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[实用新型]一种双铰链超塑成形真空炉炉门装置-CN202221804330.2有效
发明人：袁傲明;周英丽;李运硕;刘晨枫;周雨威;熊成悦;张景泉;孙燕 -专利权人：北京机科国创轻量化科学研究院有限公司
申请日： 2022-07-13 - 公布日： 2023-06-09 - 主分类号： F27D1/18 文献下载
摘要：一种双铰链超塑成形真空炉炉门装置，包括炉门本体，连接炉门与炉体的双铰链，炉门锁紧装置和位于炉门周圈的O型密封圈。炉门铰链包括调整板、炉体铰座、铰链、炉门轴、铰链连接块、连接销、炉门铰座。炉体铰座与铰链之间有调整板，调节调整板厚度改变炉门平面及倾斜角度。炉门可绕炉门轴转动，便于开合。连接销连接炉门铰座和铰链连接块，调节连接销保证炉门与炉体之间平面度，改善密封性。炉门内置循环水冷层，有效避免炉门表面温度过高。炉门锁紧为手板式锁扣和锁钩连接装置，简化了炉门开合操作，炉门周圈具有O型密封圈，炉门锁紧时可保证其具有良好密封性。
一种铰链塑成真空炉炉门装置

[发明专利]一种可实现二位数据存储及逻辑运算的磁存算一体化器件-CN202110483219.1有效
发明人：章晓中;卢子尧;熊成悦;牟鸿铭;蒲宇辰 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-04-30 - 公布日： 2023-05-02 - 主分类号： G11C11/15 文献下载
摘要：本发明公开了一种可实现二位数据存储及逻辑运算的磁存算一体化器件。该磁存算一体化器件包括磁性单元和微分负电阻元件；磁性单元由垂直各向异性磁性多层膜和4个电极组成，其中磁性多层膜的磁性层被分割为两个磁性比特，且在两个磁性比特所在的位置，非磁层的宽度并不相同；微分负电阻元件一端与磁性单元的左侧或右侧电极相连，另一端直接接地。由于该器件特殊的几何结构，该器件不仅将两个存储比特集成在同一个器件单元上，而且能够实现对两个磁性比特中存储的两位磁化信息的写入与编辑，有助于提高信息存储的密度。同时，该器件能够将存储的信息作为“与”和“与非”两种逻辑门的输入执行布尔逻辑运算。
一种实现数据存储逻辑运算磁存算一体化器件

[实用新型]一种半球零件超塑气胀成形模具-CN202122887349.X有效
发明人：刘晨枫;周英丽;齐飞;周雨威;张景泉;袁傲明;熊成悦;李东垚 -专利权人：北京机科国创轻量化科学研究院有限公司;莱州市融媒体中心
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-09-13 - 主分类号： B21D26/031 文献下载
摘要：为减小半球零件超塑气胀成形的零件厚度差异，本实用新型提供一种半球零件超塑气胀成形模具，应用于热成形超塑成形设备中，模具分为动模(1)和静模(2)，结构简单实用，充分考虑超塑气胀成形造成半球零件顶部减薄严重的问题，在超塑气胀成形模具结构中设计合理的反向预成形环形型面(4)，使板料先反向预成形再正向成形，能够有效提高半球零件壁厚均匀度，使成形后的零件获得满足加工尺寸要求厚度差异的半球零件。
一种半球零件超塑气胀成形模具

[发明专利]一种可实现半加器运算功能的磁算术逻辑器件-CN202110410517.8有效
发明人：章晓中;卢子尧;牟鸿铭;蒲宇辰;熊成悦 -专利权人：清华大学
申请日： 2021-04-13 - 公布日： 2022-08-09 - 主分类号： G06F7/38 文献下载
摘要：本发明公开了一种可实现半加器运算功能的磁算术逻辑器件，所述磁算术逻辑器件包括磁性单元、电阻网络和微分负电阻元件；其中两个磁性单元并联，两对微分负电阻元件分别与并联后的磁性单元的左右两组电极和电阻网络的左右两端相连，电流自所述并联后的磁性单元和所述电阻网络的顶端电极流入，从所述并联后的磁性单元的左右两组电极和所述电阻网络的左右两端经过所述微分负电阻元件流出，以磁化方向作为逻辑输入，所述流出的电流数值根据所述磁性单元磁化方向的变化而改变，实现半加器运算的“与”和“异或”逻辑功能。
一种实现半加器运算功能算术逻辑器件

