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专利名称

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农业化学；冶金建筑机械工程区域搜索

主分类

B 作业；运输

C 化学；冶金

D 纺织；造纸

E 固定建筑物

F 机械工程、照明、加热

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公布日期

2023-10-24 公布专利

2023-10-20 公布专利

2023-10-17 公布专利

2023-10-13 公布专利

2023-10-10 公布专利

2023-10-03 公布专利

2023-09-29 公布专利

2023-09-26 公布专利

2023-09-22 公布专利

2023-09-19 公布专利

专利权人

国家电网公司

华为技术有限公司

中兴通讯股份有限公司

三星电子株式会社

中国石油化工股份有限公司

鸿海精密工业股份有限公司

松下电器产业株式会社

上海交通大学

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[实用新型]一种耐磨钢铸件的磨边工装夹具-CN202123272682.6有效
发明人： 洪伟伦 -专利权人：浙江添发精密机械有限公司
申请日： 2021-12-23 - 公布日： 2022-11-04 - 主分类号： B24B41/06 文献下载
摘要：本实用新型公开了一种耐磨钢铸件的磨边工装夹具，包括底板，底板的四周设置有若干定位机构和压紧机构；定位机构包括定位块和定位推杆，定位块与底板滑动连接，定位推杆与底板铰接，定位推杆与定位块之间设置有连接杆，连接杆分别与定位块和定位推杆铰接，底板上设置有卡块，卡块上设置有卡槽；压紧机构包括支撑柱、压紧杆和压紧长螺栓，压紧杆与支撑柱转动且竖直滑动连接，压紧杆的顶端设置有压紧板，压紧长螺栓与底板螺纹连接，可在底板上对缸盖进行加工面的调整，调整后可重新对缸盖进行定位和夹紧，即缸盖的加工可使用同一机床上的同一夹具进行装夹，无需使缸盖在机床之间转移，减少其总装夹时间，提高缸盖的加工效率，同时节省工人体力。
一种耐磨铸件磨边工装夹具

[发明专利]显示装置及其制造方法-CN202111304711.4在审
发明人：施景耀;何恕德;洪伟伦;王铮亮 -专利权人：友达光电股份有限公司
申请日： 2021-11-05 - 公布日： 2022-02-08 - 主分类号： H01L27/15 文献下载
摘要：本发明公开一种显示装置及其制造方法，其中该显示装置包括支撑板、线路图案、多个显示模块与光学填充材料。线路图案与显示模块设置在支撑板上。各个显示模块包括控制基板、多个发光元件与光学填充材料。控制基板包括层体与多个导电件。这些导电件位于层体内，并电连接线路图案。这些发光元件设置在控制基板上。光学填充材料全面性覆盖这些显示模块，并填入于至少相邻两个显示模块之间的缝隙内。
显示装置及其制造方法

[发明专利]半导体装置的平坦化方法及化学机械研磨浆料组合物-CN201910882243.5有效
发明人：徐俊伟;刘启人;沈稘翔;郑仰钧;洪伟伦;陈亮光;陈科维;何嘉玮 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-18 - 公布日： 2022-01-18 - 主分类号： C09K3/14 文献下载
摘要：本发明实施例描述一种金属表面化学机械研磨技术。在金属化学机械研磨浆料中包含一种络合剂或胶束。在化学机械研磨浆料中包含与氧化剂键结的络合剂，以在组合体的核心形成与氧化剂分子的络合物，例如超分子组合体，且前述氧化剂分子被络合剂分子包围。形成的络合物具有增大的尺寸。
半导体装置平坦方法化学机械研磨浆料组合

[发明专利]半导体器件和形成半导体器件的方法-CN201910922907.6有效
发明人：何嘉玮;徐俊伟;沈稘翔;刘启人;林易生;郑仰钧;洪伟伦;陈亮光;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-27 - 公布日： 2021-12-24 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：半导体器件包括位于衬底上方的第一介电层，第一介电层包括从第一介电层的远离衬底的第一侧延伸到第一介电层的与第一侧相对的第二侧的第一介电材料；第二介电层，位于第一介电层上方；导线，位于第一介电层中，导线包括第一导电材料，导线的上表面比第一介电层的上表面更靠近衬底；金属帽，位于第一介电层中，金属帽位于导线上方并物理连接至导线，金属帽包括与第一导电材料不同的第二导电材料；以及通孔，位于第二介电层中并且物理连接到金属帽，该通孔包括第二导电材料。本发明的实施例还涉及一种形成半导体器件的方法。
半导体器件形成方法

