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[发明专利]一种耐强酸腐蚀的负性光刻胶组合物-CN202010225109.0有效
发明人：王安栋;于凯;孙逊运;腾立 -专利权人： 潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2020-03-26 - 公布日： 2023-10-03 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明公开了一种耐强酸腐蚀的负性光刻胶组合物，包括主体树脂、产酸剂、交联剂和溶剂；其中以所述光刻胶的总固体为基准算，主体树脂的量占总固体量的10‑50%，产酸剂的量占总固体量的10‑30%，交联剂的量占总固体量的0.4‑5%，溶剂的量占总固体量的10‑55%。该负性光刻胶组合物粘附性好，能够承受强酸腐蚀液，可以实现对现用环化橡胶的取代，且不含二甲苯等有害溶剂，采用弱碱性水溶液显影、去离子水定影，无环保隐患，大大改善了生产环境，且降低了生产成本。
一种强酸腐蚀光刻组合

[发明专利]一种基于碱去活性机理的聚酰亚胺正性光刻胶-CN202210425225.6在审
发明人：孙逊运;周元基;刘聘;宿磊;周田田 -专利权人： 潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2022-04-22 - 公布日： 2023-07-18 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碱去活性机理的聚酰亚胺正性光刻胶，其组分包括聚酰胺酸树脂、碱性催化剂、光产酸剂、溶剂，所述的正性光刻胶组成如下(按重量百分比计，各组分相加为100％)：聚酰胺酸树脂10％‑50％；碱性催化剂0.5％‑10％；光产酸剂0.5％‑10％；溶剂50％‑90％。本发明提供一种基于碱去活性机理的聚酰亚胺正性光刻胶，该种光刻胶属于化学放大光刻胶，光敏感性强，以3微米胶厚为例，曝光剂量可以降低至50～70mj/cm2，同时亚胺化的胶厚损失更小，可以大幅提高客户生产效率，降低生产成本。
一种基于活性机理聚酰亚胺光刻

[发明专利]厚膜光刻胶的显影方法-CN202211104320.2在审
发明人：孙逊运;谢桂兰;吕顺;宋建林;邢子涛;张天龙;屈财旺;王硕阳;庄兆森 -专利权人： 潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2022-09-09 - 公布日： 2023-04-04 - 主分类号： G03F7/38 文献下载
摘要：本发明提供了一种厚膜光刻胶的显影方法，涉及微电子半导体技术领域。所述显影方法包括：透过掩模版对涂敷有厚膜光刻胶的基片进行曝光，随后静置20～30min，然后依次对静置后的基片进行显影、清洗、烘坚，得到显影后图案。本发明在长期生产实践中研究发现，10微米以上的厚膜光刻胶经过旋涂，烘烤，曝光后直接显影会存在显影速度慢的问题，而且陡直度也比较差，直接影响了后面的腐蚀工艺；而本申请的显影方法通过在厚膜光刻胶基片曝光后设置“静置20～30min”的步骤，发现放置后厚膜光刻胶的显影速度更快，而且陡直度高。以10微米的膜厚为例，经检测显影时间可以从原来的120s调高到90s。
光刻显影方法

[发明专利]一种改善光刻胶形貌轮廓的方法-CN202211008257.2在审
发明人：孙逊运;谢桂兰;吕顺;宋健林;邢子涛;张天龙;屈财旺;王硕阳;庄兆森 -专利权人： 潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2022-08-22 - 公布日： 2022-11-01 - 主分类号： G03F7/16 文献下载
摘要：本发明公开了一种改善光刻胶形貌轮廓的方法，包括以下步骤：S1：准备好如下重量的原料：酚醛树脂24‑30g、光敏剂A 1.5‑2.1g、光敏剂B 1.0‑1.4g和溶剂65‑75g；S2：利用搅拌设备将S1中的酚醛树脂、光敏剂A和光敏剂B充分溶解在溶剂内，然后利用0.02微米孔径的滤膜进行过滤处理，得到光刻胶溶液；S3：将S2中的光刻胶溶液进行旋涂在基片上，然后涂覆有光刻胶溶液利用热板在95‑105℃/90s的条件下进行预烘操作，直到得到3μm膜厚的光刻胶胶体。本发明所制备的光刻胶的形貌轮廓得到了极大的改善，且光刻胶的图形盖帽现象基本消除。
一种改善光刻形貌轮廓方法

