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[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201911175343.0有效
发明人：渠汇 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2023-07-04 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，基底包括第一器件区，基底包括衬底以及凸出于衬底的初始鳍部；在初始鳍部露出的衬底上形成隔离结构；在隔离结构和初始鳍部的顶面、以及隔离结构露出的初始鳍部侧壁上形成初始保护层；进行退火处理，使与隔离结构相接触的初始保护层转化成牺牲层，位于初始鳍部的顶面和侧壁上未转化的初始保护层作为保护层；去除第一器件区的牺牲层，露出初始鳍部靠近隔离结构的部分侧壁；初始鳍部由保护层和隔离结构露出的部分作为初始颈鳍部；沿垂直于初始鳍部的延伸方向且垂直于初始颈鳍部侧壁的方向，对第一器件区的初始颈鳍部侧壁进行减薄处理，形成颈鳍部。本发明实施例有利于提升半导体结构的性能。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]花蓟马种群扩繁的装置及方法-CN202310537236.8在审
发明人：李海平;渠汇;常静;啜泽润;陈学亮;张文兵 -专利权人：内蒙古农业大学
申请日： 2023-05-14 - 公布日： 2023-06-23 - 主分类号： A01K67/033 文献下载
摘要：本发明属于微小型昆虫养殖技术领域，尤其是花蓟马种群扩繁的装置及方法，针对现有技术中耗时耗力、空间透气性、食物霉变和取用困难问题，现提出如下方案，其包括：框架，所述框架内呈横向排布有多个第二连接板，且相邻两个第二连接板之间设有第二尼龙纱层，且第二尼龙纱层的两端分别与框架的两侧内壁固定连接，本发明中，通过分别启动驱动电机和电动推杆能够将转动架以及上放置架、下放置架上的干瘪豆角依次排放至纱布层上，不但避免干瘪豆角发生霉变，且还能够使干瘪豆角在纱布层上继续孵化花蓟马，另外再将干瘪豆角排放时，能够通过惊飞结构，避免花蓟马被干瘪豆角挤压致死，在培育花蓟马时能够避免过多的人工操作，省时省力。
花蓟马种群装置方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110071804.0在审
发明人：渠汇;杨鹏;唐睿智;吉利;钱文明 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，方法包括：提供基底，包括衬底以及位于衬底上的分立的鳍部，衬底上形成有横跨鳍部的栅极结构，栅极结构的顶部形成有第一硬掩模层，第一硬掩模层上形成有第二硬掩膜层，第一硬掩模层的材料硬度小于第二硬掩模层的材料硬度，基底上还形成有覆盖第二硬掩模层的层间介质材料层；去除第一部分厚度的层间介质材料层，露出第二硬掩模层，并且剩余层间介质材料层覆盖第一硬掩模层的侧壁；去除部分厚度的第二硬掩膜层；去除部分厚度的第二硬掩模层后，同时去除第二部分厚度的层间介质材料层、剩余的第二硬掩模层和第一硬掩模层，剩余的层间介质材料层作为层间介质层，层间介质层覆盖栅极结构的部分侧壁或整个侧壁。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202110071808.9在审
发明人：渠汇;何永根;黄豪俊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L27/092 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及凸出于衬底的鳍部，基底包括用于形成第一器件的第一区域以及用于形成第二器件的第二区域，其中，第一器件的工作电压大于第二器件的工作电压；形成保形覆盖第一区域和第二区域的鳍部的第一栅氧化层，其中，位于第二区域的第一栅氧化层用于构成第二器件的栅介质层；形成保形覆盖第一栅氧化层的第二栅氧化层，其中，位于第一区域的第二栅氧化层和第一栅氧化层用于构成第一器件的栅介质层；进行栅介质层减薄处理，栅介质层减薄处理包括：去除位于第二区域的所述第二栅氧化层。本方案减小工艺制程对第二区域的鳍部的消耗，进而提高第一区域和第二区域的鳍部宽度均一性和高度均一性。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202110106516.4在审
发明人：唐睿智;渠汇;尹鹏;杨鹏;付金玉;吉利 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2021-01-26 - 公布日： 2022-07-26 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法，包括：提供衬底，衬底包括第一区和第二区，第一区上具有第一鳍部，第二区上具有第二鳍部；在衬底上形成初始隔离层；在初始隔离层上、第一鳍部上和第二鳍部上形成阻挡层；形成位于第一鳍部内的第一阱区以及位于第二鳍部内的第二阱区；在第二区上的阻挡层内形成缓冲层；刻蚀阻挡层、缓冲层以及部分初始隔离层以形成隔离层，位于第一区上的隔离层的顶部表面与位于第二区上的隔离层的顶部表面齐平。通过缓冲层能够调节刻蚀速率，使得最终位于第一区上的隔离层的顶部表面与位于第二区上的隔离层的顶部表面齐平，进而降低第一阱区和第二阱区上形成的晶体管结构电学性能的差异，提升最终形成的半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN202011595341.X在审
发明人：渠汇;唐睿智;尹鹏;吉利 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2020-12-29 - 公布日： 2022-07-01 - 主分类号： H01L29/78 文献下载
摘要：一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：提供基底，包括衬底以及凸出于衬底的鳍部，基底上形成有层间介质层，层间介质层中形成有栅极开口，栅极开口横跨鳍部，并露出鳍部的部分顶部和部分侧壁；在栅极开口侧壁和鳍部侧壁形成填充层，填充层用于填充栅极开口侧壁和鳍部侧壁的拐角处；去除位于栅极开口侧壁和鳍部侧壁的填充层；去除位于栅极开口侧壁和鳍部侧壁的填充层后，在栅极开口内形成栅极结构。本发明实施例通过形成填充层，以填充所述栅极开口侧壁和所述鳍部侧壁的拐角处，使得所述栅极开口靠近所述鳍部侧壁的部分的线宽尺寸与远离所述鳍部侧壁的部分的线宽尺寸相近，从而使得形成的所述栅极结构的线宽尺寸均一性较高。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法-CN202010153286.2在审
发明人：杨鹏;张静;渠汇;刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2020-03-06 - 公布日： 2021-09-07 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法包括，形成方法包括：提供基底，基底包括第一区；在述第一区上形成第一栅极结构、以及位于第一栅极结构顶部表面和侧壁表面的初始第一侧墙结构，初始第一侧墙结构包括：初始第一侧墙和初始第二侧墙，且初始第一侧墙的材料和初始第二侧墙的材料不同；在基底上形成覆盖初始第一侧墙结构侧壁表面的介质层，介质层顶部表面低于初始第一侧墙结构顶部表面；采用第一刻蚀工艺，去除高于介质层顶部表面的初始第二侧墙，暴露出初始第一侧墙的顶部表面和侧壁表面，使初始第二侧墙形成第二侧墙；采用第二刻蚀工艺，去除高于介质层顶部表面的初始第一侧墙，使初始第一侧墙形成第一侧墙。所述方法有利于提高形成的半导体结构的性能。
半导体结构形成方法

