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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]原料进料斗-CN202110507666.6在审
发明人：李相宪;李昌润;金喆焕 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2021-05-10 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： B65D88/26 文献下载
摘要：本发明涉及原料进料斗，该原料进料斗可以包括空心管，空心管具有在其中形成的原料容纳空间；支撑装置，支撑装置支撑空心管；锥形件，锥形件被容纳在原料容纳空间中以便能够升降；杆，杆连接到锥形件；连接件，连接件连接到杆的上部；升降杆，升降杆连接到连接件；以及升降装置，升降装置安装在支撑装置上，用于升降升降杆。
原料进料

[发明专利]评估晶圆或单晶锭的质量的方法和装置-CN202210066477.4在审
发明人：朴玹雨 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2022-01-20 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G06Q10/06 文献下载
摘要：评估晶圆的质量的方法或评估晶圆的质量的装置可以包括：对晶圆片或单晶锭进行铜雾度评估；基于铜雾度评估的结果采集铜雾度图数据以及铜雾度评估分数；基于铜雾度图数据和铜雾度评估分数训练人工智能模型；使用经学习的人工智能模型对晶圆或单晶锭进行晶体缺陷评估，该经学习的人工智能模型在输入铜雾度图数据时输出铜雾度评估分数。
评估单晶锭质量方法装置

[发明专利]氧化燃烧铸锭生长机的装置及其方法-CN202110457385.4在审
发明人：金正烈 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2021-04-27 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： C30B15/00 文献下载
摘要：一种氧化燃烧铸锭生长机的装置及其方法。该方法包括：a)在过滤器和排气管之间进行阻塞，b)使过滤器形成为真空状态，和c)通过连接到过滤器的第一侧的喷射管将空气喷射到过滤器中以燃烧过滤器。
氧化燃烧铸锭生长装置及其方法

[发明专利]空气循环系统和包括空气循环系统的精抛光设备-CN202111150639.4在审
发明人：崔镕 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2021-09-29 - 公布日： 2022-07-19 - 主分类号： B24B29/02 文献下载
摘要：公开了一种空气循环系统和包括该空气循环系统的精抛光设备。该空气循环系统改善了精抛光设备的污染程度，该设备包括壳体，该壳体形成为容纳加载单元、卸载单元和多个抛光单元。空气循环系统包括安装在与加载单元、卸载单元和多个抛光单元的位置相对应的位置处的空气净化单元。空气净化单元将壳体内被污染的空气排放到壳体外部，对排出的空气进行净化，并将净化后的空气再次供应到壳体中。
空气循环系统包括抛光设备

[发明专利]晶片抛光头、晶片抛光头的制造方法以及包括该抛光头的晶片抛光设备-CN201980102330.2在审
发明人：成在哲 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2019-10-23 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B24B37/14 文献下载
摘要：本发明提供一种晶片抛光头的制造方法，该方法包括以下步骤：将由多个层构成的导向环联结到基底基板的边缘；将导向环的边缘倒圆；通过涂覆在导向环的已倒圆表面上形成第一涂层；将橡胶卡盘固定在基底基板上；以及在粘合剂和粘合剂材料的外周表面上通过从橡胶卡盘到第一涂层涂覆而形成第二涂层。
晶片抛光制造方法以及包括设备

[发明专利]修整装置和包括该装置的晶片抛光设备-CN201680062929.4有效
发明人：李承源 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2016-01-28 - 公布日： 2022-06-14 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：根据本发明的实施例涉及用于清洁附连到下表面板的抛光垫的修整装置，该修整装置包括：刷扫部分，其包括刷子；清洁溶液喷射单元，其包括喷射喷嘴，用于对抛光垫喷射清洁溶液；和抽吸单元，其包括抽吸入口，用于抽吸在清洁溶液喷射单元喷射清洁溶液时所产生的颗粒，其中，刷扫单元、清洁溶液喷射单元和抽吸单元彼此附连并且一致地在抛光垫上方摆动。
修整装置包括晶片抛光设备

[发明专利]原材料供给单元、包含其的单晶硅锭料生长设备以及原材料供给方法-CN202080074412.3在审
发明人：申伦光;李荣中 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2020-02-13 - 公布日： 2022-06-07 - 主分类号： C30B15/02 文献下载
摘要：提供了一种原材料供给单元，其包括：具有填充原材料的空间的主体；在纵向方向上将主体分成至少两个区域的分隔物；分别设置在被分隔物分开的主体相应区域中的至少两个阀，从而打开/闭合主体的靠下部分；以及用于使各阀独立于彼此在纵向方向上提升的驱动单元。
原材料供给单元包含单晶硅生长设备以及方法

[发明专利]清洁抛光垫的设备和抛光装置-CN202110277797.X在审
发明人：曹志焕 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2021-03-15 - 公布日： 2022-05-27 - 主分类号： B24B37/34 文献下载
摘要：本发明涉及清洁抛光垫的设备和抛光装置，一种清洁抛光垫的设备包括：第一气体管嘴，该第一气体管嘴用于将气体喷射到抛光垫的孔；以及第一液体管嘴，该第一液体管嘴用于将液体喷射到抛光垫的孔。
清洁抛光设备装置

