专利名称
主分类
A 农业
B 作业;运输
C 化学;冶金
D 纺织;造纸
E 固定建筑物
F 机械工程、照明、加热
G 物理
H 电学
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公布日期
2023-10-24 公布专利
2023-10-20 公布专利
2023-10-17 公布专利
2023-10-13 公布专利
2023-10-10 公布专利
2023-10-03 公布专利
2023-09-29 公布专利
2023-09-26 公布专利
2023-09-22 公布专利
2023-09-19 公布专利
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专利权人
国家电网公司
华为技术有限公司
浙江大学
中兴通讯股份有限公司
三星电子株式会社
中国石油化工股份有限公司
清华大学
鸿海精密工业股份有限公司
松下电器产业株式会社
上海交通大学
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  • [发明专利]一种培养耐辐射奇球菌生产天然类胡萝卜素的方法-CN201210001376.5有效
  • 华跃进;程建徽;汪虎;田兵 - 浙江大学
  • 2012-01-04 - 2012-07-11 - C12P23/00
  • 本发明提供一种耐辐射奇球菌生产天然类胡萝卜素的方法,通过黄浆水的收集、除杂,pH调整,添加培养物、灭菌,菌种的活化、培养种子,发酵培养,菌体破壁,类胡萝卜素萃取,干品制备获得。本发明利用豆腐等豆制品加工制作过程中副产物黄浆水来培养细菌发酵生产天然类胡萝卜素,实现了黄浆水的废物利用,提高了资源利用效率,并降低了豆制品加工企业对环境造成的污染,有利于保护环境,每升黄浆水发酵液可得类胡萝卜素干品229.8mg,优于常规培养发酵提取方法226.2%。本发明先对菌体细胞进行酸热破壁处理,再用乙醇萃取,提取完全、快速,生产工艺流程简单、生产成本低廉,产品无毒性残留、安全性高。
  • 一种培养辐射球菌生产天然类胡萝卜素方法
  • [发明专利]一种多视点自由立体显示的三维增强现实方法-CN201110412061.5有效
  • 刘灵珊;李阳;李东晓;王梁昊;张明 - 浙江大学
  • 2011-12-12 - 2012-07-11 - G06T15/40
  • 本发明公开了一种多视点自由立体显示的三维增强现实方法。它的步骤如下:1)双目相机立体拍摄自然场景;2)提取并匹配主相机图像的特征点,实时产生自然场景的三维点云图并计算相机参数;3)计算主相机图像对应的深度图,绘制虚拟视点图像及其深度图并作空洞修复;4)三维制作软件绘制三维虚拟模型,虚实融合模块实现多个视点图像的虚实融合;5)将多路虚实融合图像进行适当的合成;6)3D显示设备提供多视点立体显示。本发明采用双目相机立体拍摄,采用实时性较好的特征提取与匹配技术,不需在自然场景中作标记;虚实融合模块可以实现虚实场景的光照一致性和无缝融合;3D立体显示设备可提供多人多角度的裸眼多视点立体显示效果。
  • 一种视点自由立体显示三维增强现实方法
  • [发明专利]一种基于移位寄存器的抗干扰方法-CN201110414928.0有效
  • 饶秀勤;应义斌 - 浙江大学
  • 2011-12-13 - 2012-07-11 - G11C19/28
  • 本发明公开了一种基于移位寄存器的抗干扰方法。时钟脉冲发生器连接在移位寄存器的时钟输入端Clock上,整形电路连接在移位寄存器的数据输入端Data上,移位寄存器的数据输出端连接在放大器的多个输入端,放大器的输入端连接在比较器的同相端,阈值设定电路连接在比较器(6)的反相端上。过对脉冲细分、移位寄存器记录和加法器叠加来将脉冲宽度转换成电压值,再与设定的电压值相比较来判断脉冲信号是否为干扰信号。本发明通过脉冲细分、移位寄存器记录和加法器叠加来将脉冲宽度转换成电压值,克服了RC充放电电路中负向脉冲分割正常脉冲造成脉冲判断失误。
  • 一种基于移位寄存器抗干扰方法
  • [发明专利]一种机床回转工作台转角误差的测量装置和方法-CN201210046988.6有效
  • 傅建中;何振亚;姚鑫骅 - 浙江大学
  • 2012-02-28 - 2012-07-11 - B23Q17/24
  • 本发明公开了一种机床回转工作台转角误差的测量装置,包括:支架,固定在所述的回转工作台上;反射镜,与所述的支架转动配合;磁场发生器,用于发射磁场;磁场感应部件,固定安装在所述的反射镜上,用于在磁场的作用下保持反射镜的方向;激光测距装置,用于向所述的反射镜发射、接收激光束,将反射镜的距离变化转换为回转工作台的实际转动角度,其结构简单、测量简便、易于实施,该测量装置中利用磁场和磁场感应部件对反射镜无需接触,就可以对反射镜的方位进行引导,方便激光测距装置测量距离。本发明还公开了一种机床回转工作台转角误差的测量方法,测量简便、测量精确,根据实际转动角度与预设角度计算偏差,为机床的误差补偿提供依据。
