏振层包括同层设置且材料相同的线栅偏振器和遮光矩阵。该显示基板简化了生产环节，从而降低了成本，并减小了液晶显示装置的厚度。
显示

[发明专利]一种双栅TFT阵列基板及其制造方法和显示装置-CN201610040520.4有效
发明人：牛菁;春晓改 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-01-21 - 公布日： 2018-07-20 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种双栅TFT阵列基板及其制造方法和显示装置，其中，制造方法包括：通过一次构图工艺形成公共电极和顶栅。本发明提供的双栅TFT阵列基板及其制造方法，通过一次构图工艺形成公共电极和顶栅，与传统的先制作公共电极，再制作顶栅的工艺过程相比，减少了构图工艺的次数，简化了工艺流程。同时，本发明中通过还原方法得到的双栅TFT阵列基板中的顶栅与底栅具有相近的电阻，保证了整个阵列基板的稳定性。
一种 tft 阵列及其制造方法显示装置

[发明专利]一种低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法及其阵列基板-CN201510673823.5有效
发明人：孙双;牛菁;张方振;吕志军 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-10-16 - 公布日： 2018-06-05 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明涉及显示技术领域，公开一种低温多晶硅TFT阵列基板的制备方法及其阵列基板，制备方法包括在多晶硅层上形成光刻胶层，并采用灰度掩膜板进行曝光并显影，形成光刻胶完全保留区域、光刻胶半保留区域和光刻胶完全去除区域的图形；采用刻蚀工艺去除多晶硅层位于光刻胶完全去除区域的部分，形成有源层的图形；对光刻胶进行灰化处理，使位于光刻胶半保留区域的部分有源层露出并对部分有源层进行高浓度P⁺离子注入，形成P型TFT的源漏极图形的掺杂区；在形成公共电极的图形时形成源漏极和有源层的连接电极，该制备方法可减少低温多晶硅阵列基板制备过程中的光刻工艺数量，进而降低低温多晶硅显示设备的生产成本。
光刻胶阵列基板源层制备保留区域去除低温多晶硅TFT 低温多晶硅多晶硅层源漏极公共电极光刻工艺光刻胶层灰度掩膜灰化处理刻蚀工艺连接电极显示设备制备过程掺杂区显影生产成本离子曝光

[发明专利]一种阵列基板及其制备方法和显示装置-CN201510018641.4有效
发明人：孙双;崔承镇;张方振;牛菁 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-01-14 - 公布日： 2018-05-18 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制备方法和显示装置，所述阵列基板包括显示区域和非显示区域，该制备方法包括：在衬底基板上形成栅金属层的图形，所述栅金属层包括位于所述显示区域的栅极和位于所述非显示区域的栅金属走线；形成栅极绝缘层的图形，所述栅金属走线对应区域的栅极绝缘层的厚度小于所述栅极对应区域的栅极绝缘层的厚度；形成钝化层，并在所述栅金属走线对应位置形成贯穿所述钝化层和所述栅极绝缘层的过孔；形成位于所述非显示区域的连接线的图形，所述连接线通过所述过孔与所述栅金属走线连接。本发明可以解决现有的阵列基板的栅外接电路区域的过孔容易产生刻蚀不良的问题。
一种阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201510531940.8有效
发明人：牛菁;崔承镇;张方振;孙双 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-08-26 - 公布日： 2018-04-03 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明提供一种阵列基板及其制作方法、一种显示装置。所述阵列基板的制作方法包括S1、形成包括栅极的图形；S2、形成包括源极和漏极中的一者的图形；S3、形成包括有源层的图形，所述有源层位于所述源极和漏极中的一者的背离衬底的一侧，且所述有源层与所述栅极绝缘间隔，所述有源层为金属氧化物半导体；S4、形成包括源极和漏极中的另一者的图形，并使得该源极和漏极中的另一者覆盖所述有源层；其中，包括源极的图形与包括漏极的图形均与包括栅极的图形绝缘间隔。本发明无需制作刻蚀阻挡层，从而简化了阵列基板的制作工艺，并简化了阵列基板的结构。
阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]阵列基板及其制造方法、显示装置-CN201510451468.7有效
发明人：张方振;崔承镇;牛菁;孙双;吕志军 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-07-28 - 公布日： 2018-03-27 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制造方法、显示装置，属于半导体技术领域。所述方法包括在衬底基板上形成钝化层；在形成有所述钝化层的衬底基板上通过一次构图工艺形成接触层和像素电极，所述接触层与所述像素电极为同一透明导电材质。本发明解决了制造阵列基板的步骤较繁琐的问题，实现了简化制造阵列基板的步骤的效果，本发明用于阵列基板的制造。
阵列及其制造方法显示装置