[发明专利]晶片抛光腔室和包括晶片抛光腔室的晶片抛光系统-CN201680065483.0有效
发明人：李相昊 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2016-01-06 - 公布日： 2022-03-29 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：实施例的一个方面提供了一种晶片抛光腔室，其包括晶片传输部分；抛光部分，设置有上表面板和下表面板，并且被配置成抛光从晶片传输部分传输的晶片；分隔壁，被配置成将设置有传输部分和抛光部分的位置分隔开；多个风扇单元，被配置为引入空气；以及多个排气单元，被配置成排出空气，其中风扇单元可以被设置在抛光部分的上部中的至少一个中。
晶片抛光包括系统

[发明专利]控制晶片清洁装置中的温度的设备及其方法-CN201810818707.1有效
发明人：河世根 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2018-07-24 - 公布日： 2022-02-22 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明涉及能够快速且准确地确定位于清洁槽内的温度传感器的检测异常的控制晶片清洁装置的温度的设备以及涉及使用该设备控制温度的方法。根据本发明的控制晶片清洁装置的温度的设备以及使用该设备控制温度的方法通过将安装在内槽的内侧的第一温度传感器的测量值与安装在被配置成将晶片传送至内槽的内侧的传送机械手上的第二温度传感器的测量值比较来确定安装在内槽的内侧的第一温度传感器的异常操作。同时，根据本发明的控制晶片清洁装置的温度的方法通过以下方式来确定温度传感器的异常操作：将容置在多个清洁槽的每个内槽中的清洁溶液排出后，在向每个内槽供应设定温度的去离子水的状态下将安装在每个内槽的内侧的温度传感器的测量值比较。
控制晶片清洁装置中的温度设备及其方法

[发明专利]晶片清洗设备和使用该设备的清洗方法-CN201810687730.1有效
发明人：李在桓 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2018-06-28 - 公布日： 2022-02-18 - 主分类号： B08B3/08 文献下载
摘要：本发明提出一种晶片清洗设备，包括：清洗箱和清洗单元，清洗单元安装为能够向上或向下运动到清洗箱中，并且构造为将清洗溶液注射到清洗箱的内壁上。
晶片清洗设备使用方法

[发明专利]晶片和用于分析晶片形状的方法-CN202011157732.3在审
发明人：李忠炫 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2020-10-26 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： H01L21/66 文献下载
摘要：公开了一种分析晶片形状的方法。所述方法包括：测量多个晶片的外部形状，由在测量晶片外部形状中获得的测量值来检测在各晶片边缘区域中具有最大曲率的第一点，检测在向着晶片中对应的一个晶片的顶部方向上与第一点间隔开的第二点，测量在构造为连接第一点和第二点的第一线与所述晶片中对应的一个晶片的正面之间所形成的第一角，在各晶片表面形成薄膜层，测量薄膜层的厚度分布，以及确认晶片中薄膜层厚度分布的最大值为最小的晶片。
晶片用于分析形状方法

[发明专利]晶片抛光设备的抛光垫以及用于其的制造方法-CN201880077085.X有效
发明人：安镇佑 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2018-06-04 - 公布日： 2021-12-21 - 主分类号： B24B37/26 文献下载
摘要：本发明提供一种用于晶片抛光设备的抛光垫，该抛光垫包括：上垫，该上垫具有前表面部分、后表面部分和多个网格凹槽，前表面部分具有切割表面且与晶片接触、后表面部分定位在前表面部分的下部上、多个网格凹槽穿过前表面部分和后表面部分；下垫，该下垫布置在上垫的下部上且可以附连于表面板；以及粘合部，该粘合部定位在上垫与下垫之间以将上垫和下垫进行联接。
晶片抛光设备以及用于制造方法

[发明专利]浆料冷却设备和具有该浆料冷却设备的浆料供给系统-CN201810679036.5有效
发明人：李相昊 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2018-06-27 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： B24B57/02 文献下载
摘要：根据本发明，提供了一种浆料供给系统，包括：浆料混合单元，该浆料混合单元构造成对浆料进行混合；浆料供给单元，在浆料混合单元中混合好的浆料被储存在所述浆料供给单元中，并且浆料供给单元构造成将浆料供给至抛光装置；管道，该管道构造成连接浆料混合单元与浆料供给单元；以及浆料冷却单元，该浆料冷却单元安装在被构造成连接浆料供给单元与抛光装置的管道中的至少一个管道之中，以冷却混合浆料。
浆料冷却设备具有供给系统

[发明专利]用于制造半导体的基座和设备-CN201980094355.2在审
发明人：白承喆;金在宣 -专利权人： 爱思开矽得荣株式会社
申请日： 2019-03-18 - 公布日： 2021-11-02 - 主分类号： H01L21/683 文献下载
摘要：基座包括：主体，主体包括具有边缘形状的上表面；凹部，凹部包括底表面，底表面低于顶表面并且被顶表面包围；以及壁架，壁架在顶表面和底表面之间延伸以支撑晶片。壁架具有朝向底表面的中心倾斜的形状，并且壁架的表面的平坦度可以具有介于10μm到50μm之间的偏差。
用于制造半导体基座设备

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