专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]教案制作分享方法及系统-CN201310183694.2无效
  • 潘家明;陈世瑛 - 捷达世软件(深圳)有限公司;鸿海精密工业股份有限公司
  • 2013-05-17 - 2014-11-26 - G06F21/31
  • 本发明提供一种教案制作分享方法,该方法包括步骤:接收操作人员在电子设备中的输入内容;根据所述输入内容生成一个教案资源;设置不同的操作人员对所述教案资源的分享权限,该分享权限定义了不同的操作人员对教案资源中不同内容的访问权限及操作权限;将设置了分享权限的教案资源上传至服务器中;及当有操作人员需要访问服务器中存储的教案资源时,向服务器发送访问需求,并接收服务器根据该访问需求查找到的教案资源中的内容,其中,所述教案资源对应所述访问需求,以及所述教案资源中的内容对应该操作人员的访问权限。本发明还提供一种教案制作分享系统。利用本发明可以实现教案资源的制作与分享。
  • 教案制作分享方法系统
  • [实用新型]一种天线罩底板覆膜装置-CN201320636722.7有效
  • 俞波;陆跃忠;陈龙;潘家明;高晓园;张亚文;陈浩 - 南京华格电汽塑业有限公司
  • 2013-10-15 - 2014-05-14 - H01Q1/42
  • 本实用新型涉及一种天线罩底板覆膜装置,包括工装架、导轨、膜架和卷胶带盘,还包括进给压膜机构,所述进给压膜机构包括复平器和限位器。所述导轨活动设置在所述工装架上,所述膜架固定设置在所述工装架一端,所述膜架上设有放置所述卷胶带盘的凹槽,所述卷胶带盘通过活动轴件架设在所述膜架上,所述复平器活动安装在所述限位器内,所述限位器活动安装在所述工装架上。本实用新型解决了贴膜不平整,前后左右不紧实,覆膜过程皱褶的问题。提高了工作效率、操作方便、减少人力资源使用、减少支出、增加效益、提高创收。
  • 一种天线罩底板装置
  • [实用新型]一种天线罩筋条切削装置-CN201320635593.X有效
  • 高晓园;潘家明;陆跃忠;陈龙;俞波;张亚文;陈浩 - 南京华格电汽塑业有限公司
  • 2013-10-15 - 2014-05-14 - B24B27/06
  • 一种天线罩筋条切削装置,包括机架和加工台,所述加工台设置在所述机架一端,所述加工台包括压块和汽缸,所述汽缸通过连接杆与所述压块连接,还包括进给切削机构,所述进给切削机构通过所述丝杠固定在所述机架上所述加工台的一端,所述进给切削机构包括拖板、电机、钻帽夹头、直线导轨、丝杠和切削刀具。本实用新型所述的天线罩(偏心双腔)筋条加工设备利用了电机旋转和刀具切削原理使天线罩加工精度更高,减少产品不良率,提高了工作效率操作方便,减少人力资源使用,减少支出,增加效益提高创收。
  • 一种天线罩切削装置
  • [发明专利]铸造大尺寸硅锭的方法-CN201310677131.9有效
  • 潘家明;何广川;陈艳涛;李孟 - 英利集团有限公司
  • 2013-12-13 - 2014-03-26 - C30B11/00
  • 本发明公开了一种铸造大尺寸硅锭的方法,涉及硅锭的制造方法技术领域。包括以下步骤:(1)对G5铸锭炉的热场进行改造,改造后的热场符合安装G6铸锭炉底板、侧板和坩埚的要求,然后在热场内安装G6铸锭炉底板、侧板以及坩埚;(2)加热;(3)熔化;(4)结晶;(5)退火;(6)冷却。所述方法在不改变加热器、散热装置等大件热场部件的前提下,实现了热场升级,最大化的释放精功500N型铸锭炉产能,同时,所述方法改造成本低,不破坏热场原有加热结构,对热场部件不存在破坏性伤害,在适当生产需求下还可将热场直接改成G5小尺寸硅锭热场,使用方便。
  • 铸造尺寸方法
  • [发明专利]坩埚及其制作方法、多晶硅锭的铸造方法-CN201310681309.7有效
  • 潘家明 - 英利集团有限公司
  • 2013-12-12 - 2014-03-12 - C30B11/00
