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[发明专利]一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法-CN202010283097.7有效
发明人：吕滨;王鑫源;潘尚可;孙志刚 -专利权人：宁波大学
申请日： 2020-04-01 - 公布日： 2021-11-30 - 主分类号： H01L31/0264 文献下载
摘要：本发明涉及一种氧化铟透明半导体陶瓷的制备方法。将含有阳离子型丁二炔表面活性剂PCDA‑C6‑NH3+的硫酸铟溶液置于恒温水浴锅中加热，逐滴加入六亚甲基四胺溶液，滴定结束后陈化得到白色沉淀，沉淀依次进行洗涤、烘干、煅烧，得到氧化铟超细粉末；随后对其预压、冷等静压成型、氧气气氛烧结以及机械加工，得到氧化铟透明半导体陶瓷。优点是：工艺简单，成本较低；以六亚甲基四胺溶液为沉淀剂，并加入阳离子型丁二炔表面活性剂PCDA‑C6‑NH3+，经煅烧获得的氧化铟粉体的烧结活性高，利用该粉体获得的透明陶瓷致密度高，具有较高的应用价值。
一种氧化透明半导体陶瓷制备方法

[发明专利]一种卤化亚铜晶体的制备方法-CN202011265567.3在审
发明人：潘建国;耿巨峰;潘尚可;李嫚;王昊宇;杨晨乐 -专利权人：宁波大学
申请日： 2020-11-13 - 公布日： 2021-04-16 - 主分类号： C30B11/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种卤化亚铜晶体的制备方法，特点是采用坩埚下降法生长，具体步骤如下：1）将卤化亚铜原料进行纯化预处理；2）将装有研磨均匀的卤化亚铜原料的石英坩埚进行抽真空操作转移至管式炉中后，将石英坩埚加热到150℃，保温50min后得到无水卤化亚铜，再加热到高于石英坩埚内物料熔点50℃‑100℃后，保温24h后完成预烧结；3）将密封的石英坩埚装入引下管，将引下管放入坩埚下降炉中，加热使石英坩埚内物料熔融，以均匀速度使引下管在坩埚下降炉中下降直至石英坩埚内物料完全凝固成固体，停止下降得到卤化亚铜晶体，优点是具有尺寸大、纯度高，质量好，透明度高。
一种卤化晶体制备方法

[发明专利]一种用于X射线探测的Cs2-CN201910693206.X有效
发明人： 潘尚可;张文倩;朱贺炳;李海艳;张建裕;潘建国 -专利权人：宁波大学
申请日： 2019-07-17 - 公布日： 2020-10-27 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于X射线探测的Cs2AgBiBr6双钙钛矿晶体的制备方法，其包括以下步骤：将溴化铯、乙酸钠、溴化铋、溴化银四种原料按照物质的量之比为(1.8～0.6)∶(0.2～1.4)∶1∶1混合，得到混合物；向混合物中加入氢溴酸溶液得到生长原料；再将生长原料置于一个玻璃瓶中，并进行良好密封；将装有生长原料的玻璃瓶置于可控温容器中，在120℃～130℃温度下对生长原料进行加热，直至生成透明的亮黄色溶液；在生成透明的亮黄色溶液后，经过三次缓慢降温将120℃～130℃降温至常温，得到红色透明的Cs2AgBiBr6单晶；其中，在70℃～85℃温度下开始析晶；优点是解决了多核析晶，晶体尺寸较小的问题，且制备成本低。
一种用于射线探测 cs base sub