[发明专利]一种基于碱去活性机理的聚酰亚胺正性光刻胶-CN202210454961.4在审
发明人：孙逊运;周元基;刘聘;宿磊;周田田 -专利权人： 潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2022-04-24 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于碱去活性机理的聚酰亚胺正性光刻胶，其组分包括聚酰胺酸树脂、碱性催化剂、光产酸剂、溶剂，所述的正性光刻胶组成如下(按重量百分比计，各组分相加为100％)：聚酰胺酸树脂10％‑50％；碱性催化剂0.5％‑10％；光产酸剂0.5％‑10％；溶剂50％‑90％。本发明提供一种基于碱去活性机理的聚酰亚胺正性光刻胶，该种光刻胶属于化学放大光刻胶，光敏感性强，以3微米胶厚为例，曝光剂量可以降低至50～70mj/cm2，同时亚胺化的胶厚损失更小，可以大幅提高客户生产效率，降低生产成本。
一种基于活性机理聚酰亚胺光刻

[发明专利]用于纳米压印工艺的光刻胶及其制备方法和应用-CN202210482013.1在审
发明人：孙逊运;张盼;温赞伟;李巧玲 -专利权人： 潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2022-05-05 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： G03F7/075 文献下载
摘要：本发明涉及纳米压印技术领域，尤其是涉及一种用于纳米压印工艺的光刻胶及其制备方法和应用。用于纳米压印技术的光刻胶，包括按质量百分比计的胶体基体85％～99.9％和含硅丙烯酸酯类偶联剂0.1％～15％。本发明通过在胶体基体中引入含硅的丙烯酸酯类偶联剂，其中的Si‑OCH3不稳定，易水解成Si‑OH基团，能够与硅基材中的羟基形成氢键，增加光刻胶与基底之间的粘附性；并且，光刻胶形成胶膜后，其中的硅羟基及硅甲氧基均能改善光刻胶的抗干法刻蚀性能；再者，通过硅烷偶联剂中低表面能的硅氧基团的加入，旋涂制膜时胶膜上部所含的硅氧基团易于向空气表面富集，有利于降低光刻胶表面能，使得压印之后更易于脱模。
用于纳米压印工艺光刻及其制备方法应用

[发明专利]一种水性显影可低温固化的负性聚酰亚胺光刻胶-CN202210000868.6在审
发明人：刘聘;于强;刘增花;孙逊运 -专利权人： 潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2022-01-04 - 公布日： 2022-04-05 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明涉及光刻胶技术领域,更具体的说是涉及一种水性显影可低温固化的负性聚酰亚胺光刻胶，该负性聚酰亚胺光刻胶，包含：主体树脂、产酸剂、产酸剂以及溶剂，所述主体树脂、产酸剂、产酸剂以及溶剂的质量配比为：10‑80:1‑20:10‑30:10‑90。本发明的负性聚酰亚胺光刻胶可在200℃完全固化，具有优良的机械性能，介电性能和耐温性。采用弱碱性水溶液显影、去离子水定影，无环保隐患，大大改善了生产环境，且降低了生产成本。
一种水性显影低温固化聚酰亚胺光刻

[发明专利]用于干法刻蚀的丙烯酸酯类负性光刻胶膜及其制备方法-CN202111569372.2在审
发明人：周元基;向容 -专利权人： 潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2021-12-21 - 公布日： 2022-03-25 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明涉及光刻胶技术领域，尤其是涉及用于干法刻蚀的丙烯酸酯类负性光刻胶膜及其制备方法。本发明提供了含有不饱和双键的有机金属化合物作为功能化合物在提高丙烯酸酯类负性光刻胶膜刻蚀比中的应用，所述含有不饱和双键的有机金属化合物中的不饱和双键能够与丙烯酸酯类树脂交联，生成不溶于碱的交联产物，而含有不饱和双键的有机金属化合物中含有金属元素能够对光刻后的干法刻蚀工序中的等离子体起到屏蔽作用，从而提高丙烯酸酯类负性光刻胶膜的刻蚀比。
用于刻蚀丙烯酸酯类负性光刻胶膜及其制备方法