  • 发明提供了一种坩埚,包括:坩埚本体;位于坩埚本体的底部和侧壁上的氮化硅涂层;位于氮化硅涂层表面上的掺镓氮化硅涂层,掺镓氮化硅涂层中含有镓化合物,掺镓氮化硅涂层覆盖坩埚本体的底部和侧壁,且掺镓氮化硅涂层的高度低于氮化硅涂层的高度。由于氮化硅在硅的熔点温度时并不熔化,镓元素掺杂在涂层内,因此熔化阶段结束后大部分镓元素仍然存在于涂层中,退火长晶时掺镓氮化硅涂层中的镓元素会在高温作用下扩散至硅锭的中下部分,使镓元素浓度从硅锭的底部至顶部逐步减小。同时多晶硅锭中硼元素浓度从底部至顶部逐步增大,二者共同作用下整个硅锭的电阻率均一,有效提高了掺镓P型多晶硅锭的电阻率的均一性,保证了硅锭具有较高的利用率。
  • 坩埚及其制作方法多晶铸造方法
  • [发明专利]用于探测硅块内部缺陷的红外探测装置及探测方法-CN201310610942.7有效
  • 潘家明;何广川;陈艳涛;吕耀辉 - 英利集团有限公司
  • 2013-11-26 - 2014-02-19 - G01N21/88
  • 本发明公开了一种用于探测硅块内部缺陷的红外探测装置及探测方法。该红外探测装置包括:红外光源,用于发出红外线;旋转台,用于放置待测硅块;接收器,与显示系统连接,用于接收红外线并将红外信息传输给显示系统;还包括设置在所述红外光源与硅块之间的限光片,限光片由透光区和遮光区组成,透光区和遮光区间隔设置。通过在红外光源与硅块之间设置由透光区和遮光区间隔形成的限光片,将光源分割成数个面积小于缺陷区域的小光源,解决了在缺陷后方光线汇集导致无法准确地显示出硅块内部全部缺陷的问题,达到了准确探测的目的。将该红外探测装置用于硅块内部缺陷的全方位探测,提高了硅块缺陷检测的准确度,保障了后续切片工艺的顺利进行。
  • 用于探测内部缺陷红外装置方法
  • [发明专利]铸锭炉及控制类单晶铸造过程中籽晶保留高度的方法-CN201310573814.X有效
  • 潘家明;魏景拓 - 英利集团有限公司
  • 2013-11-15 - 2014-02-19 - C30B11/00
  • 本发明公开了一种铸锭炉及控制类单晶铸造过程中籽晶保留高度的方法。其中,该铸锭炉包括:部隔热层;底部隔热层,呈环状,环状的内环位置设置有百叶窗,底部隔热层与侧部隔热层共同围成一个腔体;坩埚,设置在腔体内;隔热挡板,设置在底部隔热层与侧部隔热层相接处,且朝向腔体的中心延伸,顶部测温点,设置在侧部隔热层与坩埚之间,且位于腔体的顶部,隔热挡板的位置是可调整的,以调整铸锭炉内热场的高温区和低温区的空间分布。通过调整铸锭炉热场内的隔热挡板位置,调整了高温区和低温区的空间分布,在类单晶铸造过程中,实现有效的控制坩埚底部籽晶熔化速度和剩余高度,从而保证类单晶铸造过程中的籽晶剩余量,提高类单晶的铸造成功率。
  • 铸锭控制类单晶铸造过程籽晶保留高度方法
  • [发明专利]用于生产类单晶硅锭的铸锭炉及类单晶硅锭的铸锭方法-CN201310574484.6有效
  • 潘家明;何广川;陈艳涛 - 英利集团有限公司
  • 2013-11-15 - 2014-02-19 - C30B11/00
  • 本发明公开了一种用于生产类单晶硅锭的铸锭炉及类单晶的铸锭方法。其中,该铸锭炉包括:侧部隔热层;底部隔热层,与侧部隔热层共同围成一个腔体;坩埚,设置在腔体内;侧部加热器,设置在侧部隔热层与坩埚之间,顶部测温点,设置在侧部隔热层与坩埚之间,且位于侧部加热器的上方;底部隔热层为一层,在侧部隔热层中部,朝向坩埚设置有一圈中部隔热层。应用本发明的技术方案,通过调整铸锭炉内部热场结构,去掉一层底部隔热层,在侧部隔热层内壁添加一圈保温隔热石墨硬毡,将铸锭炉内部热场分为顶部高温区和底部低温区,从而保证籽晶在坩埚内不完全熔化,硅液在结晶段沿籽晶内的原子排列方向进行结晶生长,铸锭类单晶硅锭,便于类单晶批量推广。
  • 用于生产单晶硅铸锭方法
  • [发明专利]石墨加热器及其制备方法-CN201310564225.5无效
  • 潘家明;何广川;陈艳涛 - 英利集团有限公司
  • 2013-11-13 - 2014-02-05 - C30B29/06