[发明专利]一种复式钨酸盐闪烁晶体及其制备方法-CN201711223821.1有效
发明人：杜飞;潘建国;潘尚可;张建裕;章政;栗茹 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-11-29 - 公布日： 2020-06-16 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种复式钨酸盐闪烁晶体及其制备方法，特点是该闪烁晶体化学结构式为CdGdxLa2‑x（WO4）4，其中x=0.2、0.4、0.6、0.8或者1.0，其制备方法具体步骤如下：1）将原料CdO、Gd2O3、La2O3和WO3原料置于马弗炉中去除水分，然后按照其化学式中的摩尔比进行称量，随后将粉末进行充分的研磨和压片，再转移到陶瓷坩埚里，在马弗炉中烧结，将烧结物重新研磨和压片再次烧结得到多晶料锭；2）采用单晶提拉炉，中频感应加热方式加热，N2为保护气氛，采用铂金丝进行自发成核；生长阶段控制拉速和晶体，生长结束后得到复式钨酸盐闪烁晶体，优点是高密度、快衰减的易于生长且具有良好发光性能。
一种复式钨酸盐闪烁晶体及其制备方法

[发明专利]一种锰配合物发光材料及其制备方法和应用-CN201910490378.7在审
发明人：潘建国;李凌燕;潘尚可;李嫚;耿巨峰;王昊宇 -专利权人：宁波大学
申请日： 2019-06-06 - 公布日： 2019-09-20 - 主分类号： C07F13/00 文献下载
摘要：本发明公开了一种锰配合物发光材料及其制备方法和应用，特点是其化学结构式为[(C₇H₁₀N)₂]MnBr₄，制备方法包括将N‑乙基吡啶溴C₇H₁₀NBr和四水合溴化锰合成MnBr₂·4H₂O[(C₇H₁₀N)₂]MnBr₄配合物的步骤；[(C₇H₁₀N)₂]MnBr₄配合物的纯化的步骤；最后[(C₇H₁₀N)₂]MnBr₄配合物经单晶培养，得到透明单晶即为锰配合物发光材料，该锰配合物发光材料具有在X射线扫描成像的闪烁体制备方面的应用，优点是具有超高量子产率。
发光材料锰配合物配合物制备方法和应用化学结构式单晶培养水合溴化透明单晶产率乙基量子制备成像合成闪烁应用

[发明专利]一种稀土元素铈掺杂的闪烁晶体及其制备方法-CN201910343553.X在审
发明人：潘建国;俞云耀;潘尚可;耿巨峰;王昊宇;李嫚 -专利权人：宁波大学
申请日： 2019-04-26 - 公布日： 2019-07-12 - 主分类号： C30B15/08 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土元素铈掺杂的闪烁晶体及其制备方法，特点是其化学结构式为：MY₂X₇：Ce，其中M=K，Cs，Rb；X=Cl，Br，制备方法包括以下步骤：（1）将低纯度原料MX、CeX₃和YX₃原料分别装入大尺寸石英坩埚中，抽真空并加热到250℃保温2小时；密封石英坩埚装入坩埚下降炉中，升温充分熔融下降，得到高纯MX、CeX₃和YX₃原料；再按摩尔比MX：YX₃：CeX₃=1：2：0.001混匀抽真空加热烧结得到无水MY₂X₇：Ce多晶料；（2）将含有无水MY₂X₇：Ce多晶料的石英坩埚放入坩埚下降炉，升温加热再下降直至完全凝固，再降至室温即得到闪烁晶体，优点是颗粒尺寸大且吸水潮解性低。
闪烁晶体制备稀土元素铈坩埚下降炉掺杂的抽真空多晶料无水加热装入大尺寸石英坩埚化学结构式密封石英升温加热石英坩埚烧结潮解性低纯度放入高纯混匀熔融吸水坩埚保温按摩凝固

[发明专利]一种稀土卤化物混合闪烁晶体及其制备方法-CN201710564241.2有效
发明人： 潘尚可;张鹏;潘建国;陈红兵;栗茹;章政 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-07-12 - 公布日： 2019-05-21 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土卤化物混合闪烁晶体及其制备方法，该稀土卤化物混合闪烁晶体的组成化学式为Cs₂Li(Y_1‑xLa_x)_1‑yCe_yCl₆，其中，x的取值范围为03+和Y³⁺离子，使得该混合闪烁晶体既具有CLYC闪烁晶体的易生长性，又具有CLLC闪烁晶体更高的光产额和更佳的能量分辨率。
闪烁晶体稀土卤化物制备能量分辨率生长性离子