[发明专利]半导体结构的形成方法、晶体管-CN201911174095.8在审
发明人：杨鹏;渠汇;钱文明;吉利;唐睿智;刘佳磊 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司;中芯国际集成电路制造（北京）有限公司
申请日： 2019-11-26 - 公布日： 2021-05-28 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：一种半导体结构的形成方法、晶体管，形成方法包括：提供基底，基底包括图形稀疏区和图形密集区，基底包括衬底、多个分立于衬底上的鳍部以及位于鳍部上的掩膜层；形成露出部分厚度的掩膜层的隔离材料层；形成隔离材料层后，去除掩膜层；去除掩膜层后，对隔离材料层进行刻蚀处理，形成隔离层，隔离层露出部分高度的鳍部，刻蚀处理的步骤包括：采用湿法刻蚀工艺对隔离材料层进行第一刻蚀。本发明实施例，湿法刻蚀的过程中，图形密集区中的隔离材料层的被刻蚀速率明显大于图形稀疏区中的隔离材料层的被刻蚀速率，降低了图形密集区的隔离层顶部和图形稀疏区的隔离层的顶部的距离，有利于提高半导体结构器件性能的均一性，优化了半导体结构的性能。
半导体结构形成方法晶体管

[发明专利]生成物层的处理方法-CN201910619393.7在审
发明人：渠汇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司
申请日： 2019-07-10 - 公布日： 2021-01-12 - 主分类号： H01L21/311 文献下载
摘要：一种生成物层的处理方法，包括：提供基底，所述基底上具有介质层；刻蚀去除部分厚度所述介质层，在所述介质层顶部形成生成物层；提供溶解液，利用所述溶解液淋洗或浸泡所述生成物层，所述生成物层溶解于所述溶解液，以去除所述生成物层。本发明有助于提高去除所述生成物层的效率。
生成物处理方法

[发明专利]基于遗传算法的小分子配合物结构搜索方法-CN201610043116.2在审
发明人：渠汇;渠通 -专利权人：渠汇
申请日： 2016-01-23 - 公布日： 2016-06-29 - 主分类号： G06N3/12 文献下载
摘要：本发明公开了一种基于遗传算法的全局搜索方法，以小分子配合物为对象，目的是找到能量最低且与实验事实相吻合的结构。包括如下步骤：建立配合物模型，染色体编码；初始化，产生配合物可能的结构；使用量子化学方法进行局部优化；遗传操作，包括复制、杂交、突变等；重复以上两步，直至达到迭代次数为止；读取结果并分析。本方法对产生新结构做了限制，在遗传操作时选择更合理地方式，所以可以在更短时间内搜索更大范围，更有效地找到相应小分子配合物正确的结构。
基于遗传算法分子配合结构搜索方法

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