  • 本发明公开了石墨加热器及其制备方法。其中石墨加热器包括石墨加热器主体和隔离层,隔离层包覆在石墨加热器主体的表面上,且隔离层材料的高温稳定性优于石墨。石墨加热器的制备方法包括以下步骤:提供石墨加热器主体;在石墨加热器主体的表面上形成高温稳定性优于石墨的隔离层。在本发明中通过在石墨加热器本体的表面上包覆隔离层,能够将石墨加热器本体与外界隔离开来。通过使用高温稳定性优于石墨的材料作为隔离层材料,能够避免石墨加热器在多晶硅铸锭和单晶棒拉制的过程中与铸锭炉或单晶炉中的气体发生反应,进而避免石墨加热器被腐蚀。
  • 石墨加热器及其制备方法
  • [实用新型]脱模工具-CN201320389082.4有效
  • 潘家明;冯天顺;陈艳涛 - 英利能源(中国)有限公司
  • 2013-07-01 - 2013-12-04 - C30B11/00
  • 本实用新型提供了一种脱模工具。脱模工具用于硅锭铸造后分离硅锭与坩埚,脱模工具包括:本体部,包括相对设置的第一端和第二端;抓取部,抓取部的第一端与本体部的第一端连接并沿远离本体部的第一方向延伸,抓取部的第二端形成抓钩;支撑部,支撑部的第一端连接于本体部的第一端和第二端之间,并沿第二方向延伸,支撑部的第二端用于与坩埚的外侧壁抵接以为抓取部提供施力支撑点。根据本实用新型,可以有效防止硅锭脱模过程中造成的硅锭易出现裂纹的现象,提高硅锭质量。
  • 脱模工具
  • [发明专利]多晶硅的结晶工艺和多晶硅的铸锭工艺-CN201310299472.7有效
  • 潘家明;何广川;陈艳涛 - 英利能源(中国)有限公司
  • 2013-07-17 - 2013-10-16 - C30B28/06
  • 本发明提供了一种多晶硅的结晶工艺和多晶硅的铸锭工艺。结晶工艺包括:当硅料处于固态硅与液态硅的共存物的状态时,保持铸锭炉内顶部的温度,以继续熔化固态硅,并逐步降低铸锭炉内底部的温度,以使液态硅再结晶形成多晶硅锭。由于当硅料处于固液混合物状态时就对液态硅进行结晶处理,因而保证每台铸锭炉内的液态硅的温度基本一致,也就保证了液态硅所含的潜热一致,从而使液态硅的结晶速度稳定、提高了液态硅的结晶稳定性,进而提高了由多晶硅锭制成的太阳能电池片的性能。同时,本发明中的多晶硅的结晶工艺具有工艺简单、生产效率高的特点。
  • 多晶结晶工艺铸锭
  • [发明专利]一种多晶硅铸锭炉及其铸锭方法-CN201310299798.X有效
  • 潘家明;陈艳涛;田伟华 - 英利能源(中国)有限公司
  • 2013-07-17 - 2013-10-09 - C30B28/06
  • 本发明公开了一种多晶硅铸锭炉及其铸锭方法,涉及制备具有一定结构的均匀多晶硅装置技术领域。所述铸锭炉包括炉体隔热层、顶部加热器、石英坩埚、散热台和散热窗口,还包括底部加热器,所述底部加热器位于所述散热台的下侧。底部加热器同顶部加热器采用独立变压器控制,同顶部加热器区分开来调整,底部加热器额定功率在5kw至100kw,在铸锭炉运行过程中的加热、熔化段开启,硅液结晶过程中完全关闭,从而在硅料熔化迅速提高坩埚底部硅料温度,减小硅料熔化时长,提高铸锭炉产能。
  • 一种多晶铸锭及其方法
  • [发明专利]铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法-CN201310253143.9无效
  • 潘家明 - 英利集团有限公司
  • 2013-06-24 - 2013-09-18 - C30B33/02
  • 本发明提供了一种铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法。该铸锭过程中减少硅锭内部晶体的位错的方法包括退火工艺,该退火工艺包括以下步骤:步骤S1:使硅锭的顶部降温,且使硅锭的底部的温度保持不变;步骤S2:使硅锭的顶部和硅锭的底部同时降温;步骤S4:将硅锭的热应力释放。根据本发明的方法,在进行退火工艺的过程中,硅锭的温度是不断降低的,不会出现硅锭温度上升的情况,进而防止硅锭温度升高而造成硅锭内部晶体的位错。
  • 铸锭过程减少内部晶体方法

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