[发明专利]一种γ-碘化亚铜的制备方法-CN201710163978.3有效
发明人：孙明娟;潘建国;潘尚可;王景;殷洁 -专利权人：宁波大学
申请日： 2017-03-20 - 公布日： 2019-05-03 - 主分类号： C01G3/04 文献下载
摘要：本发明公开了一种γ‑碘化亚铜的制备方法，特点是制备方法步骤如下：将碘单质溶于四氟硼酸盐和六氟磷酸盐离子液体中，封闭状态下控制加热温度80‑150℃，碘单质完全溶解，得到碘溶液；然后将打磨干净的铜片放入碘离子的溶液中，继续控制一定温度加热直到溶液的颜色近无色为止，冷却至室温，取出溶液底部沉淀，用去离子水、乙醇多次洗涤，真空干燥得到γ‑碘化亚铜，优点是碘的利用高、成本低，操作工艺简单、环保无污染，且产率和纯度高。
一种碘化制备方法

[发明专利]一种氧化镝透明陶瓷的制备方法-CN201610951703.1有效
发明人：吕滨;陈红兵;潘建国;姜林文;潘尚可 -专利权人：宁波大学
申请日： 2016-10-27 - 公布日： 2019-03-26 - 主分类号： C04B35/50 文献下载
摘要：本发明公开了一种氧化镝透明陶瓷的制备方法，其先将氨水逐滴滴加到硝酸镝溶液中，在滴定结束后陈化得到白色沉淀；然后将过滤洗涤后的白色沉淀加入到萘酚黄硫溶液中反应，获得含有萘酚黄硫离子基团的层状稀土化合物前驱体；接着对含有萘酚黄硫离子基团的层状稀土化合物前驱体依次进行洗涤、干燥、研磨及过筛，再煅烧获得氧化镝纳米粉末；最后对氧化镝纳米粉末依次进行预压、冷等静压成型、高温无压烧结及机械加工获得氧化镝透明陶瓷；本发明方法的优点是获得的氧化镝纳米粉末具有较高的烧结活性且未产生严重的团聚现象，不仅可通过无压烧结技术制备出氧化镝透明陶瓷，而且可制备出高透过率的氧化镝透明陶瓷。
一种氧化透明陶瓷制备方法

[发明专利]用于无中微子双贝塔衰变探测的钼酸钇钠晶体的制备方法-CN201811186469.3在审
发明人： 潘尚可;张建裕;潘建国;陈红兵 -专利权人：宁波大学
申请日： 2018-10-12 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明公开了一种用于无中微子双贝塔衰变探测的钼酸钇钠晶体的制备方法，其包括以下步骤：制备晶体生长原料；利用坩埚下降法使晶体生长原料在封闭环境中自发成核或晶种接种进行晶体生长，生长出深蓝色透明的钼酸钇钠单晶；将深蓝色透明的钼酸钇钠单晶在温度为850℃～900℃的氧气气氛下保温24～48小时进行退火处理，退火过程中升温速率与降温速率均为40～60℃/小时，退火后得到无色透明的钼酸钇钠晶体；优点是由于晶体生长原料在封闭环境中自发成核或晶种接种进行晶体生长，因此生长得到的透明的钼酸钇钠单晶呈深蓝色；而后在氧气气氛下退火处理可有效消除透明的钼酸钇钠单晶的着色现象，并提高透明的钼酸钇钠单晶的光输出，可用于探测无中微子双贝塔衰变。
钼酸钇钠透明的单晶衰变晶体生长原料钼酸钇钠晶体深蓝色制备探测封闭环境晶体生长退火处理氧气气氛自发成核晶种接种退火坩埚下降法退火过程着色现象光输出生长可用保温