[实用新型]一种热态快速换模装置-CN202122887721.7有效
发明人：刘晨枫;袁傲明;周雨威;周英丽;齐飞;熊成悦;张景泉;李东垚 -专利权人：北京机科国创轻量化科学研究院有限公司;莱州市融媒体中心
申请日： 2021-11-24 - 公布日： 2022-08-02 - 主分类号： B21D37/14 文献下载
摘要：结合超塑成形设备加热平台技术特征，本实用新型提供一种热态快速换模装置，由上工艺垫板、下工艺垫板、上连接板、下连接板、压板等部分组成，上连接板和下连接板通过斜面定位板和凸面凹槽结构固定于上工艺垫板和下工艺垫板上，通过燕尾槽实现快速换模功能，用于超塑成形零件中不同尺寸规格模具的热态快速更换，可有效降低电能损耗、节约生产成本和提高生产效率。
一种快速装置

[发明专利]一种电导连续可变的忆阻器及其制备方法和应用-CN201811346835.7有效
发明人：章晓中;尹思琪;熊成悦 -专利权人：清华大学
申请日： 2018-11-13 - 公布日： 2020-10-30 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了属于微电子技术领域的一种电导连续可变的忆阻器及其制备方法和应用。本发明忆阻器具体为在二维原子晶体材料表面上间隔设有活性电极和惰性电极，其中二维原子晶体材料为具有半导体特性的单晶二维原子晶体材料，通过为电场下活性电极金属阳离子的迁移提供半绝缘的原子级光滑表面，使金属阳离子迁移形成导电细丝，以实现忆阻器的电导连续可变；制备方法简单、经济易行；本发明忆阻器能应用于模拟果蝇的学习记忆行为。
一种电导连续可变忆阻器及其制备方法应用

[发明专利]一种可重构的磁逻辑器件及其制备方法-CN201610804501.4有效
发明人：罗昭初;章晓中;卢子尧;熊成悦;孙雯 -专利权人：清华大学
申请日： 2016-09-05 - 公布日： 2019-01-18 - 主分类号： H01L43/00 文献下载
摘要：本发明属于自旋电子学以及器件的技术领域，尤其涉及一种可重构的磁逻辑器件及其制备方法。该磁逻辑器件包括：磁性单元和微分负电导器件；磁性单元包括3个电极，电极按一定的几何形状制作在磁性薄膜的表面；电极分为输入电极和输出电极；微分负电导器件的一端与磁性单元的输出电极连接，微分负电导器件的另一端接地。该磁逻辑器件可以在室温和低磁场下实现四种基本逻辑运算，且具有很高的输出比和低工作磁场的性能特点。该磁逻辑器件与硅基半导体工业兼容，性能突出，结构简单，原材料价格适中，且环境友好。
一种可重构逻辑器件及其制备方法

[发明专利]一种非线性增强磁阻的磁传感器件及其制备方法-CN201510284569.X有效
发明人：章晓中;罗昭初;熊成悦;郭振刚;陈娇娇 -专利权人：清华大学
申请日： 2015-05-28 - 公布日： 2017-11-14 - 主分类号： H01L43/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种非线性增强磁阻的磁传感器件及其制备方法。该器件由半导体非线性单元和磁性单元复合制得。半导体的非线性形成一个快速的高低阻态转变的电阻变化，磁性单元中的反常霍尔效应使得这个高低阻态变化偏移，因此在特定的电流区间内，可以得到异常巨大的磁阻(>104％)。另一方面，磁性薄膜材料的反常霍尔效应对小磁场(～mT)很敏感，所以该器件可以在很小的磁场下产生巨大的磁阻，磁灵敏度超过105％/mT。该器件还具有特殊的磁电对称性，可以用来实现可编程的磁电逻辑运算。该器件价格低廉，制备工艺简单，是一种优异的磁传感器件，在未来的磁电子工业技术领域具有重大的潜在应用。
一种非线性增强磁阻传感器件及其制备方法