[发明专利]光刻胶组合物、制备方法及应用和形成光刻胶图案的方法-CN202111483647.0在审
发明人：周元基 -专利权人： 潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2021-12-07 - 公布日： 2022-03-11 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明提供了一种光刻胶组合物、制备方法及应用和形成光刻胶图案的方法，具体涉及光刻胶技术领域。该光刻胶组合物包括聚对羟基苯乙烯均聚物和光致去活剂，两者的质量比为100‑600:2‑50。所述聚对羟基苯乙烯均聚物的重均分子量为1000‑20000。该光刻胶组合物光敏感性强，采用248nm深紫外光刻的光源曝光后，在500nm膜厚下，曝光剂量可以降低至10mJ/cm2以下。该聚对羟基苯乙烯均聚物无保护基团，能够参与交联，所以具有较高的碳原子含量，明显提高耐干法刻蚀性能，提高刻蚀比，大幅提高客户生产效率，降低生产成本。
光刻组合制备方法应用形成图案

[发明专利]正性光刻胶组合物及其制备方法、应用-CN202111417715.3在审
发明人：周元基 -专利权人： 潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： G03F7/039 文献下载
摘要：本发明提供了一种正性光刻胶组合物及其制备方法、应用，涉及光刻胶制备的技术领域，包括：酚醛树脂、交联剂、酸性催化剂、光致去活剂以及任选的溶剂，其中，光致去活剂包括阴离子引发剂。本发明正性光刻胶组合物属于化学放大光刻胶，其中的酚醛树脂具有优异的物理化学性能、合适的溶解速度和良好的成膜性，在非曝光区，酸性催化剂催化交联剂与酚醛树脂发生交联反应，而在曝光区经365nm或436nm波长紫外光曝光后，阴离子引发剂产生的化合物会使酸性催化剂失活，不再催化交联反应。本发明解决了光刻胶的光敏感性差导致曝光剂量需求量大的技术问题，达到了光刻胶的光敏感性强，曝光剂量需求小，提高生产效率和降低生产成本的技术效果。
光刻组合及其制备方法应用

[发明专利]图形化蓝宝石衬底及其制备方法、LED外延片-CN202111370654.X在审
发明人：向容;孙逊运;孔德媛 -专利权人： 潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2021-11-18 - 公布日： 2022-02-25 - 主分类号： H01L33/22 文献下载
摘要：本发明涉及半导体光刻技术领域，尤其是涉及一种图形化蓝宝石衬底及其制备方法、LED外延片。图形化蓝宝石衬底，包括衬底本体和凸起于所述衬底本体上表面的周期性复合结构；所述复合结构包括圆锥体和若干个凸出或凹入所述圆锥体的圆锥面的微结构；所述微结构的横截面积自底部向顶部逐渐减小，并在顶部与所述圆锥体的顶点相交。本发明的图形化蓝宝石衬底，具有规律的沟壑图形，具有棱角，一方面最大化侧边生长，有效抑制外延增长的失配位错，另一方面进一步改变入射光的光路，有效的增加光的散射，增加了光从蓝宝石衬底的出射几率，进一步提高了光的提取效率。
图形蓝宝石衬底及其制备方法 led 外延