[发明专利]一种稀土卤化物闪烁晶体的制备方法与应用-CN201810436170.2在审
发明人： 潘尚可;张鹏;潘建国;朱贺炳;张建裕;章政;陈红兵 -专利权人：宁波大学
申请日： 2018-05-09 - 公布日： 2018-09-14 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种稀土卤化物闪烁晶体的制备方法与应用，该制备方法先按照待制备的稀土卤化物闪烁晶体在晶体生长时的组成化学式Cs2Li1+yLa1‑xCexCl6称量各原料；然后在充满惰性气体的环境中，将各原料研磨成粉末，并混合均匀；接着将混合均匀得到的混合粉末原料置入石英坩埚中，抽真空并密封；再采用坩埚下降法制备稀土卤化物闪烁晶体；优点是制备得到的闪烁晶体为高质量透明的CLLC闪烁晶体，且光产额高、能量分辨率佳、中子‑伽马甄别性能好。
闪烁晶体制备稀土卤化物能量分辨率惰性气体混合粉末晶体生长石英坩埚研磨抽真空透明的称量置入伽马坩埚密封应用

[发明专利]一种掺铊碘化铯闪烁体及其应用-CN201410006823.5在审
发明人：吴云涛;任国浩;陈晓峰;李焕英;潘尚可 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所;上海硅酸盐研究所中试基地
申请日： 2014-01-07 - 公布日： 2015-07-08 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种掺铊碘化铯闪烁体及其应用，所述的掺铊碘化铯闪烁体为铊、镱共掺的碘化铯，具有如下组成通式：(Cs_1-x-yTl_xYb_y)(I_1-yM_2y)或(Cs_1-x-yTl_xYb_y)(I_1-yM_3y)，其中：M=I、Br、Cl或F；0<x≤0.05、0<y≤0.05。采用本发明所述的掺铊碘化铯闪烁体制备的掺铊碘化铯薄膜和单晶纤维均具有高闪烁效率和低余辉的优良性能，可广泛应用于X射线辐射成像领域。
一种碘化闪烁及其应用

[发明专利]一种铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其制备方法-CN201410657884.8在审
发明人：刘玮;潘尚可;任国浩;李焕英;陈晓峰;张卫东 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-11-17 - 公布日： 2015-02-25 - 主分类号： C30B29/22 文献下载
摘要：本发明涉及一种铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其制备方法，所述铈掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体的组成化学式为Li₆Lu_(1-x-y)Y_xCe_y(BO₃)₃，其中，x的取值范围为0＜x≤0.9999，y的取值范围为0.0001≤y≤0.1，且满足x+y<1。
一种掺杂稀土硼酸盐闪烁晶体及其制备方法

[发明专利]采用坩埚下降法制备钼酸钙晶体-CN201410742436.8在审
发明人： 潘尚可;陈晓峰;李换英;张卫东;刘玮;任国浩 -专利权人：中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2014-12-08 - 公布日： 2015-02-18 - 主分类号： C30B29/32 文献下载
摘要：本发明涉及一种采用坩埚下降法制备钼酸钙晶体，制备方法包括：将CaMoO₄密封于坩埚进行坩埚下降法生长，得到钼酸钙晶体，其中，采用坩埚下降法生长时，晶体生长温度为1400~1520℃，晶体生长时坩埚下降速度为0.05~2mm/小时，降温速率为≤2℃/小时。
采用坩埚下降法制钼酸晶体

[发明专利]共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体及其制备方法和应用-CN201310307033.6有效
发明人：吴云涛;任国浩;陈晓峰;李焕英;潘尚可 -专利权人：上海硅酸盐研究所中试基地;中国科学院上海硅酸盐研究所
申请日： 2013-07-19 - 公布日： 2013-11-13 - 主分类号： C30B29/12 文献下载
摘要：本发明涉及一种共掺杂的掺铊碘化铯闪烁晶体及其制备方法和应用，所述闪烁晶体的化学组成为(Cs1-x-yTlxREy)(I1-yX3y)或者(Cs1-x-yTlxYby)(I1-yX2y)，其中三价共掺杂元素RE选自三价镧（La）、镥（Lu）和镱（Yb）中的至少一种，二价共掺杂元素为二价Yb，X选自F、Cl、Br和I中的至少一种，0
掺杂碘化闪烁晶体及其制备方法应用

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