[发明专利]一种室温可编程磁逻辑器件-CN201510507332.3有效
发明人：章晓中;陈娇娇;罗昭初;熊成悦;郭振刚 -专利权人：清华大学
申请日： 2015-08-18 - 公布日： 2017-08-11 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明属于磁电子器件技术领域，尤其涉及一种室温可编程磁逻辑器件，由上下表面粗糙度不同的半导体材料和两个金属电级组成，将两个金属电级压制在半导体材料的上表面或下表面,得到两种半导体单元；两个或多个半导体单元通过并联或串并联组合的方式连接；所述半导体单元在正负磁场下得到的伏安特性曲线是非对称的，其半导体材料为产生可逆的电学击穿行为的半导体材料，包括硅、锗、砷化镓，其结构是多层薄膜结构或是块体结构；该逻辑器件价格低廉、制备工艺简单，具有电压控制的可重构性质、瞬时启动、低成本、低能耗等优点。
一种室温可编程逻辑器件

[发明专利]一种硅基低磁场巨磁阻磁传感器件及制备与性能测试方法-CN201510289849.X有效
发明人：章晓中;罗昭初;朴红光;陈娇娇;熊成悦 -专利权人：清华大学
申请日： 2015-05-29 - 公布日： 2017-06-30 - 主分类号： H01L43/08 文献下载
摘要：本发明属于磁场检测和磁场传感器材料以及器件技术领域，特别涉及一种基于微分负电导现象的硅基低磁场巨磁阻磁传感器件及其制备与性能测试方法。该器件用离子注入的方法，在Si单晶基片上形成一定浓度的重掺杂区域，再用沉积金属薄膜的方法引出两个电极而制成。所得到的器件可以产生巨大磁阻，该磁阻源于电流控制的微分负电导导致的电阻变化。这种器件在低磁场能呈现显著的磁电阻效应，具有很高的低磁场灵敏度。该器件还具有价格低廉，制备工艺简单等优点，是一种优异的磁场传感器，在磁盘读出磁头、电子指南针、运动装置监测等领域有潜在应用。
一种硅基低磁场磁阻传感器件制备性能测试方法

[发明专利]一种可重构的硅基磁逻辑单元-CN201410289592.3有效
发明人：章晓中;罗昭初;熊成悦 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-06-24 - 公布日： 2017-04-05 - 主分类号： H03K19/20 文献下载
摘要：本发明涉及半导体材料，特别是一种可重构的硅基磁逻辑单元。硅基磁逻辑单元包含一个或两个可重构的硅基磁逻辑器件、一个或两个磁场发生器以及一个或两个控制监测电路。磁逻辑器件包含四个一定几何形状的电极，分别位于长条型硅单晶基片的四角，在基片长边两个电极间并联二极管；磁场发生器为磁性材料或线圈；控制监测电路包含分别并联于基片两条短边上两个电极间的电流源和电压表。对磁逻辑单元或由之组合形成的磁逻辑阵列，视磁场发生器的磁场方向为逻辑输入，视电压表所并联的短边两电极的极间电压或多个此极间电压的和为逻辑输出，只需配置控制监测电路的连接方式和调节电流源的工作电流大小，而无需改变电路硬件结构，就可实现多种逻辑运算。
一种可重构硅基磁逻辑单元

[发明专利]一种磁场可控的硅基非易失性阻变器件及制备方法-CN201410042167.4有效
发明人：章晓中;王集敏;朴红光;罗昭初;熊成悦 -专利权人：清华大学
申请日： 2014-01-28 - 公布日： 2014-06-25 - 主分类号： H01L45/00 文献下载
摘要：本发明公开了属于磁场控制和存储器制作技术领域的一种磁场可控的硅基非易失性阻变器件的结构及制备方法。该磁场可控的硅基非易失性阻变器件在矩形单晶硅基片表面上设置2块MgO区域，并于MgO上依次沉积相同面积大小的金属电极。其制备方法为：将矩形单晶硅基片裁剪成矩形，并依次用丙酮、酒精和去离子水漂洗干净，然后在矩形单晶硅基片的表面沉积2个区域的MgO，并于MgO上沉积金属电极，即可得到磁场可控的硅基非易失性阻变器件。所得到的硅基器件具有显著的非易失性阻变特性，且可受磁场调控而表现或不表现出阻变特性，并同时具有磁阻特性。本发明的硅基非易失性阻变器件的结构简单，原材料价格适中，制备工艺简单，且环境友好。
一种磁场可控硅基非易失性阻变器件制备方法

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