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[发明专利]层叠基板的制造方法和基板处理装置-CN202280018447.4在审
发明人：山下阳平;沟本康隆;田之上隼斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-24 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：层叠基板的制造方法包括下述(A)～(D)。(A)，在第一半导体基板的表面形成包含氧化层的接合层。(B)，使所述接合层的所述氧化层与第二半导体基板接触，并藉由所述接合层将所述第一半导体基板与所述第二半导体基板进行接合。(C)，在进行所述接合之后，通过激光光线来在将所述第一半导体基板沿厚度方向进行分割的预定的第一分割预定面形成改性层。(D)，通过以形成于所述第一分割预定面的改性层为起点将所述第一半导体基板进行分割，来使藉由所述接合层而与所述第二半导体基板进行了接合的所述第一半导体基板薄化。
层叠制造方法处理装置

[发明专利]半导体芯片的制造方法和基板处理装置-CN202280018474.1在审
发明人：山下阳平;沟本康隆;田之上隼斗 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-02-25 - 公布日： 2023-10-20 - 主分类号： H01L21/301 文献下载
摘要：半导体芯片的制造方法包括下述(A)～(E)。(A)，准备按第一半导体基板、器件层、剥离层、第三半导体基板的顺序包括第一半导体基板、器件层、剥离层以及第三半导体基板的层叠基板。(B)，对所述第一半导体基板、所述器件层以及所述剥离层进行切割。(C)，将进行所述切割后的所述层叠基板从与所述第三半导体基板相反的一侧与带进行贴合，并藉由所述带安装于框。(D)，在将所述层叠基板安装于所述框之后，对所述剥离层照射透过所述第三半导体基板的激光光线，来在所述第三半导体基板与所述剥离层之间的界面或者所述剥离层的内部形成改性层。(E)，以形成于所述第三半导体基板与所述剥离层之间的界面或者所述剥离层的内部的改性层为起点，来将所述第三半导体基板与所述剥离层剥离。
半导体芯片制造方法处理装置

[发明专利]基板加工方法和基板加工装置-CN202280010039.4在审
发明人：早川晋;山下阳平;沟本康隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2022-01-11 - 公布日： 2023-09-05 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：基板加工方法包括以下的(A)～(C)。在(A)中，准备基板，该基板具有第一主表面以及与所述第一主表面朝向相反的第二主表面，并且所述第一主表面和所述第二主表面分别具有波纹。在(B)中，基于所述基板的所述第一主表面和所述第二主表面中的一面的波纹的测定结果来对所述一面照射激光光线，以使所述一面平坦化。在(C)中，在使所述基板的所述一面平坦化之后，对所述基板的与所述一面朝向相反的相反面进行磨削，以使所述相反面平坦化。
加工方法装置

[发明专利]更换装置和更换方法-CN202180029625.9在审
发明人： 沟本康隆;早川晋 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-04-07 - 公布日： 2022-12-09 - 主分类号： B24B45/00 文献下载
摘要：更换装置对在加工装置中使用的加工工具进行更换。所述加工装置包括：保持部，其用于保持处理体；加工机构，其以能够更换的方式安装对在所述保持部保持的所述处理体进行加工的加工工具；以及外罩，其容纳所述保持部和所述加工机构。所述更换装置包括更换机构、移动机构、行进台以及行进机构。所述更换机构向所述加工机构安装所述加工工具，或者从所述加工机构拆除所述加工工具。所述移动机构使所述更换机构经由所述外罩的进入口从所述外罩的外部向内部移动。所述行进台支承所述移动机构。所述行进机构使所述行进台行进。
更换装置方法

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202180023726.5在审
发明人：田之上隼斗;山下阳平;沟本康隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-01-18 - 公布日： 2022-11-11 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种将层叠形成有表面膜的第一基板与第二基板接合而成的重合基板的处理方法，包括：将作为去除对象的所述第一基板从所述第二基板剥离；对通过剥离所述第一基板而露出的、残留于所述第二基板的周缘部的所述表面膜的露出表面照射激光，来至少将所述第二基板的周缘部处的所述表面膜的表层去除或改性。
处理方法装置