[发明专利]半导体结构及其形成方法-CN201910909554.6有效
发明人：林易生;刘启人;陈科维;陈亮光;孔德明;洪伟伦;沈稘翔;何嘉玮;徐俊伟;郑仰钧 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2019-09-25 - 公布日： 2021-10-29 - 主分类号： H01L23/528 文献下载
摘要：根据本申请的实施例，提供了半导体结构及其形成方法。本公开描述了保护金属互连结构免受用于在金属互连结构上方形成其它金属结构的随后化学机械抛光工艺损坏的技术。使金属互连结构凹陷以在金属互连结构和周围介电层之间形成凹槽。在凹槽内形成金属覆盖结构。使介电层的上部变形以包括拉伸应力，该拉伸应力使介电层相对于金属覆盖结构扩展，以减小或消除金属覆盖结构与介电层之间的界面中的间隙。
半导体结构及其形成方法

[发明专利]投影系统以及投影操作方法-CN202010277349.5在审
发明人： 洪伟伦 -专利权人：中强光电股份有限公司
申请日： 2020-04-10 - 公布日： 2021-10-19 - 主分类号： H04N9/31 文献下载
摘要：本发明提出一种投影系统及投影操作方法。投影操作方法用于使设置于生物造型壳体内部的投影装置投影脸部影像至生物造型壳体的脸部投影区域。脸部投影区域具有透光性且为曲面。控制器识别收音装置接收的语音信号。当控制器获得识别结果时，若储存于储存装置中的投影数据包含对应识别结果的目标投影数据，则控制器控制投影装置根据目标投影数据投影脸部影像，或者，若储存于储存装置中的投影数据不包含目标投影数据，则控制器控制通信装置自外部装置接收目标投影数据并将其储存于储存装置。控制器控制投影装置根据目标投影数据投影脸部影像。本发明的投影系统及投影操作方法具有声控改变立体模型的脸部影像以及提供多种不同的脸部影像的功能。
投影系统以及操作方法

[发明专利]清洗组成物-CN202110564251.2在审
发明人：崔骥;洪伟伦;黄俊程;孙旭昌;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-05-24 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： C11D1/00 文献下载
摘要：一种清洗组成物，用于化学机械研磨制程后，清洗包含硅锗的基板表面。上述清洗组成物，包括：一寡聚型或高分子型聚胺；至少一润湿剂；一pH调节剂；以及一溶剂。
清洗组成

[发明专利]用于制造集成电路的热点避免方法-CN202110070329.5在审
发明人：刘翼硕;夏致群;周信廷;苏冠华;洪伟伦;陈志宏;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2021-01-19 - 公布日： 2021-09-28 - 主分类号： G06F30/392 文献下载
摘要：本公开涉及用于制造集成电路的热点避免方法。一种方法，包括：从集成电路的布图中裁剪多个图像；生成第一多个散列值，其中每一者来自多个图像之一；加载存储在热点库中的第二多个散列值；以及将第一多个散列值中的每一者与第二多个散列值中的每一者进行比较。比较步骤包括计算第一多个散列值中的每一者与第二多个散列值中的每一者之间的相似度值。方法还包括将相似度值与预定阈值相似度值进行比较，并且响应于相似度值大于预定阈值相似度值的结果，记录具有该结果的相应图像的位置。该位置是相应图像在布图中的位置。
用于制造集成电路热点避免方法

[发明专利]平坦化设备-CN202010401404.7在审
发明人：侯德谦;颜于婷;郭政雨;陈志宏;洪伟伦;陈科维 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-13 - 公布日： 2021-01-19 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本公开实施例涉及一种化学机械平坦化系统，包括一电容去离子模块，以从一溶液中移除离子。本公开实施例亦公开了使用前述化学机械平坦化系统的方法。在一实施例中，一种平坦化设备包括一平坦化单元，用以平坦化一晶圆；一清洁单元，用以清洁前述晶圆；一晶圆输送单元，用以在平坦化单元和清洁单元之间输送晶圆；以及一电容去离子模块，用以移除一溶液中的离子，所述溶液是在平坦化单元或清洁单元的至少一者中使用。
平坦设备