  • 一种机床回转工作台转角误差测量装置方法
  • [发明专利]一种快速制备大范围垂直取向石墨烯的装置及其方法-CN201110457518.4有效
  • 薄拯;岑可法;严建华;王智化;池涌 - 浙江大学
  • 2011-12-31 - 2012-07-11 - C23C16/50
  • 本发明公开了一种快速制备大范围垂直取向石墨烯的装置及其方法。它包括加热炉、多锥电极、高压负电电源、石英管、基底、陶瓷绝缘体和电动平移台;多锥电极、基底和陶瓷绝缘体布置在石英管内,石英管放置在加热炉内;基底面对多锥电极锥尖;基底与电动平移台相连;基底接地,多锥电极与高压负电电源相连。制备过程由基底加热、基底平移并与多锥电极之间气体放电、基底还原、以及基底降温等四个步骤组成。本发明可实现垂直取向石墨烯在基底表面的一步式常压快速大面积生长,无需催化剂或粘合剂。所获石墨烯纳米片近似垂直于基底表面,尤其适用于场致发射、纳米级等离子体、超级电容器和二次电池等应用。
  • 一种快速制备范围垂直取向石墨装置及其方法
  • [发明专利]新型碳化硅肖特基二极管-CN201010592965.6有效
  • 盛况;郭清;邓永辉;崔京京;周伟成 - 浙江大学
  • 2010-12-17 - 2012-07-11 - H01L29/872
  • 本发明涉及一种半导体器件,公开了一种应用于高压高频系统如大功率整流、开关电源、变频器等装置中的新型碳化硅肖特基二极管。它包括SiC衬底(2),SiC衬底(2)下端连接有阴极(1),SiC衬底(2)上端连接有SiC外延层(3),SiC外延层(3)上端连接有肖特基势垒接触金属层(5),肖特基势垒接触金属层(5)上设有阳极(6),所述的SiC外延层(3)为至少两个且依次叠接,最下层的SiC外延层(3)与阴极(1)相连,最上层的SiC外延层(3)与肖特基势垒接触金属层(5)相连,SiC外延层(3)的上表面设有P区(4)。本发明通过增加SiC外延层的数量,从而提高SBD反向阻断电压,降低器件的导通电阻,使得肖特基势垒二极管的通态损耗更小。
  • 新型碳化硅肖特基二极管
  • [发明专利]一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法-CN201210007730.5有效
  • 朱丽萍;杨美佳 - 浙江大学
  • 2012-01-01 - 2012-07-11 - H01L31/075
  • 本发明涉及一种纳米结构的氧化亚铜基PIN结太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池结构包括:衬底;P型氧化亚铜纳米线阵列,该P型氧化亚铜纳米线阵列生长在衬底上;绝缘层,该绝缘层沉积在P型氧化亚铜纳米线阵列表面;N型层,该N型层填充在绝缘层外并且形成一层薄膜;N型欧姆电极,该N型欧姆电极制作在N型层上;P型欧姆电极,该P型欧姆电极制作在P型氧化亚铜纳米线阵列层上。本发明中纳米线阵列结构可提高电池的结面积,减小载流子的扩散距离,PIN结构可有效增大耗尽层宽度,大大提高载流子的分离和收集效率,从而提高太阳能电池的能量转换效率。本发明采用的原料丰富、廉价、无污染,采用的制备方法有电化学沉积法、磁控溅射法及电子束蒸发法,都可以大规模应用于工业生产中,有广阔的发展前景。
  • 一种纳米结构氧化亚铜pin太阳能电池及其制备方法
  • [发明专利]近红外波段全硅基纳米光电探测器-CN201110459334.1有效
  • 杨柳;何赛灵 - 浙江大学
  • 2011-12-31 - 2012-07-11 - H01L31/108
  • 本发明公开了一种近红外波段全硅基纳米光电探测器。它包括基底、硅纳米线光波导、肖特基接触电极、欧姆接触电极和绝缘层。在基底上构筑硅纳米线光波导,肖特基接触电极覆盖在它的顶部和侧壁,硅纳米线光波导与肖特基接触电极之间涂覆绝缘层,在硅纳米线光波导的平板区上相距肖特基接触电极1~2μm的地方设置欧姆接触电极。入射光从硅纳米线光波导输入,在肖特基接触区域被吸收,通过内部光发射效应转化为光生载流子,被肖特基接触电极和欧姆接触电极收集形成光电流,实现光电转换。本发明克服了宽禁带硅对近红外光不吸收的物理限制,具有超大带宽、偏振不敏感等优良特性,且因吸收率高可做得非常小,工艺制备与CMOS兼容,制作简单成本低。
  • 红外波段全硅基纳米光电探测器

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