[发明专利]接合装置和接合方法-CN202180010351.9在审
发明人：林德太郎;大塚庆崇;沟本康隆;池上和哉;児玉宗久 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2022-09-09 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：接合装置将第一基板与第二基板进行接合来得到重合基板。所述第一基板包括基底基板和器件层，该器件层形成于所述基底基板的与所述第二基板相向的相向面。所述接合装置具有：第一保持部，其保持所述第一基板；第二保持部，其保持所述第二基板；移动部，其使所述第一保持部和所述第二保持部相对地移动；以及总厚度测定控制部，其控制用于测定所述重合基板的总厚度的厚度检测器，来在多个点处测定所述总厚度。
接合装置方法

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202080087508.3在审
发明人：山下阳平;田之上隼斗;沟本康隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-12-09 - 公布日： 2022-07-29 - 主分类号： H01L21/02 文献下载
摘要：一种方法，用于在将第一基板与第二基板接合而成的重合基板中将形成于所述第二基板的表面的器件层转印于所述第一基板，在所述方法中，从所述第二基板的背面侧对形成于该第二基板与所述器件层之间的激光吸收层脉冲状地照射激光。
处理方法装置

[发明专利]带芯片基板的制造方法和基板处理装置-CN202080073979.9在审
发明人：田之上隼斗;沟本康隆;山下阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-09-03 - 公布日： 2022-06-03 - 主分类号： H01L21/56 文献下载
摘要：一种带芯片基板的制造方法，包括：准备层叠基板，该层叠基板包括多个所述芯片、暂时地接合有多个所述芯片的第一基板、以及隔着多个所述芯片与所述第一基板接合的第二基板；以及将与所述第一基板及所述第二基板接合的多个所述芯片从所述第一基板分离，以与第三基板的包括器件层的一面接合。
芯片制造方法处理装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理装置-CN202080052537.6在审
发明人： 沟本康隆 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-07-20 - 公布日： 2022-03-04 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种基板处理方法，包括：准备层叠基板，该层叠基板包括被分割为多个芯片的第一基板、按每个所述芯片完成分割且用于保护所述芯片的保护膜、用于支承所述第一基板的第二基板、以及将所述保护膜与所述第二基板粘接的粘接膜；利用透过所述第二基板的光线来使所述粘接膜的粘接力下降；以及利用拾取部从所述粘接膜拾取与所述粘接膜之间的粘接力下降后的所述保护膜和所述芯片。
处理方法装置

[发明专利]基板处理方法和基板处理系统-CN202080035527.1在审
发明人：田之上隼斗;沟本康隆;山下阳平 -专利权人：东京毅力科创株式会社
申请日： 2020-05-11 - 公布日： 2021-12-17 - 主分类号： H01L21/304 文献下载
摘要：一种基板处理方法，其对在表面形成有器件的处理对象基板进行处理，其中，该基板处理方法具有以下步骤：准备对器件基板进行分离而得到的具有器件侧的第1分离基板和不具有器件侧的第2分离基板中的所述第2分离基板；以及将所述第2分离基板再利用地与处理对象基板接合。一种基板处理系统，其对在表面形成有器件的处理对象基板进行处理，其中，该基板处理系统具有接合部，该接合部将对器件基板进行分离而得到的具有器件侧的第1分离基板和不具有器件侧的第2分离基板中的所述第2分离基板再利用地与处理对象基板接合。
处理方法系统

[发明专利]加工装置-CN201710767736.5有效
发明人： 沟本康隆;饭岛悠;早川晋 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-08-31 - 公布日： 2021-06-11 - 主分类号： B24B7/22 文献下载
摘要：提供一种加工装置，能够在晶片的被加工面上形成希望的去疵层而不用花费时间。加工装置(1)具有对磨削后的晶片(W)的被加工面进行研磨的研磨构件(60)和在晶片(W)的被加工面上形成去疵层的去疵层形成构件(70)，去疵层形成构件(70)具有：旋转构件(71)，其使在晶片(W)的被加工面上形成去疵层的去疵轮(72)与旋转构件(71)一起旋转；升降构件(75)，其使去疵轮(72)与旋转构件(71)一起相对于保持工作台(3)的保持面(3a)在垂直方向上进行升降；以及水平移动构件(76)，其使去疵轮(72)与旋转构件(71)一起相对于保持工作台(3)的保持面(3a)在水平方向上进行移动，因此能够通过与研磨构件(60)作为不同机构的去疵层形成构件(70)在短时间内在晶片(W)的被加工面上形成去疵层。
加工装置

