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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[发明专利]用于同时蚀刻包含氧化锌及银的层压膜的蚀刻液组合物-CN201911380289.3有效
发明人：佐佐木辽;高桥秀树;清水寿和;中村伸宏;増茂邦雄;渡边晓 -专利权人：关东化学株式会社
申请日： 2019-12-27 - 公布日： 2023-06-30 - 主分类号： C09K13/00 文献下载
摘要：本发明的目的在于，提供可以在缩小氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜的侧面蚀刻差的同时，简单且经济地进行蚀刻的蚀刻液组合物。本发明涉及用于同时蚀刻氧化锌或包含氧化锌的透明金属氧化物膜与银或银合金膜相邻的层压膜底板的上述两个膜的蚀刻液组合物，其包含(A)过氧化氢、(B)银络合剂、以及(C)水。
用于同时蚀刻包含氧化锌层压组合

[发明专利]纳米粒子的集合体、纳米粒子的分散液、油墨、薄膜、有机发光二极管和纳米粒子的集合体的制造方法-CN202080030224.0在审
发明人： 渡边晓;户田喜丈;增茂邦雄;石桥奈央;中村伸宏;森田晋平;小林光 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2020-04-22 - 公布日： 2021-11-26 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种纳米粒子的集合体，是由金属氧化物构成的纳米粒子的集合体，各纳米粒子包含锌(Zn)和硅(Si)，以原子数比计Zn/(Zn+Si)为0.3～0.95，换算成圆的粒径为1nm～20nm的范围。
纳米粒子集合体分散油墨薄膜有机发光二极管制造方法

[发明专利]半导体化合物、具有半导体化合物的层的半导体元件、层叠体、及靶-CN201880076573.9在审
发明人：细野秀雄;金正焕;方俊皓;云见日出也;渡边晓;大越雄斗;宫川直通;石桥奈央;增茂邦雄;中村伸宏 -专利权人： AGC株式会社;国立大学法人东京工业大学
申请日： 2018-10-30 - 公布日： 2020-07-10 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种氧化物系的半导体化合物，其为包含金属阳离子及氧的氧化物系的半导体化合物，与前述金属阳离子键合的氢负离子H‑被氟离子F‑置换，所述半导体化合物具有1个～3个与金属阳离子键合的氟离子F‑。
半导体化合物具有元件层叠

[发明专利]薄膜晶体管-CN201880075372.7在审
发明人：增茂邦雄;石桥奈央;中村伸宏;渡边晓;大越雄斗;宫川直通 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2018-08-24 - 公布日： 2020-07-03 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种薄膜晶体管，其为顶栅共面型的薄膜晶体管，具有源极、漏极、栅极、及半导体层；前述半导体层具有前述源极用的第1低电阻区域、和前述漏极用的第2低电阻区域；前述源极及前述漏极借助前述第1低电阻区域、前述半导体层、及前述第2低电阻区域进行电连接，前述半导体层由包含镓(Ga)、锌(Zn)、及锡(Sn)的氧化物系的半导体构成。
薄膜晶体管

[发明专利]制造光电转换元件的方法-CN201911017018.1在审
发明人：增茂邦雄;中村伸宏;渡边晓 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2019-10-24 - 公布日： 2020-05-08 - 主分类号： H01L51/56 文献下载
摘要：本发明提供实用性高的光电转换元件的制造方法。一种制造光电转换元件的方法，具有如下步骤：步骤(1)在基板上配置图案化前的第一电极；步骤(2)在上述图案化前的第一电极的上部配置由包含锌(Zn)、硅(Si)和氧(O)的金属氧化物构成的、图案化前的第一层；步骤(3)将上述图案化前的第一电极和上述图案化前的第一层一起图案化，形成图案化的第一电极和图案化的第一层；步骤(4)在上述图案化的第一层的上部配置光电转换层，所述光电转换层是将施加电压转换为光的层或者将入射光转换为电力的层；以及步骤(5)在上述光电转换层的上部配置第二电极。
制造光电转换元件方法