[发明专利]化学机械平坦化的方法-CN202010419282.4在审
发明人：粘博钦;黄罡;洪伟伦 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2020-05-18 - 公布日： 2020-11-17 - 主分类号： H01L21/306 文献下载
摘要：一种化学机械平坦化的方法，包括在基板上方形成膜层，增加膜层的表面粗糙度，以及在增加表面粗糙度之后，使用第一化学机械平坦化制程将膜层平坦化。
化学机械平坦方法

[发明专利]半导体元件的制造方法-CN201610993734.3有效
发明人：潘婉君;洪伟伦;陈盈淙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-11 - 公布日： 2020-01-17 - 主分类号： H01L21/8234 文献下载
摘要：本揭露是关于制造半导体的方法。方法包含提供一前置物，具有基板以及位于基板上的多个凸出部，凸出部之间安插有多个沟槽。在凸出部上沉积第一介电层并填补沟槽，第一介电层具有第一硬度。使用氧化剂处理第一介电层。对第一介电层执行化学机械研磨制程。
半导体元件制造方法

[发明专利]投影机及其投影校正方法-CN201710639124.8在审
发明人：林明村;曹浩昌;洪伟伦 -专利权人：中强光电股份有限公司
申请日： 2017-07-31 - 公布日： 2019-02-12 - 主分类号： G03B21/14 文献下载
摘要：本发明提出一种投影校正方法用于投影机。投影校正方法包括以下步骤：感测投影机的机体温度，以取得第一温度值，其中投影机的聚焦齿轮位于第一齿轮位置；判断机体温度是否改变，其中当机体温度由第一温度值改变为第二温度值时，将聚焦齿轮转动预设距离，以使聚焦齿轮转动至第二齿轮位置；判断储存装置中是否储存有对应于第二温度值的目标齿轮位置，以转动聚焦齿轮至目标齿轮位置。另外，用于上述投影校正方法的投影机亦被提出。
投影机聚焦齿轮投影校正转动齿轮位置目标齿轮储存装置预设距离感测储存

[外观设计]压缩机-CN201830231166.3有效
发明人： 洪伟伦;洪英智 -专利权人：冠翔(香港)工业有限公司
申请日： 2018-05-18 - 公布日： 2018-12-18 - 主分类号： 15-02 文献下载
摘要：1．本外观设计产品的名称：压缩机。2．本外观设计产品的用途：本外观设计产品用于提供压缩空气。3．本外观设计产品的设计要点：如图所示的整体形状和构形特征，包括主视图示出的布局设计。4．最能表明本外观设计设计要点的图片或照片：立体图1。
外观设计压缩机布局设计构形特征压缩空气整体形状图示图片

[发明专利]半导体装置的形成方法-CN201610996689.7在审
发明人：粘博钦;洪伟伦;陈盈淙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-10-26 - 公布日： 2017-10-03 - 主分类号： H01L21/336 文献下载
摘要：半导体装置的形成方法包含形成鳍状物于基板上；沉积栅极层于鳍状物上，且栅极层具有第一材料；以及沉积牺牲层于栅极层上，且牺牲层具有第二材料。此方法亦包含以第一浆料或蚀刻品移除牺牲层的第一部分，且第一浆料或蚀刻品对第一材料与第二材料具有第一选择性。此方法亦包含以第二浆料或蚀刻品移除栅极层的第一部分与牺牲层的第二部分以形成平坦化的栅极层，且第二浆料或蚀刻品对第一材料与第二材料具有第二选择性。第一选择性大于第二选择性。上述方法的优点之一为降低下方的结构密度对栅极层的平坦化工艺的影响，并降低横越晶片的装置结构上的栅极层其厚度差异。
半导体装置形成方法

[发明专利]化学机械研磨方法-CN201611009306.9在审
发明人：刘志文;涂哲豪;粘博钦;洪伟伦;陈盈淙 -专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
申请日： 2016-11-16 - 公布日： 2017-09-12 - 主分类号： B24B37/10 文献下载
摘要：一种化学机械研磨方法包括测量一晶圆的一轮廓，以及判定晶圆的一第一部分具有大于一特定的厚度的一较厚的厚度。上述方法还包括于测量晶圆之后，实施一化学机械研磨(CMP)工艺至晶圆的一第一侧，以及于CMP工艺的过程中，实施一额外的压力至晶圆的一区域，区域包括晶圆的一非对称部分，区域涵盖至少部分晶圆的第一部分。该化学机械研磨方法能够使晶圆的表面更为平坦。
化学机械研磨方法

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