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- [发明专利]一种基于移位寄存器的抗干扰方法-CN201110414928.0有效
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饶秀勤;应义斌
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浙江大学
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2011-12-13
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2012-07-11
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G11C19/28
- 本发明公开了一种基于移位寄存器的抗干扰方法。时钟脉冲发生器连接在移位寄存器的时钟输入端Clock上,整形电路连接在移位寄存器的数据输入端Data上,移位寄存器的数据输出端连接在放大器的多个输入端,放大器的输入端连接在比较器的同相端,阈值设定电路连接在比较器(6)的反相端上。过对脉冲细分、移位寄存器记录和加法器叠加来将脉冲宽度转换成电压值,再与设定的电压值相比较来判断脉冲信号是否为干扰信号。本发明通过脉冲细分、移位寄存器记录和加法器叠加来将脉冲宽度转换成电压值,克服了RC充放电电路中负向脉冲分割正常脉冲造成脉冲判断失误。
- 一种基于移位寄存器抗干扰方法
- [发明专利]新型碳化硅肖特基二极管-CN201010592965.6有效
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盛况;郭清;邓永辉;崔京京;周伟成
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浙江大学
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2010-12-17
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2012-07-11
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H01L29/872
- 本发明涉及一种半导体器件,公开了一种应用于高压高频系统如大功率整流、开关电源、变频器等装置中的新型碳化硅肖特基二极管。它包括SiC衬底(2),SiC衬底(2)下端连接有阴极(1),SiC衬底(2)上端连接有SiC外延层(3),SiC外延层(3)上端连接有肖特基势垒接触金属层(5),肖特基势垒接触金属层(5)上设有阳极(6),所述的SiC外延层(3)为至少两个且依次叠接,最下层的SiC外延层(3)与阴极(1)相连,最上层的SiC外延层(3)与肖特基势垒接触金属层(5)相连,SiC外延层(3)的上表面设有P区(4)。本发明通过增加SiC外延层的数量,从而提高SBD反向阻断电压,降低器件的导通电阻,使得肖特基势垒二极管的通态损耗更小。
- 新型碳化硅肖特基二极管
- [发明专利]近红外波段全硅基纳米光电探测器-CN201110459334.1有效
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杨柳;何赛灵
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浙江大学
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2011-12-31
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2012-07-11
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H01L31/108
- 本发明公开了一种近红外波段全硅基纳米光电探测器。它包括基底、硅纳米线光波导、肖特基接触电极、欧姆接触电极和绝缘层。在基底上构筑硅纳米线光波导,肖特基接触电极覆盖在它的顶部和侧壁,硅纳米线光波导与肖特基接触电极之间涂覆绝缘层,在硅纳米线光波导的平板区上相距肖特基接触电极1~2μm的地方设置欧姆接触电极。入射光从硅纳米线光波导输入,在肖特基接触区域被吸收,通过内部光发射效应转化为光生载流子,被肖特基接触电极和欧姆接触电极收集形成光电流,实现光电转换。本发明克服了宽禁带硅对近红外光不吸收的物理限制,具有超大带宽、偏振不敏感等优良特性,且因吸收率高可做得非常小,工艺制备与CMOS兼容,制作简单成本低。
- 红外波段全硅基纳米光电探测器
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