[发明专利]制造光电转换元件的方法-CN201680069408.1有效
发明人：细野秀雄;云见日出也;中村伸宏;渡边晓;渡边俊成;宫川直通 -专利权人： AGC株式会社
申请日： 2016-11-21 - 公布日： 2020-04-28 - 主分类号： H05B33/10 文献下载
摘要：一种制造光电转换元件的方法，具有：在基板上配置第一电极的步骤；在所述第一电极的上部配置由含有锌(Zn)以及氧(O)、并且还含有硅(Si)以及锡(Sn)中的至少一方的金属氧化物构成的第一薄膜的步骤；利用气体对具有所述第一电极以及所述第一薄膜的所述基板施加压力的步骤；在所述第一薄膜的上部配置作为将施加电压转换成光的层或者将入射光转换成电力的层的光电转换层的步骤；以及在所述光电转换层的上部配置第二电极的步骤。
制造光电转换元件方法

[发明专利]日志分析装置、日志分析系统、日志分析方法及存储介质-CN201580045079.2有效
发明人：木村达明;渡边晓;丰野刚;西松研 -专利权人：日本电信电话株式会社
申请日： 2015-08-20 - 公布日： 2019-05-28 - 主分类号： G06F11/34 文献下载
摘要：提供一种用于在利用者事先不知道机器生成的日志的生成规则的情况下抽出相关高的日志的集合的技术。本发明的一个技术方案涉及日志分析装置，具有：模板保存部，保存与日志消息有关的模板；模板确定部，从所保存的所述模板中确定与从监视对象的主机提供的各日志消息一致的模板；事件候补抽出部，检测确定出的所述模板中的、针对从同一主机提供的日志消息而确定出的模板，将检测出的所述模板的序列抽出而作为事件候补；以及事件抽出部，从所抽出的所述事件候补中抽出频繁出现的模板的序列而作为事件。
日志分析装置系统方法以及计算机程序

[发明专利]氧化物半导体化合物、具备氧化物半导体化合物的层的半导体元件和层叠体-CN201780014378.9在审
发明人：细野秀雄;神谷利夫;云见日出也;金正焕;中村伸宏;渡边晓;宫川直通 -专利权人：国立大学法人东京工业大学;AGC株式会社
申请日： 2017-02-23 - 公布日： 2018-12-21 - 主分类号： H01L29/786 文献下载
摘要：一种氧化物半导体化合物，其含有镓和氧，光学带隙为3.4eV以上，300K下的通过霍尔(Hall)测定得到的电子的霍尔(Hall)迁移率为3cm²/Vs以上。
氧化物半导体霍尔半导体元件光学带隙层叠体迁移率

[发明专利]发光元件、显示装置和照明装置-CN201580050438.3有效
发明人：细野秀雄;户田喜丈;中村伸宏;宫川直通;渡边晓;渡边俊成 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构;国立大学法人东京工业大学;AGC株式会社
申请日： 2015-09-16 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：一种发光元件，其具有以相互分离地对置的方式配置在基板的第一表面上的一对第一电极、配置在所述第一电极的至少一个上的发光层、配置在所述发光层上的第二电极、和将所述第一电极的各个电极连接的桥接层，所述桥接层由具有100kΩ～100MΩ范围的电阻的材料构成。
发光元件显示装置照明装置

[发明专利]导电性钙铝石化合物的制造方法和导电性钙铝石化合物的烧结体-CN201710963707.6在审
发明人：伊藤和弘;渡边晓;大越雄斗;宫川直通;河内优 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2017-10-17 - 公布日： 2018-04-24 - 主分类号： C04B35/44 文献下载
摘要：本发明涉及导电性钙铝石化合物的制造方法和导电性钙铝石化合物的烧结体。本发明涉及一种能够得到具有较平坦的表面的烧结体的导电性钙铝石化合物的制造方法。一种制造方法，其为导电性钙铝石化合物的制造方法，其中，所述方法具有(1)准备煅烧粉的工序，所述煅烧粉以换算成CaOAl2O3的摩尔比为136～118的比例含有氧化钙和氧化铝；和(2)将包含所述煅烧粉的被处理体在以1kg/cm2～200kg/cm2的范围的压力加压的状态下、并且在包含Ti构件和Ca源中的至少一者的还原性气氛下、在1220℃～1380℃的范围内进行保持的工序。
导电性石化制造方法烧结