[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置-CN201610968576.6有效
发明人：牛菁;孙双;张方振;米东灿 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2017-12-22 - 主分类号： H01L27/12 文献下载
摘要：本发明属于显示技术领域，具体涉及一种阵列基板的制备方法、阵列基板和显示装置。该阵列基板的制备方法包括在衬底上依次形成有源膜层、第一绝缘膜层、栅极膜层，通过一次构图工艺形成包括有源层、第一绝缘层和栅极的图形；形成栅绝缘层，通过一次构图工艺在所述第一绝缘层和所述栅绝缘层中分别形成第一接触孔和第二接触孔；形成像素电极膜层，在所述像素电极膜层中形成第一接触结构和第二接触结构；形成源漏膜层，通过一次构图工艺，形成包括像素电极、源极和漏极的图形，所述源极和所述漏极分别位于所述第一接触结构和所述第二接触结构的上方。该阵列基板的制备方法简化了生产过程，减少了由于对位不准引起的产品不良。
阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]一种曲面显示装置及其制作方法-CN201410183094.0有效
发明人：张方振;崔承镇;惠官宝;孙双;牛菁 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-04-30 - 公布日： 2017-09-26 - 主分类号： G02F1/1339 文献下载
摘要：本发明公开了一种曲面显示装置及其制作方法，用以提供一种结构简单且制作工艺简单的曲面显示装置。所述曲面显示装置的制作方法包括利用封框胶粘合热膨胀系数不相等的第一基板和第二基板的边框区域，得到对盒后的第一基板和第二基板；将对盒后的所述第一基板和所述第二基板从封框胶固化前的第一预设温度值加热到封框胶固化后的第二预设温度值；对加热后的所述第一基板和所述第二基板进行冷却处理。
一种曲面显示装置及其制作方法

[发明专利]阵列基板及其制作方法、显示装置-CN201510053343.9有效
发明人：舒适;孙双;徐传祥;齐永莲;牛菁 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-02-02 - 公布日： 2017-08-29 - 主分类号： H01L21/77 文献下载
摘要：本发明公开了一种阵列基板及其制作方法、显示装置，所述阵列基板包括依次设置在衬底基板上方的第一图案层和第二图案层，所述第一图案层和所述第二图案层之间设置有有机绝缘层；所述第一图案层包括薄膜晶体管的栅极、栅线、以及数据线，所述栅极与所述栅线相连，所述数据线被所述栅线断开，且所述数据线与所述栅线绝缘间隔；所述第二图案层包括所述薄膜晶体管的源极和漏极、以及连接部，所述源极与所述数据线相连，每条所述数据线均对应有所述连接部，每个所述连接部均用于连接所述数据线位于所述栅线两侧的部分。本发明能够减小源漏极与栅极的寄生电容、减小栅线和数据线的交叠电容，从而减小信号延迟，降低功耗，改善残像现象。
阵列及其制作方法显示装置

[发明专利]薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法和显示装置-CN201710221676.7在审
发明人：张方振;宁策;牛菁;孙双 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2017-04-06 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：本发明公开了薄膜晶体管、阵列基板及其制备方法和显示装置。该薄膜晶体管包括衬底；栅极，所述栅极设置在所述衬底上；第一绝缘层，所述第一绝缘层覆盖所述栅极；半导体层，所述半导体层设置在所述第一绝缘层远离所述栅极的一侧；源极和漏极，所述源极和漏极分别设置在所述半导体层远离所述第一绝缘层的一侧；第二绝缘层，所述第二绝缘层覆盖所述源极以及所述漏极；以及沟道区保护层，所述沟道区保护层设置在所述第二绝缘层远离所述源极以及所述漏极的一侧且与沟道区对应的区域，所述沟道区保护层在所述沟道区上的投影与所述沟道区重合。由此，沟道区保护层可以保护器件不受外部环境影响，同时不影响器件的性能。
薄膜晶体管阵列及其制备方法显示装置

[发明专利]触控面板及其制造方法和显示装置-CN201410419265.5有效
发明人：崔承镇;牛菁;孙双;张方振 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2014-08-22 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明提供一种触控面板，包括多条第一触控电极和多条第二触控电极，第二触控电极包括与第一触控电极同层设置的电极部和位于电极部下方的连接部，电极部包括位于第一触控电极左侧的第一电极部和位于第一触控电极右侧的第二电极部，连接部将第一电极部和第二电极部电连接，且连接部与第一触控电极间隔设置，触控面板还包括一体形成的绝缘件，绝缘件包括位于连接部和第一触控电极之间的第一绝缘部和位于第一电极部与第一触控电极之间以及第二电极部与第一触控电极之间的第二绝缘部。本发明还提供触控面板的制造方法和显示装置。在所述触控面板中，可以通过一次构图工艺获得绝缘部，从而可以简化制造触控面板的制造方法。
面板及其制造方法显示装置

[发明专利]显示面板、触控显示面板及其制作方法、显示装置-CN201510580395.1有效
发明人：张方振;宁策;崔承镇;牛菁;孙双 -专利权人：京东方科技集团股份有限公司
申请日： 2015-09-11 - 公布日： 2017-06-09 - 主分类号： G06F3/041 文献下载
摘要：本发明公开了一种显示面板、触控显示面板及其制作方法、显示装置，用以充分发挥量子点材料的光学性能，进一步提升显示器件的色域。触控显示面板，包括阵列基板、第一偏光片、第二偏光片和封框胶，还包括与阵列基板相对设置的第一基板，以及与第一基板相对设置的第二基板；封框胶用于密封阵列基板和第一基板；第一偏光片位于阵列基板背向第一基板的一侧，第二偏光片位于第一基板背向阵列基板的一侧；第二基板与第二偏光片贴合设置，第二基板包括若干阵列排列的黑矩阵、位于黑矩阵上的相互绝缘交叉的第一触控电极和第二触控电极、以及位于黑矩阵之间的若干阵列排列的量子点，每一量子点的区域对应触控显示面板的一个亚像素区域。
显示面板及其制作方法显示装置