[发明专利]负性光刻胶组合物、制备方法及形成光刻胶图案的方法-CN202111476489.6在审
发明人：周元基;孙逊运;向容 -专利权人： 潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2021-12-06 - 公布日： 2022-01-28 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明提供了一种负性光刻胶组合物、制备方法及应用和形成光刻胶图案的方法，具体涉及光刻胶技术领域。该负性光刻胶组合物包括高硅树脂和光敏产酸剂。高硅树脂和光敏产酸剂的质量比为10‑70:0.5‑10。本发明提供的负性光刻胶组合物，使用具有良好化学稳定性以及绝缘性能的高硅树脂，能够降低负性光刻胶组合物的介电常数，介电常数低至2.8‑3.2，能够满足封装工艺的绝缘性要求，可以提高封装效率和效果，打破国外垄断，降低生产成本。
光刻组合制备方法形成图案

[发明专利]KrF负性光刻胶及其制备方法、应用-CN202111417731.2在审
发明人：周元基 -专利权人： 潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2021-11-26 - 公布日： 2022-01-21 - 主分类号： G03F7/038 文献下载
摘要：本发明提供了一种KrF负性光刻胶及其制备方法、应用，涉及光刻胶制备的技术领域，包括如下组分：聚对羟基苯乙烯共聚物、酸性催化剂、光致去活剂以及任选的溶剂，其中，聚对羟基苯乙烯共聚物包括含保护基团的聚对羟基苯乙烯共聚物，光致去活剂包括阴离子引发剂。本发明的KrF负性光刻胶，其在非曝光区时，酸性催化剂催化聚对羟基苯乙烯共聚物的保护基团脱落，而在曝光区经248nm波长紫外光曝光后，阴离子引发剂产生的化合物会使酸性催化剂失活，不再催化去保护基团。本发明解决了聚对羟基苯乙烯树脂在交联后难以湿法去胶的技术问题，达到了可以采用湿法去胶，通过常温浸泡即可将光刻胶去除干净的技术效果。
krf 光刻及其制备方法应用

[发明专利]一种GPP芯片制造的光刻工艺-CN201710321968.8有效
发明人：孙逊运;孟祥龙;刘运;王安栋;于凯 -专利权人： 潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2017-05-09 - 公布日： 2021-08-03 - 主分类号： H01L21/027 文献下载
摘要：本发明公开一种GPP芯片制造的光刻工艺，包括如下步骤：（1）涂胶：在清洁干燥的硅片基材表面涂布不含二甲苯溶剂的负性光刻胶；（2）前烘，以去除胶膜中的溶剂；（3）曝光；（4）显影：采用碱性水溶液进行恒温显影；（5）定影：采用去离子水对基材进行冲洗；（6）后烘：去除残存溶剂，使胶膜固化致密；（7）腐蚀：以酸混合液腐蚀基材；（8）去胶。重复光刻工艺以制作复杂图形。本发明工艺避免了使用含有毒有害二甲苯的环化橡胶系负性光刻胶，以碱性水溶液和去离子水取代了有害的易挥发有机显影液和定影液，使光刻工艺过程变的安全健康环保。
一种 gpp 芯片制造光刻工艺

[发明专利]一种光刻胶、制备方法及其光刻工艺-CN201711085268.X有效
发明人：孙逊运;谢桂兰;孙敏;吴淑财;于凯;宋建林 -专利权人： 潍坊星泰克微电子材料有限公司
申请日： 2017-11-07 - 公布日： 2021-04-30 - 主分类号： G03F7/004 文献下载
摘要：本发明涉及光刻技术领域，具体而言，涉及一种光刻胶、制备方法及其光刻工艺。所述光刻胶主要由大分子量树脂、小分子量树脂、光敏剂和溶剂制成；所述光刻胶主要是由按质量百分比的以下组分制成：大分子量树脂15‑25％、小分子量树脂2‑16％、光敏剂3‑15％、以及溶剂50‑80％。小分子量树脂的分子量相对较低，分子的链结构相对较短，占据体积相对较小，空间位阻相对较小，可以填充于大分子量树脂形成的空隙之间，并且小分子量树脂与大分子量树脂之间通过分子间作用力，提高两者之间的结合力，进一步增加光刻胶在烘烤后的结构致密性，提高粘附力，避免漂胶。
一种光刻制备方法及其工艺

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