[发明专利]金属氧化物的薄膜、具备该薄膜的有机电致发光元件、太阳能电池和有机太阳能电池-CN201480071371.7有效
发明人：细野秀雄;户田喜丈;渡边俊成;宫川直通;伊藤和弘;渡边晓;光井彰;大越雄斗 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构;国立大学法人东京工业大学;旭硝子株式会社
申请日： 2014-12-04 - 公布日： 2018-03-02 - 主分类号： H01L51/50 文献下载
摘要：本发明涉及一种非晶金属氧化物的薄膜，其含有锌(Zn)、硅(Si)和氧(O)，其中Zn/(Zn+Si)的原子数比为0.30～0.95。
金属氧化物薄膜具备有机电致发光元件太阳能电池

[发明专利]溅射靶及使用该靶的薄膜的制造方法-CN201480033195.8有效
发明人：伊藤和弘;渡边晓;宫川直通;渡边俊成;光井彰 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2014-06-02 - 公布日： 2017-09-29 - 主分类号： C23C14/34 文献下载
摘要：一种非晶膜形成用溅射靶，其为含有导电性钙铝石化合物的溅射靶，该导电性钙铝石化合物的电子密度为3×1020cm‑3以上，且该导电性钙铝石化合物含有选自由C、Fe、Na和Zr所构成的组中的一种以上元素。
溅射使用薄膜制造方法

[发明专利]C12A7电子化合物的薄膜的制造方法及C12A7电子化合物的薄膜-CN201380032070.9有效
发明人：细野秀雄;户田喜丈;林克郎;伊藤节郎;渡边晓;宫川直通;渡边俊成;伊藤和弘 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构;国立大学法人东京工业大学;旭硝子株式会社
申请日： 2013-06-19 - 公布日： 2017-07-28 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种C12A7电子化合物的薄膜的制造方法，其特征在于，使用电子密度为2.0×1018cm‑3～2.3×1021cm‑3的结晶质C12A7电子化合物的靶，在低氧分压的气氛下利用气相蒸镀法在基板上进行成膜，由此形成非晶质C12A7电子化合物的薄膜。
c12a7 电子化合物薄膜制造方法

[发明专利]高电子密度的导电性钙铝石化合物的制造方法-CN201380050813.5有效
发明人：伊藤和弘;渡边晓;渡边俊成;宫川直通 -专利权人：旭硝子株式会社
申请日： 2013-09-25 - 公布日： 2017-07-07 - 主分类号： H01B13/00 文献下载
摘要：本发明涉及一种导电性钙铝石化合物的制造方法，其中，包括准备含有钙铝石化合物的被处理体的工序；将所述被处理体在一氧化碳气体以及由铝源供给的铝蒸汽的存在下以不接触所述铝源的状态进行配置，在还原性气氛下将所述被处理体保持在1080℃～1450℃的温度范围的工序。
电子密度导电性石化制造方法

[发明专利]金属氧化物的薄膜、具备该薄膜的有机电致发光元件、太阳能电池及薄膜的制造方法-CN201580050390.6在审
发明人：细野秀雄;户田喜丈;渡边晓;渡边俊成;伊藤和弘;宫川直通;中村伸宏 -专利权人：国立研究开发法人科学技术振兴机构;国立大学法人东京工业大学;旭硝子株式会社
申请日： 2015-09-16 - 公布日： 2017-05-17 - 主分类号： C23C14/08 文献下载
摘要：一种金属氧化物的薄膜，所述薄膜含有锌(Zn)、锡(Sn)、硅(Si)和氧(O)，以氧化物换算计，相对于所述薄膜的氧化物的合计100摩尔％，SnO2超过15摩尔％且在95摩尔％以下。
金属氧化物薄膜具备有机电致发光元件太阳能电池制造方法

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