[发明专利]器件晶片的加工方法-CN201410768052.3有效
发明人： 沟本康隆 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2014-12-12 - 公布日： 2020-06-19 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供器件晶片的加工方法，能够实现切割装置的小型化。在槽形成步骤中，在器件晶片的正面形成规定深度的槽，在板粘贴步骤中，借助粘结剂(31)将板(20)粘贴到器件晶片的正面，在磨削步骤中，隔着板(20)将器件晶片保持在保持工作台上，对露出的器件晶片的背面进行磨削来使槽在器件晶片的背面露出，从而分割器件晶片，形成多个芯片(15a～15c)。在膜粘贴步骤中，在器件晶片的背面粘贴膜，在切割步骤中，从背面(102)一侧沿着分割预定线(13)分割膜，在拾取步骤中，从板(20)上拾取各芯片(15a～15c)。板(20)是与器件晶片(10)大致相同的尺寸，因此即使器件晶片(10)大口径化，也能够抑制切割装置大型化。
器件晶片加工方法

[发明专利]晶片的加工方法-CN201710504880.X在审
发明人：田渕智隆;沟本康隆;吉永晃 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2017-06-28 - 公布日： 2018-01-12 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：提供晶片的加工方法，能够不使器件的品质降低地执行等离子蚀刻。根据本发明，提供晶片的加工方法，将由分割预定线划分而在半导体基板的正面上形成有多个器件的晶片分割成各个器件，该器件在正面上层叠有钝化膜，其中，该晶片的加工方法至少包含如下工序保护膜形成工序，对该晶片的正面包覆液状树脂而形成保护膜；半导体基板露出工序，对分割预定线照射激光光线而将层叠于分割预定线的钝化膜或金属膜去除，使半导体基板沿着分割预定线露出；保护膜去除工序，将该保护膜从该晶片的正面去除；以及分割工序，将覆盖该器件的钝化膜作为遮蔽膜而通过等离子蚀刻对沿分割预定线露出的半导体基板进行分割。
晶片加工方法

[发明专利]器件晶片的加工方法-CN201410776904.3在审
发明人： 沟本康隆 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2014-12-15 - 公布日： 2015-06-17 - 主分类号： H01L21/78 文献下载
摘要：本发明提供一种器件晶片的加工方法，其能够实现切割装置的小型化。在板粘合步骤中，通过粘接剂(31)将板(20)粘合于器件晶片(10)的正面，在磨削步骤中，利用保持工作台隔着板(20)来保持器件晶片(10)，利用磨削单元对露出的器件晶片(10)的背面(102)进行磨削，使器件晶片(10)减薄到规定的厚度。在切割步骤中，沿着分割预定线(13)，从背面(102)侧分割器件晶片(10)，形成多个芯片(15)。在拾取步骤中，从板(20)拾取各芯片(15)。由于板(20)与器件晶片(10)为大致相同大小，因此，即使器件晶片(10)大口径化，也能够抑制切割装置变得大型化。
器件晶片加工方法

[发明专利]清洗装置-CN201310601770.7在审
发明人： 沟本康隆 -专利权人：株式会社迪思科
申请日： 2013-11-25 - 公布日： 2014-06-11 - 主分类号： H01L21/67 文献下载
摘要：本发明提供一种清洗装置，在旋转工作台中能对晶片的被清洗面进行擦刷清洗，且防止污染物绕到晶片的背面而造成背面污染。外周保持构件具有：液体蓄积部，其在上表面（21a）蓄积液体而形成液体层（6）；液体供给口，其向液体蓄积部上表面供给液体；以及升降部，其选择性地将液体蓄积部定位到作用位置和非作用位置，因此，在清洗晶片（W）时，液体蓄积部被定位于作用位置，形成于液体蓄积部的液体层的上表面（7）为与旋转工作台的上表面（3）相同的高度，由液体层保持晶片外周部（Wc），并能够通过清洗构件来清洗晶片的正面（Wa）。另外，由于晶片的背面（Wb）被液体层密封，所以能够防止污染物绕到背面，能够减低晶片的背面污染。
清洗装置

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